Транзисторы

Производитель

Транзисторы — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, коммутации и управления электрическими сигналами и мощными нагрузками. Они являются основой современной электроники и применяются в источниках питания, усилителях, драйверах двигателей, преобразователях и цифровых схемах.

Транзисторы отличаются высокой надёжностью, стабильностью параметров и совместимостью с широким спектром схем.

Мы предлагаем качественные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте точное и эффективное управление — выбирайте профессиональные решения на 7-el.ru!

0.0
2SD2656T106
Вид упаковкибобина, лента КорпусSC70, SOT323 Коэффициент усиления по току270...680 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер30В
‍81‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "2SD2656T106, Транзистор: NPN; биполярный; 30В; 1А; 200мВт; SC70,SOT323" 1.

0.0
2SD2657KT146
Вид упаковкибобина, лента КорпусSC59, SOT346 Коэффициент усиления по току270...680 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер30В
‍110‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "2SD2657KT146, Транзистор: NPN; биполярный; 30В; 1,5А; 200мВт; SC59,SOT346" 1.

0.0
2SD2673TL
Вид упаковкибобина, лента КорпусSC96 Коэффициент усиления по току270...680 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер30В
‍93‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "2SD2673TL, Транзистор: NPN; биполярный; 30В; 3А; 500мВт; SC96" 1.

0.0
2SD2701TL
Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT323F Коэффициент усиления по току270...680 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер30В
‍137‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "2SD2701TL, Транзистор: NPN; биполярный; 30В; 1,5А; 400мВт; SOT323F" 1.

0.0
2SD2704KT146
Вид упаковкибобина, лента КорпусSC59, SOT346 Коэффициент усиления по току820...2700 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер20В
‍67‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "2SD2704KT146, Транзистор: NPN; биполярный; 20В; 0,3А; 200мВт; SC59,SOT346" 1.

0.0
2SD2707T2LV
Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT723 Коэффициент усиления по току820...1800 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер50В
‍73‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "2SD2707T2LV, Транзистор: NPN; биполярный; 50В; 0,15А; 150мВт; SOT723" 1.

0.0
2SD300C17A1
Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток30А Класс напряжения1,7кВ Монтажштыревая планка Обозначение производителя2SD300C17A1
22 698 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "2SD300C17A1, Module: gate driver board; IGBT half-bridge; pin header; 1.7kV" 1.

0.0
2SD300C17A2
Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток30А Класс напряжения1,7кВ Монтажштыревая планка Обозначение производителя2SD300C17A2
22 698 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "2SD300C17A2, Module: gate driver board; IGBT half-bridge; pin header; 1.7kV" 1.

0.0
2SD300C17A3
Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток30А Класс напряжения1,7кВ Монтажштыревая планка Обозначение производителя2SD300C17A3
22 387 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "2SD300C17A3, Module: gate driver board; IGBT half-bridge; pin header; 1.7kV" 1.

0.0
2SD300C17A4
Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток30А Класс напряжения1,7кВ Монтажштыревая планка Обозначение производителя2SD300C17A4
28 372 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "2SD300C17A4, Module: gate driver board; IGBT half-bridge; pin header; 1.7kV" 1.

0.0
2SD315AI
Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток18А Класс напряжения1,7кВ Монтажштыревая планка Обозначение производителя2SD315AI
18 114 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "2SD315AI, Module: gate driver board; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge" 1.

0.0
2SD669A-LGE
КорпусTO126 МонтажTHT Напряжение коллектор-эмиттер160В Обозначение производителя2SD669A Полярностьбиполярный
‍15‍ 
Доступность: 1830 шт.
+

Минимальное количество для товара "2SD669A, Транзистор: NPN; биполярный; 160В; 1,5А; TO126" 10.

0.0
2SD882
Вид упаковкитуба КорпусSOT32 МонтажTHT Напряжение коллектор-эмиттер40В Обозначение производителя2SD882
‍220‍ 
Доступность: 455 шт.
+

Минимальное количество для товара "2SD882, Транзистор: NPN; биполярный; 40В; 3А; 12,5Вт; SOT32" 1.

0.0
2SD965A-LGE
КорпусSOT89 Коэффициент усиления по току230...800 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер30В Обозначение производителя2SD965A
‍24‍ 
Доступность: 960 шт.
+

Минимальное количество для товара "2SD965A, Транзистор: NPN; биполярный; 30В; 5А; 0,75Вт; SOT89" 10.

