Тиристорные модули – мощные решения для управления током!

В нашем каталоге представлены тиристорные модули различных типов и параметров. Идеально подходят для использования в силовой электронике, промышленном оборудовании и других устройствах. Мы предлагаем продукцию от ведущих производителей с гарантией качества. Выгодные цены, быстрая доставка и профессиональная поддержка. Выбирайте тиристорные модули у нас – надежность и качество в каждом элементе!

0.0
APT40GF120JRDQ2
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
11 00264 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APT40GF120JRDQ2, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 42А; SOT227B" 1.

0.0
APT40GL120JU2
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPT40GL120JU2
6 64789 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APT40GL120JU2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 40А" 1.

0.0
APT40GL120JU3
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPT40GL120JU3
6 64789 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APT40GL120JU3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 40А" 1.

0.0
APT40GLQ120JCU2
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPT40GLQ120JCU2
10 81954 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APT40GLQ120JCU2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 40А" 1.

0.0
APT40GP60J
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
8 04137 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APT40GP60J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 40А; SOT227B" 1.

0.0
APT40GP60JDQ2
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
10 66461 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APT40GP60JDQ2, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 40А; SOT227B" 1.

0.0
APT40GP90J
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
10 54049 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APT40GP90J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 900В; Ic: 32А; SOT227B" 1.

0.0
APT40GP90JDQ2
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
12 23768 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APT40GP90JDQ2, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 900В; Ic: 27А; SOT227B" 1.

0.0
APT45GP120J
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
10 73856 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APT45GP120J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 34А; SOT227B" 1.

0.0
APT45GP120JDQ2
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
7 97447 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APT45GP120JDQ2, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 34А; SOT227B" 1.

0.0
APT46GA90JD40
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
8 23944 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APT46GA90JD40, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 900В; Ic: 46А; SOT227B" 1.

0.0
APT47GA60JD40
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
8 53697 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APT47GA60JD40, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 47А; SOT227B" 1.

0.0
APT50GF120JRD
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
13 04930 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APT50GF120JRD, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 64А; SOT227B" 1.

0.0
APT50GF120JRDQ3
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
23 12588 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APT50GF120JRDQ3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 64А; SOT227B" 1.

0.0
APT50GLQ65JU2
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPT50GLQ65JU2
6 35563 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APT50GLQ65JU2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 50А" 1.

0.0
APT50GP60J
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
8 58891 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APT50GP60J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 46А; SOT227B" 1.

0.0
APT50GP60JDQ2
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
8 66637 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APT50GP60JDQ2, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 46А; SOT227B" 1.

0.0
APT50GR120JD30
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
9 67165 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APT50GR120JD30, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 50А; SOT227B" 1.

0.0
APT50GT120JU2
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPT50GT120JU2
7 25176 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APT50GT120JU2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 50А" 1.

0.0
APT50GT120JU3
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPT50GT120JU3
7 25176 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APT50GT120JU3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 50А" 1.

0.0
APT60GA60JD60
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
8 72711 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APT60GA60JD60, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 60А; SOT227B" 1.

0.0
APT60GF120JRD
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
19 94982 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APT60GF120JRD, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 79А; SOT227B" 1.

0.0
APT60GF120JRDQ3
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
30 20246 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APT60GF120JRDQ3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 79А; SOT227B" 1.

0.0
APT65GP60J
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
9 64085 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APT65GP60J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 60А; SOT227B" 1.

Показать еще 24 товара