Москва
Валюты:
₽
₽ $
 
+7(993)080-09-37
0Корзина

ROHM SEMICONDUCTOR

Сортировать по:
От А до Я
Показать:
20
RGT50TM65DGC9, Транзистор: IGBT; 650В; 13А; 23Вт; TO220NFM
0.0
RGT50TM65DGC9
Вид упаковкитуба Время включения65нс Время выключения210нс Заряд затвора49нC КорпусTO220NFM
646.64 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RGT50TM65DGC9, Транзистор: IGBT; 650В; 13А; 23Вт; TO220NFM" 1.

RGT8BM65DTL, Транзистор: IGBT; 650В; 8А; 31Вт; TO252
0.0
RGT8BM65DTL
Вид упаковкибобина, лента Время включения54нс Время выключения158нс Заряд затвора13,5нC КорпусTO252
292.49 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RGT8BM65DTL, Транзистор: IGBT; 650В; 8А; 31Вт; TO252" 1.

RGTH00TS65DGC11, Транзистор: IGBT; 650В; 50А; 138Вт; TO247-3
0.0
RGTH00TS65DGC11
Вид упаковкитуба Время включения102нс Время выключения221нс Заряд затвора94нC КорпусTO247-3
757.31 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RGTH00TS65DGC11, Транзистор: IGBT; 650В; 50А; 138Вт; TO247-3" 1.

RGTH40TS65DGC11, Транзистор: IGBT; 650В; 20А; 72Вт; TO247-3
0.0
RGTH40TS65DGC11
Вид упаковкитуба Время включения47нс Время выключения141нс Заряд затвора40нC КорпусTO247-3
551.78 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RGTH40TS65DGC11, Транзистор: IGBT; 650В; 20А; 72Вт; TO247-3" 1.

RGTH40TS65GC11, Транзистор: IGBT; 650В; 20А; 72Вт; TO247-3
0.0
RGTH40TS65GC11
Вид упаковкитуба Время включения47нс Время выключения141нс Заряд затвора40нC КорпусTO247-3
434.78 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RGTH40TS65GC11, Транзистор: IGBT; 650В; 20А; 72Вт; TO247-3" 1.

RGTH50TS65DGC11, Транзистор: IGBT; 650В; 25А; 87Вт; TO247-3
0.0
RGTH50TS65DGC11
Вид упаковкитуба Время включения65нс Время выключения172нс Заряд затвора49нC КорпусTO247-3
766.80 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RGTH50TS65DGC11, Транзистор: IGBT; 650В; 25А; 87Вт; TO247-3" 1.

RGTH80TS65DGC11, Транзистор: IGBT; 650В; 40А; 117Вт; TO247-3
0.0
RGTH80TS65DGC11
Вид упаковкитуба Время включения84нс Время выключения194нс Заряд затвора79нC КорпусTO247-3
668.77 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RGTH80TS65DGC11, Транзистор: IGBT; 650В; 40А; 117Вт; TO247-3" 1.

RGTV00TS65DGC11, Транзистор: IGBT; 650В; 50А; 138Вт; TO247-3
0.0
RGTV00TS65DGC11
Вид упаковкитуба Время включения62нс Время выключения247нс Заряд затвора104нC КорпусTO247-3
1 225.30 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RGTV00TS65DGC11, Транзистор: IGBT; 650В; 50А; 138Вт; TO247-3" 1.

RGTV60TK65DGVC11, Транзистор: IGBT; 650В; 20А; 38Вт; TO3PFM
0.0
RGTV60TK65DGVC11
Вид упаковкитуба Время включения45нс Время выключения201нс Заряд затвора64нC КорпусTO3PFM
611.86 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RGTV60TK65DGVC11, Транзистор: IGBT; 650В; 20А; 38Вт; TO3PFM" 1.

RGTVX6TS65GC11, Транзистор: IGBT; 650В; 80А; 202Вт; TO247-3
0.0
RGTVX6TS65GC11
Вид упаковкитуба Время включения83нс Время выключения298нс Заряд затвора171нC КорпусTO247-3
1 351.78 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RGTVX6TS65GC11, Транзистор: IGBT; 650В; 80А; 202Вт; TO247-3" 1.

RGWX5TS65DGC11, Транзистор: IGBT; 650В; 75А; 174Вт; TO247-3
0.0
RGWX5TS65DGC11
Вид упаковкитуба Время включения93нс Время выключения305нс Заряд затвора213нC КорпусTO247-3
1 059.29 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RGWX5TS65DGC11, Транзистор: IGBT; 650В; 75А; 174Вт; TO247-3" 1.

RHK003N06FRAT146, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 300мА; Idm: 1,2А; 200мВт; SMT3
0.0
RHK003N06FRAT146
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3нC КорпусSMT3 МонтажSMD
80.63 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RHK003N06FRAT146, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 300мА; Idm: 1,2А; 200мВт; SMT3" 1.

RHP020N06FRAT100, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3
0.0
RHP020N06FRAT100
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7нC КорпусMPT3 МонтажSMD
58.50 ₽
Доступность: 670 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "RHP020N06FRAT100, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3" 3.

RHP020N06T100, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3
0.0
RHP020N06T100
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7нC КорпусMPT3 МонтажSMD
140.71 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RHP020N06T100, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3" 1.

RHP030N03T100, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2А; Idm: 10А; 2Вт; MPT3
0.0
RHP030N03T100
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,5нC КорпусMPT3 МонтажSMD
158.10 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RHP030N03T100, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2А; Idm: 10А; 2Вт; MPT3" 1.

RHU002N06FRAT106, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 200мА; Idm: 0,8А; 200мВт; UMT3
0.0
RHU002N06FRAT106
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,2нC КорпусUMT3 МонтажSMD
66.40 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RHU002N06FRAT106, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 200мА; Idm: 0,8А; 200мВт; UMT3" 1.

RHU003N03FRAT106, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 300мА; Idm: 1,2А; 200мВт; UMT3
0.0
RHU003N03FRAT106
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусUMT3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
36.36 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RHU003N03FRAT106, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 300мА; Idm: 1,2А; 200мВт; UMT3" 1.

RJK005N03FRAT146, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 500мА; Idm: 2А; 200мВт; SMT3
0.0
RJK005N03FRAT146
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2нC КорпусSMT3 МонтажSMD
63.24 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RJK005N03FRAT146, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 500мА; Idm: 2А; 200мВт; SMT3" 1.

RJP020N06FRAT100, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3
0.0
RJP020N06FRAT100
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5нC КорпусMPT3 МонтажSMD
146.25 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RJP020N06FRAT100, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3" 1.

RJP020N06T100, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3
0.0
RJP020N06T100
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5нC КорпусMPT3 МонтажSMD
127.27 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RJP020N06T100, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Срок поставки