Москва
 
+7 (499) 550-50-61
 

INFINEON TECHNOLOGIES

Сортировать по:
От А до Я
Показать:
24
FF200R12KE4PHOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ
FF200R12KE4P
0.0
Нет в наличии
26 45455 ₽
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-62MM-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFF200R12KE4PHOSA1
FF200R12KT3EHOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2
FF200R12KT3E
0.0
Нет в наличии
27 07955 ₽
Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусAG-62MM-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFF200R12KT3EHOSA1
FF200R12KT4HOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ
FF200R12KT4
0.0
Доступность: 4 шт.
26 24621 ₽
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-62MM-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFF200R12KT4HOSA1
FF200R17KE4HOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ
FF200R17KE4
0.0
Доступность: 4 шт.
44 78409 ₽
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-62MM-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFF200R17KE4HOSA1
FF300R06KE3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В
FF300R06KE3
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-62MM-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFF300R06KE3
FF300R12KE3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ
FF300R12KE3
0.0
Нет в наличии
39 57765 ₽
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-62MM-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFF300R12KE3
FF300R12KS4, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ
FF300R12KS4
0.0
Нет в наличии
45 61742 ₽
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-62MM-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFF300R12KS4
FF300R12KT3EHOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2
FF300R12KT3E
0.0
Нет в наличии
44 16004 ₽
Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусAG-62MM-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFF300R12KT3EHOSA1
FF300R12KT4HOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ
FF300R12KT4
0.0
Нет в наличии
28 53693 ₽
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-62MM-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFF300R12KT4HOSA1
FF300R17ME4BOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ
FF300R17ME4
0.0
Нет в наличии
45 61742 ₽
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-ECONOD-3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFF300R17ME4BOSA1
FF450R06ME3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В
FF450R06ME3
0.0
Нет в наличии
50 40814 ₽
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-ECONOD-3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFF450R06ME3
FF450R12KE4HOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ
FF450R12KE4HOSA1
0.0
Нет в наличии
61 03125 ₽
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-62MM Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFF450R12KE4HOSA1
FF450R12KT4HOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ
FF450R12KT4HOSA1
0.0
Нет в наличии
45 40814 ₽
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-62MM Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFF450R12KT4HOSA1
FF450R33T3E3B5BPSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 3,3кВ
FF450R33T3E3B5BPSA
0.0
Нет в наличии
460 34186 ₽
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-XHP100-6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFF450R33T3E3B5BPSA1
FF45MR12W1M1B11BOMA1, Модуль; транзистор/транзистор; 1,2кВ; 25А; AG-EASY1BM-2; Idm: 50А
FF45MR12W1M1B11
0.0
Доступность: 1 шт.
18 16383 ₽
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-EASY1BM-2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток-10...20В Напряжение сток-исток1,2кВ
FF500R17KE4BOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ
FF500R17KE4
0.0
Нет в наличии
63 73958 ₽
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-62MM-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFF500R17KE4BOSA1
FF900R12IE4, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ
FF900R12IE4
0.0
Нет в наличии
147 47538 ₽
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-PRIME2-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFF900R12IE4
FF900R12ME7B11BOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ
FF900R12ME7B11
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-ECONOD-5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFF900R12ME7B11BOSA1
FM24C64B-GTR, IC: память FRAM; 64кбFRAM; I2C; 8Кx8бит; 4,5÷5,5ВDC; 1МГц; SOIC8
FM24C64B-GTR
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид памятиFRAM Вид упаковкибобина, лента ИнтерфейсI2C КорпусSOIC8 МонтажSMD
FM24CL16B-DG, IC: память FRAM; 16кбFRAM; I2C; 2Кx8бит; 2,7÷3,65ВDC; 1МГц; DFN8
FM24CL16B-DG
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид памятиFRAM ИнтерфейсI2C КорпусDFN8 МонтажSMD Обозначение производителяFM24CL16B-DG
FM24CL16B-DGTR, IC: память FRAM; 16кбFRAM; I2C; 2Кx8бит; 2,7÷3,65ВDC; 1МГц; DFN8
FM24CL16B-DGTR
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид памятиFRAM Вид упаковкибобина, лента ИнтерфейсI2C КорпусDFN8 МонтажSMD
FM24CL64B-DGTR, IC: память FRAM; 64кбFRAM; I2C; 8Кx8бит; 2,7÷3,6ВDC; 1МГц; DFN8
FM24CL64B-DGTR
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид памятиFRAM Вид упаковкибобина, лента ИнтерфейсI2C КорпусDFN8 МонтажSMD
FM25CL64B-DGTR, IC: память FRAM; 64кбFRAM; SPI; 8Кx8бит; 2,7÷3,65ВDC; 20МГц; DFN8
FM25CL64B-DGTR
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид памятиFRAM Вид упаковкибобина, лента ИнтерфейсSPI КорпусDFN8 МонтажSMD
FM25L04B-DGTR, IC: память FRAM; 4кбFRAM; SPI; 512x8бит; 2,7÷3,6ВDC; 20МГц; DFN8
FM25L04B-DGTR
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид памятиFRAM Вид упаковкибобина, лента ИнтерфейсSPI КорпусDFN8 МонтажSMD
Показать еще 24 товара