0.0
2SJ168
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC59 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍136‍ 
Доступность: 855 шт.
+

Минимальное количество для товара "2SJ168(TE85L,F), Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,2А; 200мВт; SC59" 1.

0.0
2SJ668
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC КорпусDPAK
‍65‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "2SJ668(TE16L1,NQ), Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -5А; 20Вт; DPAK; ESD" 2000.

0.0
2SK1062
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC59 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍136‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "2SK1062(TE85L,F), Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,2А; 200мВт; SC59" 1.

0.0
2SK1317
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO3P МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
3 022 
Доступность: 136 шт.
+

Минимальное количество для товара "2SK1317-E, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1500В; 2,5А; 100Вт; TO3P" 1.

0.0
2SK208
Вид упаковкибобина, лента КорпусSC59 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-50В Обозначение производителя2SK208-GR(TE85L,F)
‍34‍ 
Доступность: 9872 шт.
+

Минимальное количество для товара "2SK208-GR(TE85L,F), Транзистор: N-JFET; полевой; 6,5мА; 0,1Вт; SC59; Igt: 10мА" 1.

0.0
2SK208-O
Вид упаковкибобина, лента КорпусSC59 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-50В Обозначение производителя2SK208-O(TE85L,F)
‍98‍ 
Доступность: 10951 шт.
+

Минимальное количество для товара "2SK208-O(TE85L,F), Транзистор: N-JFET; полевой; 1,4мА; 0,1Вт; SC59; Igt: 10мА" 1.

0.0
2SK209
Вид упаковкибобина, лента КорпусSC59 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-50В Обозначение производителя2SK209-BL(TE85L,F)
‍98‍ 
Доступность: 2580 шт.
+

Минимальное количество для товара "2SK209-BL(TE85L,F), Транзистор: N-JFET; полевой; 14мА; 0,15Вт; SC59; Igt: 10мА" 1.

0.0
2SK209-GR
Вид упаковкибобина, лента КорпусSC59 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-50В Обозначение производителя2SK209-GR(TE85L,F)
‍89‍ 
Доступность: 533 шт.
+

Минимальное количество для товара "2SK209-GR(TE85L,F), Транзистор: N-JFET; полевой; 6,5мА; 0,15Вт; SC59; Igt: 10мА" 1.

0.0
2SK3018-TP
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT323 МонтажSMD
‍61‍ 
Доступность: 1069 шт.
+

Минимальное количество для товара "2SK3018-TP, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 0,1А; 0,2Вт; SOT323; ESD" 1.

0.0
2SK3019-TP
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT523 МонтажSMD
‍46‍ 
Доступность: 2275 шт.
+

Минимальное количество для товара "2SK3019-TP, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD" 1.

0.0
2SK3065T100
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC62 МонтажSMD
‍121‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "2SK3065T100, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2А; Idm: 8А; 0,5Вт; SC62; ESD" 1.

0.0
2SK3075-TE12L.Q
Вид каналаобедненный Вид транзистораRF Вид упаковкибобина Выходная мощность7,5Вт КорпусTO271AA
2 275 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "2SK3075(TE12L,Q), Транзистор: N-MOSFET; полевой; RF; 30В; 5А; 20Вт; TO271AA; SMT; 50%" 1.

0.0
2SK3475
Вид каналаобедненный Вид транзистораRF Вид упаковкибобина, лента Выходная мощность630мВт КорпусSOT89
‍340‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "2SK3475(TE12L,F), Транзистор: N-MOSFET; полевой; RF; 20В; 1А; 3Вт; SOT89; Pвых: 630мВт" 1.

0.0
2SK3564
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора17нC КорпусTO220FP МонтажTHT
‍209‍ 
Доступность: 78 шт.
+

Минимальное количество для товара "2SK3564(STA4,Q,M), Транзистор: N-MOSFET; полевой; 900В; 3А; 40Вт; TO220FP" 3.

0.0
2SK3565
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора28нC КорпусTO220FP МонтажTHT
‍346‍ 
Доступность: 19 шт.
+

Минимальное количество для товара "2SK3565(STA4,Q,M), Транзистор: N-MOSFET; полевой; 900В; 5А; 45Вт; TO220FP" 1.

0.0
2SK3566
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора12нC КорпусTO220FP
‍216‍ 
Доступность: 81 шт.
+

Минимальное количество для товара "2SK3566(STA4,Q,M), Транзистор: N-MOSFET; полевой; 900В; 2,5А; 40Вт; TO220FP; ESD" 1.

