ROHM SEMICONDUCTOR

0.0
FMA2AT148
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT25 Коэффициент усиления по току68 МонтажSMD
46.64 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FMA2AT148, Транзистор: PNP x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 300мВт; SOT25" 1.

0.0
FMA3AT148
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT25 Коэффициент усиления по току100...600 МонтажSMD
28.46 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FMA3AT148, Транзистор: PNP x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 300мВт; SOT25" 5.

0.0
FMA4AT148
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT25 Коэффициент усиления по току100...600 МонтажSMD
13.44 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FMA4AT148, Транзистор: PNP x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 300мВт; SOT25; 10кОм" 10.

0.0
FMA5AT148
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента Конструкция диодаобщий эмиттер КорпусSOT25 Коэффициент усиления по току80
79.84 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FMA5AT148, Транзистор: PNP x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 300мВт; SOT25" 1.

0.0
FMA9AT148
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT25 Коэффициент усиления по току30 МонтажSMD
29.25 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FMA9AT148, Транзистор: PNP x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 300мВт; SOT25" 1.

0.0
FMG1AT148
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT25 Коэффициент усиления по току56 МонтажSMD
37.15 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FMG1AT148, Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 300мВт; SOT25" 1.

0.0
FMG2AT148
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT25 Коэффициент усиления по току68 МонтажSMD
28.46 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FMG2AT148, Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 300мВт; SOT25" 1.

0.0
FMG3AT148
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT25 Коэффициент усиления по току100...600 МонтажSMD
37.15 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FMG3AT148, Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 300мВт; SOT25" 1.

0.0
FMG4AT148
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT25 Коэффициент усиления по току100...600 МонтажSMD
41.11 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FMG4AT148, Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 300мВт; SOT25; 10кОм" 1.

0.0
FMG6AT148
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT25 Коэффициент усиления по току100...600 МонтажSMD
14.23 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FMG6AT148, Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 300мВт; SOT25; 47кОм" 3000.

0.0
FMG9AT148
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT25 Коэффициент усиления по току30 МонтажSMD
29.25 
Доступность: 3213 шт.
+

Минимальное количество для товара "FMG9AT148, Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 300мВт; SOT25" 1.

0.0
FMN1T148
Вид упаковкибобина, лента Время готовности4нс Импульсный ток0,25А Конструкция диодаобщий катод, четверной диод КорпусSC74A, SOT25
73.52 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FMN1T148, Диод: импульсный; SMD; 80В; 25мА; 4нс; SC74A,SOT25; Ufmax: 0,9В" 1.

0.0
FMP1T148
Вид упаковкибобина, лента Время готовности4нс Емкость3,5пФ Импульсный ток0,25А Конструкция диодаобщий анод, четверной диод
85.38 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FMP1T148, Диод: импульсный; SMD; 80В; 80мА; 4нс; SC74A,SOT25; Ufmax: 0,9В" 1.

0.0
HP8KA1TB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24нC Конструкция диодаобщий сток КорпусHSOP8
208.70 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "HP8KA1TB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 14А; Idm: 28А; 3Вт; HSOP8" 1.

0.0
HP8MA2TB1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22/25нC КорпусHSOP8 МонтажSMD
253.75 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "HP8MA2TB1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 18/-15А; Idm: 48А; 7Вт" 1.

0.0
HS8K11TB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11,1/20,2C КорпусuDFN8 МонтажSMD
134.39 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "HS8K11TB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 7/11А; Idm: 28÷44А; 2Вт" 1.

0.0
HS8K1TB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6/7,4нC КорпусuDFN8 МонтажSMD
128.85 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "HS8K1TB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 10/11А; Idm: 40÷44А; 2Вт" 1.

0.0
IMB10AT110
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSC74, SOT457 Коэффициент усиления по току80 МонтажSMD
54.55 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IMB10AT110, Транзистор: PNP x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 300мВт; SC74,SOT457" 1.

0.0
IMB11AT110
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSC74, SOT457 Коэффициент усиления по току30 МонтажSMD
36.36 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IMB11AT110, Транзистор: PNP x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 300мВт; SC74,SOT457" 1.

0.0
IMB2AT110
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSC74, SOT457 Коэффициент усиления по току68 МонтажSMD
14.23 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IMB2AT110, Транзистор: PNP x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 300мВт; SC74,SOT457" 10.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Срок поставки