Бренды :: SEMIKRON DANFOSS - страница 42

SKM150GAR12F4G 22896160, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic:...

КОД:

SKM150GAR12F4G

0.0

Нет в наличии

34 160⁹⁸ ^₽

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM150GAR12F4G 22896160

SKM150GAR12T4 22892400, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: ...

КОД:

SKM150GAR12T4

0.0

Доступность: 30 шт.

14 956⁴⁴ ^₽

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM150GAR12T4 22892400

SKM150GAR12V 22892403, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 150А

КОД:

SKM150GAR12V

0.0

Нет в наличии

19 850³⁸ ^₽

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM150GAR12V 22892403

SKM150GB12F4 22896062, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ

КОД:

SKM150GB12F4

0.0

Нет в наличии

24 788⁸³ ^₽

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM150GB12F4 22896062

SKM150GB12F4G 22896060, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ

КОД:

SKM150GB12F4G

0.0

Нет в наличии

41 660⁰⁴ ^₽

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM150GB12F4G 22896060

SKM150GB12T4 22892040, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ

КОД:

SKM150GB12T4

0.0

Доступность: 27 шт.

25 203⁶⁰ ^₽

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM150GB12T4 22892040

SKM150GB12T4G22892050, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ

КОД:

SKM150GB12T4G

0.0

Нет в наличии

38 951⁷⁰ ^₽

ВерсияD56 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В

SKM150GB12V 22892043, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ

КОД:

SKM150GB12V

0.0

Нет в наличии

35 411⁹³ ^₽

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM150GB12V 22892043

SKM150GB12VG 22892052, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ

КОД:

SKM150GB12VG

0.0

Доступность: 12 шт.

39 160⁰⁴ ^₽

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM150GB12VG 22892052

SKM150GB17E4 22895050, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ

КОД:

SKM150GB17E4

0.0

Нет в наличии

23 328⁶⁰ ^₽

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM150GB17E4 22895050

SKM150GB17E4G 22895052, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ

КОД:

SKM150GB17E4G

0.0

Нет в наличии

48 325⁷⁶ ^₽

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM150GB17E4G 22895052

SKM150GM12T4G 22892460, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2

КОД:

SKM150GM12T4G

0.0

Нет в наличии

39 785⁰⁴ ^₽

Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM150GM12T4G 22892460

SKM195GAL07E3 22895620, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: ...

КОД:

SKM195GAL07E3

0.0

Нет в наличии

17 768⁹⁴ ^₽

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM195GAL07E3 22895620

SKM195GAL126D 22890470, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ

КОД:

SKM195GAL126D

0.0

Нет в наличии

24 788⁸³ ^₽

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM195GAL126D 22890470

SKM195GAR07E3 22895630, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 650В; Ic: 200А

КОД:

SKM195GAR07E3

0.0

Нет в наличии

17 768⁹⁴ ^₽

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM195GAR07E3 22895630

SKM195GB066D22890052, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В

КОД:

SKM195GB066D

0.0

Доступность: 18 шт.

18 705⁴⁹ ^₽

ВерсияD61 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В

SKM195GB07E3 22895610, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В

КОД:

SKM195GB07E3

0.0

Нет в наличии

24 161⁹³ ^₽

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM195GB07E3 22895610

SKM195GB126D 22890630, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ

КОД:

SKM195GB126D

0.0

Доступность: 3 шт.

27 703⁶⁰ ^₽

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM195GB126D 22890630

SKM200GAL125D 22890740, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic:...

КОД:

SKM200GAL125D

0.0

Доступность: 7 шт.

40 409⁰⁹ ^₽

ВерсияD56 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В

SKM200GAL126D 22890472, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ

КОД:

SKM200GAL126D

0.0

Нет в наличии

37 910⁹⁸ ^₽

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM200GAL126D 22890472

SKM200GAL12E4 22892304, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ

КОД:

SKM200GAL12E4

0.0

Нет в наличии

39 993³⁷ ^₽

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM200GAL12E4 22892304

SKM200GAL12T4 22892320, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ

КОД:

SKM200GAL12T4

0.0

Нет в наличии

35 827⁶⁵ ^₽

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM200GAL12T4 22892320

SKM200GAL12VL2 22895560, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ

КОД:

SKM200GAL12VL2

0.0

Нет в наличии

20 828⁶⁰ ^₽

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM200GAL12VL2 22895560

SKM200GAL176D 22890514, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,7кВ

КОД:

SKM200GAL176D

0.0

Нет в наличии

42 909⁰⁹ ^₽

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM200GAL176D 22890514