Вид канала
обогащенный
Вид транзистора
дополнительная пара
Вид упаковки
бобина, лента
Корпус
SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
60/-60В
Обозначение производителя
ZXMC4559DN8TC
Полярность
полевой
Производитель
DIODES INCORPORATED
Рассеиваемая мощность
2,2Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,055/0,85Ом
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Ток стока
3,9/-4,7А
Отзывы не найдены