Москва
 
+7 (499) 550-50-61
0Корзина

FF200R12KT3EHOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2

Написать отзыв
FF200R12KT3E
27 07955 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
3+
10+
Цена
23 955.49 ₽
21 663.83 ₽
Доступность: Предзаказ
+ −

Минимальное количество для товара "FF200R12KT3EHOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2" 1.

Отложить Сравнить
Артикул производителя
FF200R12KT3EHOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Конструкция диода
общий эмиттер, транзистор/транзистор
Корпус
AG-62MM-1
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Обозначение производителя
FF200R12KT3EHOSA1
Обратное напряжение макс.
1,2кВ
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Рассеиваемая мощность
1,05кВт
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
200А
Ток коллектора в импульсе
400А
Топология
IGBT x2
Электрический монтаж
винтами, коннекторы FASTON

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены