Товары из категории транзисторы, стр.795

Производитель

Транзисторы — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, коммутации и управления электрическими сигналами и мощными нагрузками. Они являются основой современной электроники и применяются в источниках питания, усилителях, драйверах двигателей, преобразователях и цифровых схемах.

Транзисторы отличаются высокой надёжностью, стабильностью параметров и совместимостью с широким спектром схем.

Мы предлагаем качественные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте точное и эффективное управление — выбирайте профессиональные решения на 7-el.ru!

0.0
WMT07N03T1-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусSOT223 МонтажSMD Обозначение производителяWMT07N03T1
79.07 
Доступность: 285 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMT07N03T1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; SOT223" 1.

0.0
WMT07N06TS-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусSOT223 МонтажSMD Обозначение производителяWMT07N06TS
86.05 
Доступность: 553 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMT07N06TS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; SOT223" 1.

0.0
WMT07N10TS-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусSOT223 МонтажSMD Обозначение производителяWMT07N10TS
75.97 
Доступность: 435 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMT07N10TS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; SOT223" 1.

0.0
WMT1N80D1-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
23.26 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMT1N80D1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1А; SOT223" 5.

0.0
WMT4N65D1B-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
23.26 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMT4N65D1B, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 4А; SOT223" 5.

0.0
WMU080N10HG2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO220FP МонтажTHT Обозначение производителяWMU080N10HG2
139.53 
Доступность: 95 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMU080N10HG2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO220FP" 1.

0.0
WMX3N150D1-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора40нC КорпусTO3PF МонтажTHT
221.71 
Доступность: 371 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMX3N150D1, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; полевой; 1,5кВ; 3А; Idm: 12А; 90Вт" 1.

0.0
WMX4N150D1-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора41нC КорпусTO3PF МонтажTHT
221.71 
Доступность: 196 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMX4N150D1, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; полевой; 1,5кВ; 4А; Idm: 16А; 90Вт" 1.

0.0
WMZ13N65EM-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20,3нC КорпусDFN8x8 МонтажSMD
293.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMZ13N65EM, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ EM; полевой; 650В; 6,5А; Idm: 35А; 85Вт" 1.

0.0
WMZ26N60C4-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22,1нC КорпусDFN8x8 МонтажSMD
446.51 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMZ26N60C4, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; полевой; 600В; 10,5А; Idm: 40А" 1.

0.0
WMZ26N65C4-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22,1нC КорпусDFN8x8 МонтажSMD
400.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMZ26N65C4, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; полевой; 650В; 10,5А; Idm: 40А" 1.

0.0
WMZ36N65C4-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC КорпусDFN8x8 МонтажSMD
621.71 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMZ36N65C4, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; полевой; 650В; 20А; Idm: 100А; 277Вт" 1.

0.0
WMZ53N60F2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора58нC КорпусDFN8x8 МонтажSMD
654.26 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMZ53N60F2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; полевой; 600В; 26А; Idm: 90А; 280Вт" 1.

0.0
WNSC2M20120R6Q
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора32нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
4 841.86 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WNSC2M20120R6Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 94А; Idm: 200А; 750Вт" 1.

0.0
WNSC2M40120R6Q
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора19нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
2 761.24 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WNSC2M40120R6Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 52А; Idm: 100А; 405Вт" 1.

0.0
WNSCM80120R6Q
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора59нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
2 007.75 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WNSCM80120R6Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 32А; Idm: 81А; 270Вт" 1.

0.0
XP151A11B0MR-G
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-3 МонтажSMD
116.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "XP151A11B0MR-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 1А; Idm: 4А; 0,5Вт; SOT23-3; ESD" 1.

0.0
XP151A13A0MR-G
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-3 МонтажSMD
121.71 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "XP151A13A0MR-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 1А; Idm: 4А; 0,5Вт; SOT23-3; ESD" 1.

0.0
XP152A11E5MR-G
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-3 МонтажSMD
107.75 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "XP152A11E5MR-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -0,7А; Idm: -2,8А; 0,5Вт; ESD" 1.

0.0
XP161A11A1PR-G
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD
113.95 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "XP161A11A1PR-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4А; Idm: 16А; 2Вт; SOT89-3; ESD" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж