IPB027N10N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 120А; 300Вт; PG-TO263-7

IPB027N10N3GATMA1
86742 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
25+
Цена
809.66 ₽
751.89 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "IPB027N10N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 120А; 300Вт; PG-TO263-7" 1.

Артикул производителя
IPB027N10N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Корпус
PG-TO263-7
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
100В
Обозначение производителя
IPB027N10N3GATMA1
Полярность
полевой
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Рассеиваемая мощность
300Вт
Сопротивление в открытом состоянии
2,7мОм
Технология
OptiMOS™ 3
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
120А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены