Вид упаковки
туба
Конструкция диода
одиночный транзистор
Корпус
SOT227B
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор - эмиттер
±30В
Обозначение производителя
APT50GR120JD30
Обратное напряжение макс.
1,2кВ
Производитель
MICROCHIP TECHNOLOGY
Технология
NPT, NPT Ultra Fast IGBT, POWER MOS 8®
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
50А
Ток коллектора в импульсе
200А
Электрический монтаж
винтами
Отзывы не найдены