0.0
2SK3799
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора60нC КорпусTO220FP
‍470‍ 
Доступность: 108 шт.
+

Минимальное количество для товара "2SK3799(Q,M), Транзистор: N-MOSFET; полевой; 900В; 8А; 50Вт; TO220FP; ESD" 1.

0.0
2SK4013
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора45нC КорпусTO220FP МонтажTHT
‍336‍ 
Доступность: 282 шт.
+

Минимальное количество для товара "2SK4013, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 6А; 45Вт; TO220FP" 1.

0.0
2SK932-23-TB-E
Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-15В Напряжение сток-исток15В
‍88‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "2SK932-23-TB-E, Транзистор: N-JFET; полевой; 15В; 10мА; 0,2Вт; SOT23; Igt: 10мА" 1.

0.0
2SK932-24-TB-E
Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-15В Напряжение сток-исток15В
‍136‍ 
Доступность: 2950 шт.
+

Минимальное количество для товара "2SK932-24-TB-E, Транзистор: N-JFET; полевой; 15В; 14,5мА; 0,2Вт; SOT23; Igt: 10мА" 1.

0.0
2SP0115T2A0-06
Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток8...15А Класс напряжения600В Обозначение производителя2SP0115T2A0-06 ПроизводительPOWER INTEGRATIONS
20 365 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "2SP0115T2A0-06, Module: gate driver board; IGBT half-bridge; SCALE™-2; 600V" 1.

0.0
2SP0115T2A0-12
Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток8...15А Класс напряжения1,2кВ Обозначение производителя2SP0115T2A0-12 ПроизводительPOWER INTEGRATIONS
20 365 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "2SP0115T2A0-12, Module: gate driver board; IGBT half-bridge; SCALE™-2; 1.2kV" 1.

0.0
2SP0115T2A0-17
Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток8...15А Класс напряжения1,7кВ Обозначение производителя2SP0115T2A0-17 ПроизводительPOWER INTEGRATIONS
20 365 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "2SP0115T2A0-17, Module: gate driver board; IGBT half-bridge; SCALE™-2; 1.7kV" 1.

0.0
2SP0115T2B0-06
Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток8...15А Класс напряжения600В Обозначение производителя2SP0115T2B0-06 ПроизводительPOWER INTEGRATIONS
28 178 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "2SP0115T2B0-06, Module: gate driver board; IGBT half-bridge; SCALE™-2; 600V" 1.

0.0
2SP0115T2B0-12
Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток8...15А Класс напряжения1,2кВ Обозначение производителя2SP0115T2B0-12 ПроизводительPOWER INTEGRATIONS
22 542 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "2SP0115T2B0-12, Module: gate driver board; IGBT half-bridge; SCALE™-2; 1.2kV" 1.

0.0
2SP0115T2B0-17
Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток8...15А Класс напряжения1,7кВ Обозначение производителя2SP0115T2B0-17 ПроизводительPOWER INTEGRATIONS
22 542 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "2SP0115T2B0-17, Module: gate driver board; IGBT half-bridge; SCALE™-2; 1.7kV" 1.

0.0
2SP0115T2C0-12
Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток8...15А Класс напряжения1,2кВ Обозначение производителя2SP0115T2C0-12 ПроизводительPOWER INTEGRATIONS
22 542 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "2SP0115T2C0-12, Module: gate driver board; IGBT half-bridge; SCALE™-2; 1.2kV" 1.

0.0
2SP0115T2C0-17
Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток8...15А Класс напряжения1,7кВ Обозначение производителя2SP0115T2C0-17 ПроизводительPOWER INTEGRATIONS
22 231 
Доступность: 12 шт.
+

Минимальное количество для товара "2SP0115T2C0-17, Module: gate driver board; IGBT half-bridge; SCALE™-2; 1.7kV" 1.

0.0
2SP0320T2A0-12
Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток20А Класс напряжения1,2кВ Монтажвинтами Обозначение производителя2SP0320T2A0-12
41 353 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "2SP0320T2A0-12, Module: gate driver board; IGBT half-bridge; screw; SCALE™-2" 1.

0.0
2SP0320T2A0-17
Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток20А Класс напряжения1,7кВ Монтажвинтами Обозначение производителя2SP0320T2A0-17
41 353 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "2SP0320T2A0-17, Module: gate driver board; IGBT half-bridge; screw; SCALE™-2" 1.

