Товары из категории модули igbt, стр.25

Производитель

Модули IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) — это высокомощные полупроводниковые сборки, сочетающие IGBT-транзисторы и обратные диоды** в одном корпусе. Предназначены для эффективного управления высоким напряжением и током в системах преобразования энергии: частотных преобразователях, источниках бесперебойного питания, сварочных аппаратах, инверторах и электроприводах.

Обеспечивают высокую эффективность, быстрое переключение и низкие потери мощности.

В каталоге 7-el.ru — модули IGBT от проверенных производителей: KEFA, Infineon, Mitsubishi Electric, Fuji Electric, Semikron, ABB, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
SKM200GB125D
ВерсияD56 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
55 620.80 
Доступность: 10 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKM200GB125D, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM200GB126D
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM200GB126D 22890631
45 334.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM200GB126D 22890631, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM200GB12E4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM200GB12E422892067
36 006.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM200GB12E422892067, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM200GB12F4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM200GB12F4 22896050
43 854.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM200GB12F4 22896050, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM200GB12T4
ВерсияD56 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
32 196.80 
Доступность: 9 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKM200GB12T4 22892060, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM200GB12V
ВерсияD56 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
49 035.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM200GB12V 22892064, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM200GB176D
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM200GB176D 22890700
33 806.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM200GB176D 22890700, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

0.0
SKM200GB17E4
ВерсияD56 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
42 744.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM200GB17E4 22895060, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

0.0
SKM200GBD126D
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM200GBD126D 22891102
30 902.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM200GBD126D 22891102, Модуль: IGBT; диод/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM200GM12T4
Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM200GM12T4 22892470
41 078.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM200GM12T4 22892470, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2" 1.

0.0
SKM200MLI066TAT
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM200MLI066TAT 21917820
94 371.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM200MLI066TAT 21917820, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор" 1.

0.0
SKM25GAH125D
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM25GAH125D 21917990
34 417.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM25GAH125D 21917990, Модуль: IGBT; диод/транзистор; Н мост; Urmax: 1,2кВ; Ic: 25А" 1.

0.0
SKM25GD125D
ВерсияD67 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
30 347.20 
Доступность: 5 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKM25GD125D 21918000, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 27А" 1.

0.0
SKM295GB066D
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM295GB066D 22895640
24 795.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM295GB066D 22895640, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

0.0
SKM300GA12E4
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSEMITRANS4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM300GA12E4 22892124
36 083.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM300GA12E4 22892124, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 300А; винтами" 1.

0.0
SKM300GA12T4
ВерсияD59 Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSEMITRANS4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
25 536.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM300GA12T4 22892120, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 300А; D59" 1.

0.0
SKM300GA12V
ВерсияD59 Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSEMITRANS4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
35 712.00 
Доступность: 12 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKM300GA12V 22892123, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 300А; D59" 1.

0.0
SKM300GAL066D
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM300GAL066D 21920130
34 603.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM300GAL066D 21920130, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 600В; Ic: 300А" 1.

0.0
SKM300GAL07E3
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM300GAL07E3 22895590
34 048.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM300GAL07E3 22895590, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 300А" 1.

0.0
SKM300GAL12E4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM300GAL12E4 22892334
33 307.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM300GAL12E4 22892334, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM300GAL12T4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM300GAL12T4 22892330
37 748.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM300GAL12T4 22892330, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM300GAR07E3
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM300GAR07E3 22895600
34 048.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM300GAR07E3 22895600, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 650В; Ic: 300А" 1.

0.0
SKM300GAR12E4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM300GAR12E4 22892418
25 350.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM300GAR12E4 22892418, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 324А" 1.

0.0
SKM300GARL066T
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM300GARL066T 21915370
74 940.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM300GARL066T 21915370, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck-boost chopper,термистор NTC" 1.

0.0
SKM300GB066D
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM300GB066D 21915520
45 520.00 
Доступность: 45 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKM300GB066D 21915520, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

0.0
SKM300GB07E3
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM300GB07E3 22895580
46 075.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM300GB07E3 22895580, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 1.

0.0
SKM300GB125D
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM300GB125D 22890624
81 972.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM300GB125D 22890624, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM300GB126D
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM300GB126D 22890633
48 665.60 
Доступность: 12 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKM300GB126D 22890633, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM300GB12E4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM300GB12E4 22892077
50 515.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM300GB12E4 22892077, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM300GB12F4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM300GB12F4 22896070
53 107.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM300GB12F4 22896070, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM300GB12T4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM300GB12T4 22892070
56 808.00 
Доступность: 12 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKM300GB12T4 22892070, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM300GB12V
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM300GB12V 22892073
70 129.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM300GB12V 22892073, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM300GB17E4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM300GB17E4 22895070
63 838.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM300GB17E4 22895070, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

0.0
SKM300GBD12T4
ВерсияD56 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
35 158.40 
Доступность: 7 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKM300GBD12T4 22892212, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM300GM12T4
Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM300GM12T4 22892480
50 331.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM300GM12T4 22892480, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2" 1.

0.0
SKM300MLI066TAT
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM300MLI066TAT 21916570
117 870.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM300MLI066TAT 21916570, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор" 1.

0.0
SKM400GA12E4
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSEMITRANS4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM400GA12E4 22892104
42 004.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM400GA12E4 22892104, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 400А; винтами" 1.

0.0
SKM400GA12T4
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSEMITRANS4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM400GA12T4 22892100
45 889.60 
Доступность: 12 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKM400GA12T4 22892100, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 400А; винтами" 1.

0.0
SKM400GA12V
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSEMITRANS4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM400GA12V 22892103
47 555.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM400GA12V 22892103, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 400А; винтами" 1.

0.0
SKM400GAL07E3
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM400GAL07E3 22895552
38 488.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM400GAL07E3 22895552, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 400А" 1.

Показать еще 40 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (18)
Хиты продаж