Товары из категории транзисторы, стр.95

Производитель

Транзисторы — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, коммутации и управления электрическими сигналами и мощными нагрузками. Они являются основой современной электроники и применяются в источниках питания, усилителях, драйверах двигателей, преобразователях и цифровых схемах.

Транзисторы отличаются высокой надёжностью, стабильностью параметров и совместимостью с широким спектром схем.

Мы предлагаем качественные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте точное и эффективное управление — выбирайте профессиональные решения на 7-el.ru!

0.0
C2M1000170J
Вид каналаобогащенный Время готовности20нс Заряд затвора13нC КорпусD2PAK-7 МонтажSMD
1 283.20 
Доступность: 4 шт.
 

Минимальное количество для товара "C2M1000170J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 5,3А; 78Вт; D2PAK-7; 20нс" 1.

0.0
C3M0015065K
Вид каналаобогащенный Заряд затвора188нC КорпусTO247-4 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-8...19В
8 400.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "C3M0015065K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 96А; Idm: 418А; 416Вт" 1.

0.0
C3M0016120K
Вид каналаобогащенный Заряд затвора211нC КорпусTO247-4 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-8...19В
15 289.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "C3M0016120K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 556Вт" 1.

0.0
C3M0030090K
Вид каналаобогащенный Время готовности62нс Заряд затвора87нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
8 160.00 
Доступность: 30 шт.
 

Минимальное количество для товара "C3M0030090K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 900В; 40А; 149Вт; TO247-4; 62нс" 1.

0.0
C3M0040120D
Вид каналаобогащенный Время готовности75нс Заряд затвора101нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
2 816.00 
Доступность: 12 шт.
 

Минимальное количество для товара "C3M0040120D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 48А; Idm: 223А; 326Вт" 1.

0.0
C3M0040120K
Вид каналаобогащенный Время готовности30нс Заряд затвора99нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
3 430.40 
Доступность: 30 шт.
 

Минимальное количество для товара "C3M0040120K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 48А; Idm: 223А; 326Вт" 1.

0.0
C3M0060065D
Вид каналаобогащенный Заряд затвора46нC КорпусTO247-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-8...19В
2 352.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "C3M0060065D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 27А; Idm: 99А; 150Вт" 1.

0.0
C3M0060065J
Вид каналаобогащенный Заряд затвора46нC КорпусD2PAK-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-8...19В
2 720.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "C3M0060065J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 26А; Idm: 99А; 136Вт" 1.

0.0
C3M0060065K
Вид каналаобогащенный Заряд затвора46нC КорпусTO247-4 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-8...19В
2 512.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "C3M0060065K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 27А; Idm: 99А; 150Вт" 1.

0.0
C3M0065090D
Вид каналаобогащенный Время готовности30нс Заряд затвора30,4нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
3 112.00 
Доступность: 54 шт.
 

Минимальное количество для товара "C3M0065090D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 900В; 36А; 125Вт; TO247-3; 30нс" 1.

0.0
C3M0065090J
Вид каналаобогащенный Время готовности16нс Заряд затвора30,4нC КорпусD2PAK-7 МонтажSMD
2 352.00 
Доступность: 52 шт.
 

Минимальное количество для товара "C3M0065090J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 900В; 35А; 113Вт; D2PAK-7; 16нс" 1.

0.0
C3M0065100J
Вид каналаобогащенный Время готовности14нс Заряд затвора9нC КорпусD2PAK-7 МонтажSMD
2 368.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "C3M0065100J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1кВ; 35А; 113,5Вт; D2PAK-7; 14нс" 1.

0.0
C3M0075120D
Вид каналаобогащенный Заряд затвора54нC КорпусTO247-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-8...19В
3 320.00 
Доступность: 38 шт.
 

Минимальное количество для товара "C3M0075120D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 19,7А; Idm: 80А; 113,6Вт" 1.

0.0
C3M0075120J
Вид каналаобогащенный Время готовности18нс Заряд затвора14нC КорпусD2PAK-7 МонтажSMD
2 798.40 
Доступность: 48 шт.
 

Минимальное количество для товара "C3M0075120J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 30А; 113,6Вт; D2PAK-7" 1.

0.0
C3M0075120K
Вид каналаобогащенный Время готовности18нс Заряд затвора14нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
3 537.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "C3M0075120K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 30А; 113,6Вт; TO247-4" 1.

0.0
C3M0120090D
Вид каналаобогащенный Время готовности24нс Заряд затвора17,3нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
1 568.00 
Доступность: 64 шт.
 

Минимальное количество для товара "C3M0120090D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 900В; 23А; 97Вт; TO247-3; 24нс" 1.

0.0
C3M0120090J
Вид каналаобогащенный Время готовности24нс Заряд затвора17,3нC КорпусD2PAK-7 МонтажSMD
1 968.00 
Доступность: 136 шт.
 

Минимальное количество для товара "C3M0120090J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 900В; 22А; 83Вт; D2PAK-7; 24нс" 1.

0.0
C3M0120100J
Вид каналаобогащенный Время готовности16нс Заряд затвора21,5нC КорпусD2PAK-7 МонтажSMD
1 744.00 
Доступность: 24 шт.
 

Минимальное количество для товара "C3M0120100J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1кВ; 22А; 83Вт; D2PAK-7; 16нс" 1.

0.0
C3M0120100K
Вид каналаобогащенный Время готовности16нс Заряд затвора21,5нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
1 888.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "C3M0120100K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1кВ; 13,5А; 83Вт; TO247-4; 16нс" 1.

0.0
C3M0160120D
Вид каналаобогащенный Заряд затвора38нC КорпусTO247-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-8...19В
1 366.40 
Доступность: 431 шт.
 