0.0
2SP0320T2C0-12
Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток20А Класс напряжения1,2кВ Монтажвинтами Обозначение производителя2SP0320T2C0-12
41 353 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "2SP0320T2C0-12, Module: gate driver board; IGBT half-bridge; screw; SCALE™-2" 1.

0.0
2SP0320T2C0-17
Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток20А Класс напряжения1,7кВ Монтажвинтами Обозначение производителя2SP0320T2C0-17
41 353 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "2SP0320T2C0-17, Module: gate driver board; IGBT half-bridge; screw; SCALE™-2" 1.

0.0
2SP0320V2A0-12
Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток20А Класс напряжения1,2кВ Монтажвинтами Обозначение производителя2SP0320V2A0-12
54 413 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "2SP0320V2A0-12, Module: gate driver board; IGBT half-bridge; screw; SCALE™-2" 1.

0.0
2SP0320V2A0-17
Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток20А Класс напряжения1,7кВ Монтажвинтами Обозначение производителя2SP0320V2A0-17
54 413 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "2SP0320V2A0-17, Module: gate driver board; IGBT half-bridge; screw; SCALE™-2" 1.

0.0
2STD1665T4
Вид упаковкибобина, лента КорпусDPAK Коэффициент усиления по току30...350 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер65В
‍209‍ 
Доступность: 1435 шт.
+

Минимальное количество для товара "2STD1665T4, Транзистор: NPN; биполярный; 65В; 6А; 15Вт; DPAK" 1.

0.0
2STF1360-ST
Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89 Коэффициент усиления по току80...400 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер60В
‍98‍ 
Доступность: 2385 шт.
+

Минимальное количество для товара "2STF1360, Транзистор: NPN; биполярный; 60В; 3А; 1,4Вт; SOT89" 1.

0.0
2STF2360-ST
Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89 Коэффициент усиления по току160...400 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер60В
‍104‍ 
Доступность: 1968 шт.
+

Минимальное количество для товара "2STF2360, Транзистор: PNP; биполярный; 60В; 3А; 1,4Вт; SOT89" 1.

0.0
2STN1360-ST
Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 Коэффициент усиления по току80...400 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер60В
‍133‍ 
Доступность: 3978 шт.
+

Минимальное количество для товара "2STN1360, Транзистор: NPN; биполярный; 60В; 3А; 1,6Вт; SOT223" 1.

0.0
2STN1550
Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер50В Обозначение производителя2STN1550
‍92‍ 
Доступность: 768 шт.
+

Минимальное количество для товара "2STN1550, Транзистор: NPN; биполярный; 50В; 5А; 1,6Вт; SOT223" 1.

0.0
2STN2540
Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер40В Обозначение производителя2STN2540
‍151‍ 
Доступность: 420 шт.
+

Минимальное количество для товара "2STN2540, Транзистор: PNP; биполярный; 40В; 5А; 1,6Вт; SOT223" 1.

0.0
2STR2230
Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 Коэффициент усиления по току70...560 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер30В
‍94‍ 
Доступность: 2933 шт.
+

Минимальное количество для товара "2STR2230, Транзистор: PNP; биполярный; 30В; 1,5А; 500мВт; SOT23" 1.

0.0
2V7002KT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍37‍ 
Доступность: 2000 шт.
+

Минимальное количество для товара "2V7002KT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,3А; 0,35Вт; SOT23" 1.

0.0
2V7002LT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍55‍ 
Доступность: 3420 шт.
+

Минимальное количество для товара "2V7002LT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,115А; 0,225Вт; SOT23" 1.

0.0
2V7002WT1G
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,7нC КорпусSC70, SOT323
‍32‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "2V7002WT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,22А; Idm: 1,4А; 0,28Вт; ESD" 1.

0.0
30A02CH-TL-E
Вид упаковкибобина, лента КорпусCPH3 Коэффициент усиления по току200...500 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер30В
‍51‍ 
Доступность: 1167 шт.
+

Минимальное количество для товара "30A02CH-TL-E, Транзистор: PNP; биполярный; 30В; 0,7А; 0,7Вт; CPH3" 1.

0.0
30C02CH-TL-E
Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 Коэффициент усиления по току300...800 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер30В
‍22‍ 
Доступность: 7330 шт.
+

Минимальное количество для товара "30C02CH-TL-E, Транзистор: NPN; биполярный; 30В; 0,7А; 0,7Вт; SOT23" 5.

