Вид упаковки
бобина, лента
Входное напряжение смещения
4мВ
Диапазон напряжения питания
± 1,35...18В DC/2,7...36В DC
Кол-во каналов
2
Корпус
SO8
Монтаж
SMT
Обозначение производителя
NCS20072DR2G
Полоса передаваемых частот
3МГц
Производитель
ONSEMI
Рабочая температура
-40...125°C
Скорость нарастания напряжения
2,8В/мкс
Тип микросхемы
операционный усилитель
Характеристики интегральных схем
rail-to-rail output
Отзывы не найдены