Москва
 
+7 (499) 550-50-61
 

INFINEON TECHNOLOGIES

Сортировать по:
От А до Я
Показать:
24
IPAN80R360P7XKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 8,6А; 30Вт; TO220FP; ESD
IPAN80R360P7
0.0
Нет в наличии
37216 ₽
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора30нC КорпусTO220FP
IPB009N03LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 180А; 250Вт; PG-TO263-7
IPB009N03LGATMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
IPB010N06NATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 180А; 300Вт; PG-TO263-7
IPB010N06NATMA1
0.0
Нет в наличии
1 57860 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
IPB011N04LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 180А; 250Вт; PG-TO263-7
IPB011N04LGATMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
IPB011N04NGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 180А; 250Вт; PG-TO263-7
IPB011N04NGATMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
IPB014N06NATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 180А; 214Вт; PG-TO263-7
IPB014N06NATMA1
0.0
Нет в наличии
71591 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
IPB015N04LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 120А; 250Вт; PG-TO263-3
IPB015N04LG
0.0
Нет в наличии
60417 ₽
Вид каналаобогащенный Заряд затвора260нC КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
IPB015N04NGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 120А; 250Вт; PG-TO263-3
IPB015N04NGATMA1
0.0
Нет в наличии
75379 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
IPB015N08N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 180А; 375Вт; PG-TO263-7
IPB015N08N5ATMA1
0.0
Нет в наличии
1 18087 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
IPB016N06L3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 180А; 250Вт; PG-TO263-7
IPB016N06L3GATMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
IPB017N06N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 180А; 250Вт; PG-TO263-7
IPB017N06N3GATMA1
0.0
Нет в наличии
64678 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
IPB017N08N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3
IPB017N08N5ATMA1
0.0
Нет в наличии
1 12973 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
IPB017N10N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 180А; 375Вт; PG-TO263-7
IPB017N10N5ATMA1
0.0
Нет в наличии
1 75758 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
IPB019N06L3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 120А; 250Вт; PG-TO263-3
IPB019N06L3GATMA1
0.0
Доступность: 21 шт.
38826 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
IPB019N08N3G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 180А; 300Вт; PG-TO263-7
IPB019N08N3G
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
IPB020N04NGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 140А; 167Вт; PG-TO263-7
IPB020N04NGATMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
IPB020N10N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3
IPB020N10N5ATMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
IPB020N10N5LF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 120А; 313Вт; PG-TO263-3
IPB020N10N5LF
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
IPB024N08N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3
IPB024N08N5ATMA1
0.0
Нет в наличии
73580 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
IPB025N08N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 120А; 300Вт; PG-TO263-3
IPB025N08N3GATMA1
0.0
Нет в наличии
1 15341 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
IPB025N10N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 180А; 300Вт; PG-TO263-7
IPB025N10N3GATMA1
0.0
Доступность: 440 шт.
98485 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
IPB026N06NATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 136Вт; PG-TO263-3
IPB026N06NATMA1
0.0
Нет в наличии
41193 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
IPB027N10N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 120А; 300Вт; PG-TO263-7
IPB027N10N3GATMA1
0.0
Нет в наличии
86742 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
IPB027N10N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 120А; 250Вт; PG-TO263-3
IPB027N10N5ATMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
Показать еще 24 товара