0.0
50A02MH-TL-E
Вид упаковкибобина, лента КорпусMCPH3 Коэффициент усиления по току200...500 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер50В
‍71‍ 
Доступность: 2970 шт.
+

Минимальное количество для товара "50A02MH-TL-E, Транзистор: PNP; биполярный; 50В; 0,5А; 0,6Вт; MCPH3" 1.

0.0
50C02CH-TL-E
Вид упаковкибобина, лента КорпусCPH3 Коэффициент усиления по току300...800 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер50В
‍76‍ 
Доступность: 257 шт.
+

Минимальное количество для товара "50C02CH-TL-E, Транзистор: NPN; биполярный; 50В; 0,5А; 0,7Вт; CPH3" 1.

0.0
55GN01CA-TB-E
Вид транзистораRF Вид упаковкибобина, лента КорпусSC59 Коэффициент усиления по току100...180 МонтажSMD
‍66‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "55GN01CA-TB-E, Транзистор: NPN; биполярный; RF; 10В; 0,07А; 0,2Вт; SC59" 1.

0.0
55GN01FA-TL-H
Вид транзистораRF Вид упаковкибобина, лента КорпусSC81 Коэффициент усиления по току100...160 МонтажSMD
‍99‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "55GN01FA-TL-H, Транзистор: NPN; биполярный; RF; 10В; 0,07А; 0,25Вт; SC81" 1.

0.0
5SJA2000L520301
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSTAKPAK Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SJA 2000L520301 Обратное напряжение макс.5,2кВ
1 428 321 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "5SJA 2000L520301, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 5,2кВ; Ic: 2кА; STAKPAK" 1.

0.0
5SJA3000L520300
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSTAKPAK Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SJA 3000L520300 Обратное напряжение макс.5,2кВ
2 079 324 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "5SJA 3000L520300, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 5,2кВ; Ic: 3кА; STAKPAK" 1.

0.0
5SMA3000L450300
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSTAKPAK Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SMA 3000L450300 Обратное напряжение макс.4,5кВ
1 245 652 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "5SMA 3000L450300, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 4,5кВ; Ic: 3кА; STAKPAK" 1.

0.0
5SNA0400J650100
Конструкция диодаобщий вход, общий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNA 0400J650100
365 340 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "5SNA 0400J650100, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход,общий эмиттер" 1.

0.0
5SNA0500J650300
Конструкция диодаобщий вход, общий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNA 0500J650300
394 489 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "5SNA 0500J650300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход,общий эмиттер" 1.

0.0
5SNA0600G650100
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNA 0600G650100
499 426 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "5SNA 0600G650100, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 600А" 1.

0.0
5SNA0650J450300
Конструкция диодаобщий вход, общий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNA 0650J450300
332 304 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "5SNA 0650J450300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход,общий эмиттер" 1.

0.0
5SNA0800J450300
Конструкция диодаобщий вход, общий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNA 0800J450300
357 565 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "5SNA 0800J450300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход,общий эмиттер" 1.

0.0
5SNA0800N330100
Конструкция диодаобщий вход, общий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNA 0800N330100
299 267 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "5SNA 0800N330100, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход,общий эмиттер" 1.

0.0
5SNA1000G650300
Конструкция диодаобщий вход, общий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNA 1000G650300
623 798 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "5SNA 1000G650300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход,общий эмиттер" 1.

0.0
5SNA1000N330300
Конструкция диодаобщий вход, общий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNA 1000N330300
301 211 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "5SNA 1000N330300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход,общий эмиттер" 1.

0.0
5SNA1200E330100
Конструкция диодаобщий вход, общий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNA 1200E330100
365 340 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "5SNA 1200E330100, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход,общий эмиттер" 1.

0.0
5SNA1200G330100
Конструкция диодаобщий вход, общий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNA 1200G330100
476 107 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "5SNA 1200G330100, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход,общий эмиттер" 1.

0.0
5SNA1200G450300
Конструкция диодаобщий вход, общий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNA 1200G450300
439 185 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "5SNA 1200G450300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход,общий эмиттер" 1.

0.0
5SNA1200G450350
Конструкция диодаобщий вход, общий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNA 1200G450350
466 390 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "5SNA 1200G450350, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход,общий эмиттер" 1.

0.0
5SNA1300K450300
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSTAKPAK Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNA 1300K450300 Обратное напряжение макс.4,5кВ
1 214 559 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "5SNA 1300K450300, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 4,5кВ; Ic: 1,3кА; SPT+" 1.

Показать еще 80 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (53)