Москва
Валюты:
₽
₽ $
 
+7(993)080-09-37
0Корзина

INFINEON TECHNOLOGIES

Сортировать по:
От А до Я
Показать:
20
BFR193WH6327XTSA1, Транзистор: NPN; биполярный; RF; 20В; 80мА; 0,58Вт; SOT323
0.0
BFR193WH6327
Вид транзистораRF Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT323 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер20В
66.40 ₽
Доступность: 1894 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "BFR193WH6327XTSA1, Транзистор: NPN; биполярный; RF; 20В; 80мА; 0,58Вт; SOT323" 1.

BFR360FH6327XTSA1, Транзистор: NPN; биполярный; RF; 6В; 35мА; 0,21Вт; TSFP-3
0.0
BFR360FH6327XTSA1
Вид транзистораRF Вид упаковкибобина, лента КорпусTSFP-3 Коэффициент усиления по току90...160 МонтажSMD
57.71 ₽
Доступность: 2826 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "BFR360FH6327XTSA1, Транзистор: NPN; биполярный; RF; 6В; 35мА; 0,21Вт; TSFP-3" 1.

BFR380FH6327, Транзистор: NPN; биполярный; RF; 15В; 80мА; 0,38Вт; TSFP-3
0.0
BFR380FH6327
Вид транзистораRF Вид упаковкибобина, лента КорпусTSFP-3 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер15В
64.03 ₽
Доступность: 5593 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "BFR380FH6327, Транзистор: NPN; биполярный; RF; 15В; 80мА; 0,38Вт; TSFP-3" 1.

BFR380L3E6327, Транзистор: NPN; биполярный; RF; 15В; 80мА; 0,38Вт; TSLP-3-1
0.0
BFR380L3E6327
Вид транзистораRF Вид упаковкибобина, лента КорпусTSLP-3-1 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер15В
9.49 ₽
Доступность: 11862 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "BFR380L3E6327, Транзистор: NPN; биполярный; RF; 15В; 80мА; 0,38Вт; TSLP-3-1" 1.

BFR92PE6327, Транзистор: NPN; биполярный; RF; 15В; 45мА; 0,28Вт; SOT23
0.0
BFR92PE6327
Вид транзистораRF Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер15В
33.20 ₽
Доступность: 885 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "BFR92PE6327, Транзистор: NPN; биполярный; RF; 15В; 45мА; 0,28Вт; SOT23" 1.

BFR93AE6327, Транзистор: NPN; биполярный; RF; 20В; 90мА; 0,3Вт; SOT23
0.0
BFR93AE6327
Вид транзистораRF Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер20В
52.17 ₽
Доступность: 174 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "BFR93AE6327, Транзистор: NPN; биполярный; RF; 20В; 90мА; 0,3Вт; SOT23" 1.

BFR93AWH6327, Транзистор: NPN; биполярный; RF; 20В; 90мА; 0,3Вт; SOT323
0.0
BFR93AWH6327
Вид транзистораRF Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT323 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер20В
21.34 ₽
Доступность: 12551 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "BFR93AWH6327, Транзистор: NPN; биполярный; RF; 20В; 90мА; 0,3Вт; SOT323" 1.

BFS481H6327XTSA1, Транзистор: NPN x2; биполярный; RF; 12В; 20мА; 0,175Вт; SOT363
0.0
BFS481H6327XTSA1
Вид транзистораRF Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT363 Коэффициент усиления по току70...140 МонтажSMD
98.02 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "BFS481H6327XTSA1, Транзистор: NPN x2; биполярный; RF; 12В; 20мА; 0,175Вт; SOT363" 1.

BFS483H6327XTSA1, Транзистор: NPN x2; биполярный; RF; 12В; 65мА; 0,45Вт; SOT363
0.0
BFS483H6327
Вид транзистораRF Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT363 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер12В
88.54 ₽
Доступность: 2721 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "BFS483H6327XTSA1, Транзистор: NPN x2; биполярный; RF; 12В; 65мА; 0,45Вт; SOT363" 1.

BGA524N6E6327XTSA1, IC: усилитель РЧ; 1550÷1615МГц; Ch: 1; 1,5÷3,3В; TSNP6; 0,55дБ
0.0
BGA524N6E6327XTSA1
Вид упаковкибобина, лента Кол-во каналов1 КорпусTSNP6 Коэффициент шумов0,55дБ МонтажSMT
94.07 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "BGA524N6E6327XTSA1, IC: усилитель РЧ; 1550÷1615МГц; Ch: 1; 1,5÷3,3В; TSNP6; 0,55дБ" 1.

BGS14MPA9E6327XTSA1, IC: RF switch; SP4T; Ch: 4; MIPI; ATSLP-9-3; 1,65÷1,95ВDC; 0,05÷6ГГц
0.0
BGS14MPA9E6327
ИнтерфейсMIPI Кол-во каналов4 Конфигурация выходаSP4T КорпусATSLP-9-3 МонтажSMD
144.66 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "BGS14MPA9E6327XTSA1, IC: RF switch; SP4T; Ch: 4; MIPI; ATSLP-9-3; 1,65÷1,95ВDC; 0,05÷6ГГц" 1.

BGSX22G2A10E6327XTSA1, IC: RF switch; DPDT; Ch: 2; ATSLP-10-2; 1,65÷3,4ВDC; 0,1÷6ГГц
0.0
BGSX22G2A10
Кол-во каналов2 Конфигурация выходаDPDT КорпусATSLP-10-2 МонтажSMD Обозначение производителяBGSX22G2A10E6327XTSA1
129.64 ₽
Доступность: 61 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "BGSX22G2A10E6327XTSA1, IC: RF switch; DPDT; Ch: 2; ATSLP-10-2; 1,65÷3,4ВDC; 0,1÷6ГГц" 1.

BGSX22G5A10E6327XTSA1, IC: RF switch; DPDT; Ch: 2; ATSLP-10-5; 1,65÷3,4ВDC; 0,1÷6ГГц
0.0
BGSX22G5A10
Кол-во каналов2 Конфигурация выходаDPDT КорпусATSLP-10-5 МонтажSMD Обозначение производителяBGSX22G5A10E6327XTSA1
109.09 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "BGSX22G5A10E6327XTSA1, IC: RF switch; DPDT; Ch: 2; ATSLP-10-5; 1,65÷3,4ВDC; 0,1÷6ГГц" 1.

BGT24MTR12E6327XUMA1, IC: интерфейс; MMIC,трансивер RF; SPI; VQFN32; -40÷105°C; NF: 12дБ
0.0
BGT24MTR12
Вид микросхемыMMIC, трансивер RF Вид упаковкибобина, лента ИнтерфейсSPI Количество передатчиков1 Количество приемников2
1 351.78 ₽
Доступность: 475 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "BGT24MTR12E6327XUMA1, IC: интерфейс; MMIC,трансивер RF; SPI; VQFN32; -40÷105°C; NF: 12дБ" 1.

BGX50AE6327, Диод: импульсный; SMD; 50В; 0,14А; SOT143; 210мВт; бобина,лента
0.0
BGX50AE6327
Вид упаковкибобина, лента Конструкция диодадиодный мост МонтажSMD Обозначение производителяBGX50AE6327 Обратное напряжение макс.50В
22.92 ₽
Доступность: 701 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "BGX50AE6327, Диод: импульсный; SMD; 50В; 0,14А; SOT143; 210мВт; бобина,лента" 10.

BSC014N06NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 156Вт; PG-TDSON-8
0.0
BSC014N06NS
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
461.66 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "BSC014N06NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 156Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC016N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; 125Вт; PG-TDSON-8
0.0
BSC016N03LSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
245.06 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "BSC016N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; 125Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC018N04LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 125Вт; PG-TDSON-8
0.0
BSC018N04LSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
189.72 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "BSC018N04LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 125Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC025N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; 83Вт; PG-TDSON-8
0.0
BSC025N03LSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
205.53 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "BSC025N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; 83Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC028N06NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 83Вт; PG-TDSON-8
0.0
BSC028N06NSATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
328.85 ₽
Доступность: 2096 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "BSC028N06NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 83Вт; PG-TDSON-8" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Срок поставки