SI1029X-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; дополнительная пара

SI1029X-T1-GE3
113.95 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
20+
50+
100+
500+
1000+
1500+
3000+
9000+
Цена
86.82 ₽
65.89 ₽
55.04 ₽
48.06 ₽
35.66 ₽
31.78 ₽
30.23 ₽
27.13 ₽
23.26 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SI1029X-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; дополнительная пара" 1.

Артикул производителя
SI1029X-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид транзистора
дополнительная пара
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
0,75/1,7нC
Корпус
SC89, SOT563
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
60/-60В
Обозначение производителя
SI1029X-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
0,13Вт
Сопротивление в открытом состоянии
3/8Ом
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Ток стока
0,22/-0,135А
Ток стока в импульсном режиме
0,65А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены