SI4599DY-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40/-40В; 6,8/-5,8А

SI4599DY-T1-GE3
172.09 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
50+
100+
200+
500+
1000+
2500+
7500+
Цена
128.68 ₽
96.12 ₽
84.50 ₽
74.42 ₽
63.57 ₽
57.36 ₽
49.61 ₽
46.51 ₽
Доступность: 3127 шт.

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SI4599DY-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40/-40В; 6,8/-5,8А" 1.

Артикул производителя
SI4599DY-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
38/20нC
Корпус
SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
40/-40В
Обозначение производителя
SI4599DY-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
3,1/3Вт
Сопротивление в открытом состоянии
62/42,5мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Ток стока
6,8/-5,8А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены