microchip technology

APT12067JFLL, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 17А; ISOTOP; винтами; Idm: 68А

0.0

КОД:

APT12067JFLL

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусISOTOP Механический монтажвинтами

11 118.97 ₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "APT12067JFLL, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 17А; ISOTOP; винтами; Idm: 68А" 1.

APT12067LFLLG, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1,2кВ; 18А; Idm: 72А; 565Вт; TO264

0.0

КОД:

APT12067LFLLG

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора150нC КорпусTO264 МонтажTHT

7 887.46 ₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "APT12067LFLLG, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1,2кВ; 18А; Idm: 72А; 565Вт; TO264" 1.

APT12080JVFR, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 15А; ISOTOP; винтами; Idm: 60А

0.0

КОД:

APT12080JVFR

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусISOTOP Механический монтажвинтами

11 742.77 ₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "APT12080JVFR, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 15А; ISOTOP; винтами; Idm: 60А" 1.

APT12080LVRG, Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; полевой; 1,2кВ; 16А; 520Вт

0.0

КОД:

APT12080LVRG

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора485нC КорпусTO264 МонтажTHT

5 770.10 ₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "APT12080LVRG, Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; полевой; 1,2кВ; 16А; 520Вт" 1.

APT12M80B, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 8А; Idm: 45А; 335Вт; TO247-3

0.0

КОД:

APT12M80B

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора80нC КорпусTO247-3 МонтажTHT

1 254.02 ₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "APT12M80B, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 8А; Idm: 45А; 335Вт; TO247-3" 1.

APT13F120B, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1,2кВ; 9А; Idm: 50А; 625Вт; TO247-3

0.0

КОД:

APT13F120B

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора145нC КорпусTO247-3 МонтажTHT

2 469.45 ₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "APT13F120B, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1,2кВ; 9А; Idm: 50А; 625Вт; TO247-3" 1.

APT13F120S, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1,2кВ; 9А; Idm: 50А; 625Вт; D3PAK

0.0

КОД:

APT13F120S

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора145нC КорпусD3PAK МонтажSMD

3 524.12 ₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "APT13F120S, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1,2кВ; 9А; Idm: 50А; 625Вт; D3PAK" 1.

APT13GP120BDQ1G, Транзистор: IGBT; PT; 1,2кВ; 20А; 250Вт; TO247-3

0.0

КОД:

APT13GP120BDQ1G

Вид упаковкитуба Время включения21нс Время выключения270нс Заряд затвора55нC КорпусTO247-3

1 913.18 ₽

Доступность: 78 шт.

Минимальное количество для товара "APT13GP120BDQ1G, Транзистор: IGBT; PT; 1,2кВ; 20А; 250Вт; TO247-3" 1.

APT13GP120BG, Транзистор: IGBT; PT; 1,2кВ; 20А; 250Вт; TO247-3

0.0

КОД:

APT13GP120BG

Вид упаковкитуба Время включения21нс Время выключения270нс Заряд затвора55нC КорпусTO247-3

1 432.48 ₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "APT13GP120BG, Транзистор: IGBT; PT; 1,2кВ; 20А; 250Вт; TO247-3" 1.

APT14F100B, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 14А; 500Вт; TO247

0.0

КОД:

APT14F100B

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора0,12мкC КорпусTO247 МонтажTHT

1 307.07 ₽

Доступность: 8 шт.

Минимальное количество для товара "APT14F100B, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 14А; 500Вт; TO247" 1.

APT14F100S, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 9А; Idm: 56А; 500Вт; D3PAK

0.0

КОД:

APT14F100S

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора0,12мкC КорпусD3PAK МонтажSMD

2 061.09 ₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "APT14F100S, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 9А; Idm: 56А; 500Вт; D3PAK" 1.

APT14M100B, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 9А; Idm: 55А; 500Вт; TO247-3

0.0

КОД:

APT14M100B

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора0,12мкC КорпусTO247-3 МонтажTHT

1 757.23 ₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "APT14M100B, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 9А; Idm: 55А; 500Вт; TO247-3" 1.

APT14M100S, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 9А; Idm: 55А; 500Вт; D3PAK

0.0

КОД:

APT14M100S

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора0,12мкC КорпусD3PAK МонтажSMD

1 874.60 ₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "APT14M100S, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 9А; Idm: 55А; 500Вт; D3PAK" 1.

APT14M120B, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1,2кВ; 9А; Idm: 51А; 625Вт; TO247-3

0.0

КОД:

APT14M120B

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора145нC КорпусTO247-3 МонтажTHT

2 337.62 ₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "APT14M120B, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1,2кВ; 9А; Idm: 51А; 625Вт; TO247-3" 1.

APT14M120S, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1,2кВ; 9А; Idm: 51А; 625Вт; D3PAK

0.0

КОД:

APT14M120S

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора145нC КорпусD3PAK МонтажSMD

3 327.97 ₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "APT14M120S, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1,2кВ; 9А; Idm: 51А; 625Вт; D3PAK" 1.

APT150GN120J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 99А; SOT227B

0.0

КОД:

APT150GN120J

Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В

7 636.66 ₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "APT150GN120J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 99А; SOT227B" 1.

APT150GN120JDQ4, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 99А; SOT227B

0.0

КОД:

APT150GN120JDQ4

Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В

15 834.41 ₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "APT150GN120JDQ4, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 99А; SOT227B" 1.

APT150GN60B2G, Транзистор: IGBT; Field Stop; 600В; 123А; 536Вт; T-Max

0.0

КОД:

APT150GN60B2G

Вид упаковкитуба Время включения154нс Время выключения575нс Заряд затвора970нC КорпусT-Max

4 670.42 ₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "APT150GN60B2G, Транзистор: IGBT; Field Stop; 600В; 123А; 536Вт; T-Max" 1.

APT150GN60J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 123А; SOT227B

0.0

КОД:

APT150GN60J

Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В

7 536.98 ₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "APT150GN60J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 123А; SOT227B" 1.

APT150GN60JDQ4, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 123А; SOT227B

0.0

КОД:

APT150GN60JDQ4

Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В

9 086.82 ₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "APT150GN60JDQ4, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 123А; SOT227B" 1.