Вид упаковки
туба
Конструкция диода
одиночный транзистор
Корпус
SOT227B
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Обозначение производителя
APT45GP120J
Обратное напряжение макс.
1,2кВ
Производитель
MICROCHIP TECHNOLOGY
Технология
POWER MOS 7®, PT
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
34А
Ток коллектора в импульсе
170А
Электрический монтаж
винтами
Отзывы не найдены