Версия
D56
Конструкция диода
транзистор/транзистор
Корпус
SEMITRANS3
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Обозначение производителя
SKM150GB12T4G22892050
Обратное напряжение макс.
1,2кВ
Применение
для UPS, инвертор, фотоэлектрика
Производитель
SEMIKRON DANFOSS
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
172А
Ток коллектора в импульсе
450А
Топология
полумост IGBT
Электрический монтаж
винтами, коннекторы FASTON
Отзывы не найдены