SI4532CDY-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30/-30В; 4,9/-3,4А

SI4532CDY-T1-GE3
14489 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
50+
100+
500+
1000+
2500+
Цена
97.54 ₽
84.28 ₽
67.23 ₽
53.03 ₽
48.30 ₽
45.45 ₽
Доступность: 1638 шт.

Срок поставки 6 недель

+

Минимальное количество для товара "SI4532CDY-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30/-30В; 4,9/-3,4А" 1.

Артикул производителя
SI4532CDY-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
9/12нC
Корпус
SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
30/-30В
Обозначение производителя
SI4532CDY-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
1,78Вт
Сопротивление в открытом состоянии
47/89мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Ток стока
4,9/-3,4А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены