Москва
Валюты:
₽
₽ $
 
+7(993)080-09-37
0Корзина

ONSEMI

Сортировать по:
От А до Я
Показать:
20
DTC113EM3T5G, Транзистор: NPN; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 0,2Вт; SOT723; R1: 1кОм
0.0
DTC113EM3T5G
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT723 Коэффициент усиления по току3...5 МонтажSMD
30.04 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "DTC113EM3T5G, Транзистор: NPN; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 0,2Вт; SOT723; R1: 1кОм" 1.

DTC114EET1G, Транзистор: NPN; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 0,2/0,3Вт; SOT416
0.0
DTC114EET1G
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT416 Коэффициент усиления по току35...60 МонтажSMD
24.51 ₽
Доступность: 718 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "DTC114EET1G, Транзистор: NPN; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 0,2/0,3Вт; SOT416" 1.

DTC114TET1G, Транзистор: NPN; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 0,2Вт; SC75; 10кОм
0.0
DTC114TET1G
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSC75 Коэффициент усиления по току160...350 МонтажSMD
24.51 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "DTC114TET1G, Транзистор: NPN; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 0,2Вт; SC75; 10кОм" 5.

DTC114YET1G, Транзистор: NPN; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 0,2Вт; SC75; R1: 10кОм
0.0
DTC114YET1G
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSC75 Коэффициент усиления по току80...140 МонтажSMD
23.72 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "DTC114YET1G, Транзистор: NPN; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 0,2Вт; SC75; R1: 10кОм" 1.

DTC123JET1G, Транзистор: NPN; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 0,2Вт; SC75; R1: 2,2кОм
0.0
DTC123JET1G
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSC75 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер50В
27.67 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "DTC123JET1G, Транзистор: NPN; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 0,2Вт; SC75; R1: 2,2кОм" 1.

DTC123TET1G, Транзистор: NPN; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 0,2/0,3Вт; SOT416
0.0
DTC123TET1G
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT416 Коэффициент усиления по току160...350 МонтажSMD
18.97 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "DTC123TET1G, Транзистор: NPN; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 0,2/0,3Вт; SOT416" 1.

DTC124EET1G, Транзистор: NPN; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 0,2Вт; SC75; R1: 22кОм
0.0
DTC124EET1G
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSC75 Коэффициент усиления по току60...100 МонтажSMD
24.51 ₽
Доступность: 1800 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "DTC124EET1G, Транзистор: NPN; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 0,2Вт; SC75; R1: 22кОм" 1.

DTC124XET1G, Транзистор: NPN; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 0,2Вт; SC75; R1: 22кОм
0.0
DTC124XET1G
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSC75 Коэффициент усиления по току80...150 МонтажSMD
27.67 ₽
Доступность: 2455 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "DTC124XET1G, Транзистор: NPN; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 0,2Вт; SC75; R1: 22кОм" 1.

DTC143EET1G, Транзистор: NPN; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 0,2Вт; SC75; R1: 4,7кОм
0.0
DTC143EET1G
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSC75 Коэффициент усиления по току30 МонтажSMD
27.67 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "DTC143EET1G, Транзистор: NPN; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 0,2Вт; SC75; R1: 4,7кОм" 1.

DTC143ZET1G, Транзистор: NPN; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 0,2Вт; SC75; R1: 4,7кОм
0.0
DTC143ZET1G
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSC75 Коэффициент усиления по току80...200 МонтажSMD
15.02 ₽
Доступность: 4277 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "DTC143ZET1G, Транзистор: NPN; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 0,2Вт; SC75; R1: 4,7кОм" 1.

DTC144EET1G, Транзистор: NPN; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 0,2Вт; SC75; R1: 47кОм
0.0
DTC144EET1G
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSC75 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер50В
27.67 ₽
Доступность: 2814 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "DTC144EET1G, Транзистор: NPN; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 0,2Вт; SC75; R1: 47кОм" 1.

DVK-BASE-2-GEVK, Ср-во разработки: вычислительное; совместим с Arduino Shield
0.0
DVK-BASE-2-GEVK
Обозначение производителяDVK-BASE-2-GEVK ПроизводительONSEMI Тип средств разработкивычислительное Характерные особенности средств разработки и программаторовсовместим с Arduino Shield
40 284.58 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "DVK-BASE-2-GEVK, Ср-во разработки: вычислительное; совместим с Arduino Shield" 1.

ECH8657-TL-H, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 35В; 4,5А; Idm: 30А; 1,5Вт; ECH8
0.0
ECH8657-TL-H
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,6нC КорпусECH8
139.13 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "ECH8657-TL-H, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 35В; 4,5А; Idm: 30А; 1,5Вт; ECH8" 1.

ECH8690-TL-H, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 60/-60В
0.0
ECH8690-TL-H
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента КорпусECH8
235.57 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "ECH8690-TL-H, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 60/-60В" 1.

ECH8695R-TL-W, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 24В; 11А; Idm: 60А; 1,4Вт; ECH8
0.0
ECH8695R-TL-W
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC Конструкция диодаобщий сток
101.19 ₽
Доступность: 2062 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "ECH8695R-TL-W, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 24В; 11А; Idm: 60А; 1,4Вт; ECH8" 1.

EFC4612R-S-TR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 24В; 6А; Idm: 60А; 1,6Вт; WLCSP4
0.0
EFC4612R-S-TR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусWLCSP4 МонтажSMD
37.15 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "EFC4612R-S-TR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 24В; 6А; Idm: 60А; 1,6Вт; WLCSP4" 5.

EGF1A, Диод: выпрямительный; SMD; 50В; 1А; 50нс; SMA; бобина,лента
0.0
EGF1A-ONS
Вид упаковкибобина, лента Время готовности50нс Конструкция диодаодиночный диод КорпусSMA МонтажSMD
59.29 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "EGF1A, Диод: выпрямительный; SMD; 50В; 1А; 50нс; SMA; бобина,лента" 1.

EGF1B, Диод: выпрямительный; SMD; 100В; 1А; 50нс; SMA; бобина,лента
0.0
EGF1B-ONS
Вид упаковкибобина, лента Время готовности50нс Конструкция диодаодиночный диод КорпусSMA МонтажSMD
99.60 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "EGF1B, Диод: выпрямительный; SMD; 100В; 1А; 50нс; SMA; бобина,лента" 1.

EGF1C, Диод: выпрямительный; SMD; 150В; 1А; 50нс; SMA; бобина,лента
0.0
EGF1C-ONS
Вид упаковкибобина, лента Время готовности50нс Конструкция диодаодиночный диод КорпусSMA МонтажSMD
102.77 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "EGF1C, Диод: выпрямительный; SMD; 150В; 1А; 50нс; SMA; бобина,лента" 1.

EGF1D, Диод: выпрямительный; SMD; 200В; 1А; 50нс; SMA; Ufmax: 1В; Ifsm: 30А
0.0
EGF1D-ONS
Вид упаковкибобина, лента Время готовности50нс Емкость15пФ Импульсный ток30А Конструкция диодаодиночный диод
88.54 ₽
Доступность: 5463 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "EGF1D, Диод: выпрямительный; SMD; 200В; 1А; 50нс; SMA; Ufmax: 1В; Ifsm: 30А" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Внешние размеры
Срок поставки