Минимальное количество для товара "C3M0160120D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 12А; Idm: 34А; 97Вт" 1.

0.0
C3M0160120J
Вид каналаобогащенный Заряд затвора24нC КорпусD2PAK-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-8...19В
1 499.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "C3M0160120J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 12А; Idm: 34А; 90Вт" 1.

0.0
C3M0280090J
Вид каналаобогащенный Время готовности20нс Заряд затвора9,5нC КорпусD2PAK-7 МонтажSMD
1 169.60 
Доступность: 3 шт.
 

Минимальное количество для товара "C3M0280090J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 900В; 11А; 50Вт; D2PAK-7; 20нс" 1.

0.0
C3M0350120D
Вид каналаобогащенный Заряд затвора19нC КорпусTO247-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-8...19В
1 185.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "C3M0350120D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 5,5А; Idm: 20А; 50Вт" 1.

0.0
C3M0350120J
Вид каналаобогащенный Заряд затвора13нC КорпусD2PAK-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-8...19В
1 390.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "C3M0350120J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 5А; Idm: 20А; 40,8Вт" 1.

0.0
CAS120M12BM2
Конструкция диодатранзистор/транзистор Корпус62MM Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток-5...20В Напряжение сток-исток1,2кВ
111 040.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CAS120M12BM2, Модуль; транзистор/транзистор; 1,2кВ; 138А; 62MM; винтами; 925Вт" 1.

0.0
CAS300M12BM2
Конструкция диодатранзистор/транзистор Корпус62MM Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток-5...20В Напряжение сток-исток1,2кВ
182 400.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CAS300M12BM2, Модуль; транзистор/транзистор; 1,2кВ; 285А; 62MM; винтами; 1,66кВт" 1.

0.0
CAS310M17BM3
Конструкция диодатранзистор/транзистор Корпус62MM Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток-8...19В Напряжение сток-исток1,7кВ
204 800.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CAS310M17BM3, Модуль; транзистор/транзистор; 1,7кВ; 310А; 62MM; винтами; 1,63кВт" 1.

0.0
CDN1308EDL-CDI
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,4нC КорпусSOT323
8.00 
Доступность: 6050 шт.
 

Минимальное количество для товара "CDN1308EDL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 1,1А; Idm: 6А; 0,3Вт; SOT323; ESD" 25.

0.0
CEN-U07-CEN
Вид упаковкироссыпью КорпусTO202-3 Коэффициент усиления по току80 МонтажTHT Напряжение коллектор-эмиттер100В
702.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CEN-U07 PBFREE, Транзистор: NPN; биполярный; 100В; 2А; 1,75Вт; TO202-3" 1.

0.0
CEN-U57-CEN
Вид упаковкироссыпью КорпусTO202-3 Коэффициент усиления по току20...80 МонтажTHT Напряжение коллектор-эмиттер100В
702.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CEN-U57 PBFREE, Транзистор: PNP; биполярный; 100В; 2А; 1,75Вт; TO202-3" 1.

0.0
CET3904ETR-CEN
Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT883L, X2-DFN1006-3 Коэффициент усиления по току100...300 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер40В
90.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CET3904E TR PBFREE, Транзистор: NPN; биполярный; 40В; 0,2А; 0,25Вт" 1.

0.0
CMBT5401W-CDI
Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT323 Коэффициент усиления по току50...240 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер150В
4.00 
Доступность: 7843 шт.
 

Минимальное количество для товара "CMBT5401W, Транзистор: PNP; биполярный; 150В; 0,6А; 0,2Вт; SOT323" 20.

0.0
CMLT3820GTR-CEN
Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 Коэффициент усиления по току100...200 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер60В
100.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CMLT3820G TR PBFREE, Транзистор: NPN; биполярный; 60В; 1А; 250Вт; SOT563" 1.

0.0
CMLT7820GTR-CEN
Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 Коэффициент усиления по току100...200 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер60В
130.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CMLT7820G TR PBFREE, Транзистор: PNP; биполярный; 60В; 1А; 0,25Вт; SOT563" 1.

0.0
CMPT2907ATR-CEN
Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 Коэффициент усиления по току50...300 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер60В
74.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CMPT2907A TR PBFREE, Транзистор: PNP; биполярный; 60В; 0,6А; 0,225Вт; SOT23" 1.

0.0
CMPT3904GTR-CEN
Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 Коэффициент усиления по току30...350 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер40В
132.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CMPT3904G TR PBFREE, Транзистор: NPN; биполярный; 40В; 0,2А; 0,35Вт; SOT23" 1.

0.0
CMPT4401TR-CEN
Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 Коэффициент усиления по току20...300 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер40В
108.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CMPT4401 TR PBFREE, Транзистор: NPN; биполярный; 40В; 0,6А; 0,225Вт; SOT23" 1.

0.0
CMPT5088TR-CEN
Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 Коэффициент усиления по току300...900 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер30В
104.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CMPT5088 TR PBFREE, Транзистор: NPN; биполярный; 30В; 50мА; 0,35Вт; SOT23" 1.

0.0
CMPT5551TR-CEN
Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 Коэффициент усиления по току30...250 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер160В
107.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CMPT5551 TR PBFREE, Транзистор: NPN; биполярный; 160В; 0,6А; 0,35Вт; SOT23" 1.

0.0
CMPT6517TR-CEN
Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 Коэффициент усиления по току15...200 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер350В
58.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CMPT6517 TR PBFREE, Транзистор: NPN; биполярный; 350В; 0,5А; 0,35Вт; SOT23" 1.

Показать еще 40 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (44)
Хиты продаж