Товары из категории транзисторы, стр.808

Производитель

Транзисторы — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, коммутации и управления электрическими сигналами и мощными нагрузками. Они являются основой современной электроники и применяются в источниках питания, усилителях, драйверах двигателей, преобразователях и цифровых схемах.

Транзисторы отличаются высокой надёжностью, стабильностью параметров и совместимостью с широким спектром схем.

Мы предлагаем качественные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте точное и эффективное управление — выбирайте профессиональные решения на 7-el.ru!

0.0
ZXMN2B01FTA
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
88.37 
Доступность: 2405 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMN2B01FTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2,1А; Idm: 11,8А; 0,625Вт; SOT23" 1.

0.0
ZXMN2F30FHQTA
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
79.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "ZXMN2F30FHQTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4,1А; 0,96Вт; SOT23" 1.

0.0
ZXMN2F30FHTA
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
62.79 
Доступность: 2898 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMN2F30FHTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4,1А; 0,96Вт; SOT23" 1.

0.0
ZXMN2F34FHTA
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
50.39 
Доступность: 738 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMN2F34FHTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2,9А; 0,95Вт; SOT23" 1.

0.0
ZXMN3A01FTA
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
72.87 
Доступность: 4665 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMN3A01FTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 1,6А; 0,806Вт; SOT23" 1.

0.0
ZXMN3A03E6TA
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT26 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
150.39 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "ZXMN3A03E6TA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,6А; 1,1Вт; SOT26" 1.

0.0
ZXMN3A14FQTA
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
93.02 
Доступность: 2748 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMN3A14FQTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,6А; 1Вт; SOT23" 1.

0.0
ZXMN3B01FTA
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
26.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "ZXMN3B01FTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 1,7А; Idm: 9,4А; 0,625Вт; SOT23" 3000.

0.0
ZXMN3B14FTA
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
91.47 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "ZXMN3B14FTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,9А; Idm: 16А; 1Вт; SOT23" 1.

0.0
ZXMN3F30FHTA
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
75.19 
Доступность: 745 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMN3F30FHTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 3,7А; 0,95Вт; SOT23" 1.

0.0
ZXMN4A06GTA
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
140.31 
Доступность: 384 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMN4A06GTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 5,6А; 2Вт; SOT223" 1.

0.0
ZXMN4A06KTC
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDPAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
195.35 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "ZXMN4A06KTC, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 10,9А; 4,2Вт; DPAK" 1.

0.0
ZXMN6A07FTA
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
83.72 
Доступность: 1284 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMN6A07FTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 1,1А; 0,806Вт; SOT23" 1.

0.0
ZXMN6A07ZTA
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
108.53 
Доступность: 659 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMN6A07ZTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2,1А; 1,5Вт; SOT89" 1.

0.0
ZXMN6A08E6QTA
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента МонтажSMD Обозначение производителяZXMN6A08E6QTA Полярностьполевой
162.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "ZXMN6A08E6QTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

0.0
ZXMN6A08GTA
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
115.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "ZXMN6A08GTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2,8А; 2Вт; SOT223" 1.

0.0
ZXMN6A09GTA
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
227.91 
Доступность: 94 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMN6A09GTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 6,2А; 2Вт; SOT223" 1.

0.0
ZXMN6A11DN8TA
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
183.72 
Доступность: 500 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMN6A11DN8TA, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 2,6А; 1,25Вт; SO8" 1.

0.0
ZXMN6A25KTC
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDPAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
110.08 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "ZXMN6A25KTC, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 9А; 4,25Вт; DPAK" 1.

0.0
ZXMN7A11GTA
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
168.22 
Доступность: 296 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMN7A11GTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 70В; 3А; 2Вт; SOT223" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж