Товары из категории модули igbt

Производитель

Модули IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) — это высокомощные полупроводниковые сборки, сочетающие IGBT-транзисторы и обратные диоды** в одном корпусе. Предназначены для эффективного управления высоким напряжением и током в системах преобразования энергии: частотных преобразователях, источниках бесперебойного питания, сварочных аппаратах, инверторах и электроприводах.

Обеспечивают высокую эффективность, быстрое переключение и низкие потери мощности.

В каталоге 7-el.ru — модули IGBT от проверенных производителей: KEFA, Infineon, Mitsubishi Electric, Fuji Electric, Semikron, ABB, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
1SC0450V2B0-65
Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток50А Класс напряжения6,5кВ Монтажштыревая планка Обозначение производителя1SC0450V2B0-65
32 684.58 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "1SC0450V2B0-65, Module: gate driver board; pin header; SCALE™-2; 6.5kV; 10kHz; 50A" 1.

0.0
1SC2060P2A0-17
Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток60А Класс напряжения1,7кВ Монтажштыревая планка Обозначение производителя1SC2060P2A0-17
22 984.98 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "1SC2060P2A0-17, Module: gate driver board; pin header; SCALE™-2; 1.7kV; 500kHz" 1.

0.0
1SP0335D2S1-45
Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток35А Класс напряжения4,5кВ Монтажвинтами Обозначение производителя1SP0335D2S1-45
25 941.50 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "1SP0335D2S1-45, Module: gate driver board; screw; SCALE™-2; 4.5kV; 23.5÷26.5VDC" 1.

0.0
1SP0335V2M1-45
Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток35А Класс напряжения4,5кВ Монтажвинтами Обозначение производителя1SP0335V2M1-45
43 550.99 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "1SP0335V2M1-45, Module: gate driver board; screw; SCALE™-2; 4.5kV; 23.5÷26.5VDC" 1.

0.0
1SP0335V2M1-65
Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток35А Класс напряжения6,5кВ Монтажвинтами Обозначение производителя1SP0335V2M1-65
42 883.79 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "1SP0335V2M1-65, Module: gate driver board; screw; SCALE™-2; 6.5kV; 23.5÷26.5VDC" 1.

0.0
1SP0340V2M0-45
Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток35А Класс напряжения4,5кВ Монтажвинтами Обозначение производителя1SP0340V2M0-45
42 847.43 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "1SP0340V2M0-45, Module: gate driver board; screw; SCALE™-2; 4.5kV; 23.5÷26.5VDC" 1.

0.0
1SP0635D2S1-17
Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток35А Класс напряжения1,7кВ Монтажвинтами Обозначение производителя1SP0635D2S1-17
28 104.35 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "1SP0635D2S1-17, Module: gate driver board; screw; SCALE™-2; 1.7kV; 14.5÷15.5VDC" 1.

0.0
1SP0635V2M1-12
Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток35А Класс напряжения1,2кВ Монтажвинтами Обозначение производителя1SP0635V2M1-12
85 596.84 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "1SP0635V2M1-12, Module: gate driver board; screw; SCALE™-2; 1.2kV; 14.5÷15.5VDC" 1.

0.0
1SP0635V2M1-17
Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток35А Класс напряжения1,7кВ Монтажвинтами Обозначение производителя1SP0635V2M1-17
61 913.04 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "1SP0635V2M1-17, Module: gate driver board; screw; SCALE™-2; 1.7kV; 14.5÷15.5VDC" 1.

0.0
1SP0635V2M1-33
Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток35А Класс напряжения3,3кВ Монтажвинтами Обозначение производителя1SP0635V2M1-33
64 858.50 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "1SP0635V2M1-33, Module: gate driver board; screw; SCALE™-2; 3.3kV; 14.5÷15.5VDC" 1.

0.0
2ASC-12A1HP
Вид выходадрайвер SiC MOSFET Выходной ток10А Класс напряжения1,2кВ МонтажPCB Обозначение производителя2ASC-12A1HP
29 576.28 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "2ASC-12A1HP, Module: gate driver board; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge" 1.

0.0
2ASC-17A1HP
Вид выходадрайвер SiC MOSFET Выходной ток20А Класс напряжения1,7кВ МонтажPCB Обозначение производителя2ASC-17A1HP
33 135.18 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "2ASC-17A1HP, Module: gate driver board; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge" 1.

0.0
2ED300C17-S
Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток30А Класс напряжения1,7кВ КорпусAG-EICE МонтажPCB
44 154.94 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "2ED300C17SROHSBPSA1, Module: gate driver board; IGBT half-bridge; AG-EICE; PCB; 1.7kV" 1.

0.0
2ED300C17-ST
Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток30А Класс напряжения1,7кВ КорпусAG-EICE МонтажPCB
49 403.95 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "2ED300C17STROHSBPSA1, Module: gate driver board; IGBT half-bridge; AG-EICE; PCB; 1.7kV" 1.

0.0
2SC0106T2A1-12
Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток Класс напряжения1,2кВ Монтажштыревая планка Обозначение производителя2SC0106T2A1-12
4 921.74 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "2SC0106T2A1-12, Module: gate driver board; IGBT half-bridge; pin header; 1.2kV" 1.

0.0
2SC0108T2D0-12
Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток Класс напряжения1,2кВ Монтажштыревая планка Обозначение производителя2SC0108T2D0-12
11 147.83 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "2SC0108T2D0-12, Module: gate driver board; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge" 1.

0.0
2SC0108T2F1-17
Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток Класс напряжения1,7кВ Монтажштыревая планка Обозначение производителя2SC0108T2F1-17
9 207.91 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "2SC0108T2F1-17, Module: gate driver board; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge" 1.

0.0
2SC0108T2G0-17
Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток Класс напряжения1,7кВ Монтажштыревая планка Обозначение производителя2SC0108T2G0-17
9 207.91 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "2SC0108T2G0-17, Module: gate driver board; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge" 1.

0.0
2SC0108T2H0-17
Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток Класс напряжения1,2кВ Монтажштыревая планка Обозначение производителя2SC0108T2H0-17
8 632.41 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "2SC0108T2H0-17, Module: gate driver board; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge" 1.

0.0
2SC0115T2A0-12
Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток15А Класс напряжения1,2кВ Монтажштыревая планка Обозначение производителя2SC0115T2A0-12
6 153.36 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "2SC0115T2A0-12, Module: gate driver board; pin header; SCALE™-2+; 1.2kV; 50kHz" 1.

0.0
2SC0435T2F1-17
Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток35А Класс напряжения1,7кВ Монтажштыревая планка Обозначение производителя2SC0435T2F1-17
20 268.77 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "2SC0435T2F1-17, Module: gate driver board; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge" 1.

0.0
2SC0435T2G1-17
Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток35А Класс напряжения1,7кВ Монтажштыревая планка Обозначение производителя2SC0435T2G1-17
14 902.77 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "2SC0435T2G1-17, Module: gate driver board; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge" 1.

0.0
2SC0435T2H0-17
Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток35А Класс напряжения1,7кВ Монтажштыревая планка Обозначение производителя2SC0435T2H0-17
14 902.77 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "2SC0435T2H0-17, Module: gate driver board; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge" 1.

0.0
2SC0535T2A1-33
Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток35А Класс напряжения3,3кВ Монтажштыревая планка Обозначение производителя2SC0535T2A1-33
32 139.13 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "2SC0535T2A1-33, Module: gate driver board; IGBT half-bridge; pin header; 3.3kV" 1.

0.0
2SC0535T2G0-33
Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток35А Класс напряжения3,3кВ Монтажштыревая планка Обозначение производителя2SC0535T2G0-33
32 139.13 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "2SC0535T2G0-33, Module: gate driver board; IGBT half-bridge; pin header; 3.3kV" 1.

0.0
2SC0635T2A1-45
Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток35А Класс напряжения4,5кВ Обозначение производителя2SC0635T2A1-45 ПроизводительPOWER INTEGRATIONS
46 145.45 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "2SC0635T2A1-45, Module: gate driver board; SCALE™-2; 4.5kV; 14.5÷15.5VDC; 100kHz" 1.

0.0
2SC0650P2A0-17
Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток50А Класс напряжения1,7кВ Монтажштыревая планка Обозначение производителя2SC0650P2A0-17
25 299.60 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "2SC0650P2A0-17, Module: gate driver board; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge" 1.

0.0
2SC0650P2C0-17
Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток50А Класс напряжения1,7кВ Монтажштыревая планка Обозначение производителя2SC0650P2C0-17
32 935.97 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "2SC0650P2C0-17, Module: gate driver board; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge" 1.

0.0
2SD300C17A1
Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток30А Класс напряжения1,7кВ Монтажштыревая планка Обозначение производителя2SD300C17A1
21 136.76 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "2SD300C17A1, Module: gate driver board; IGBT half-bridge; pin header; 1.7kV" 1.

0.0
2SD300C17A2
Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток30А Класс напряжения1,7кВ Монтажштыревая планка Обозначение производителя2SD300C17A2
21 136.76 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "2SD300C17A2, Module: gate driver board; IGBT half-bridge; pin header; 1.7kV" 1.

0.0
2SD300C17A3
Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток30А Класс напряжения1,7кВ Монтажштыревая планка Обозначение производителя2SD300C17A3
20 847.43 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "2SD300C17A3, Module: gate driver board; IGBT half-bridge; pin header; 1.7kV" 1.

0.0
2SD300C17A4
Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток30А Класс напряжения1,7кВ Монтажштыревая планка Обозначение производителя2SD300C17A4
26 420.55 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "2SD300C17A4, Module: gate driver board; IGBT half-bridge; pin header; 1.7kV" 1.

0.0
2SD315AI
Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток18А Класс напряжения1,7кВ Монтажштыревая планка Обозначение производителя2SD315AI
16 867.98 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "2SD315AI, Module: gate driver board; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge" 1.

0.0
2SP0115T2A0-06
Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток8...15А Класс напряжения600В Обозначение производителя2SP0115T2A0-06 ПроизводительPOWER INTEGRATIONS
18 964.43 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "2SP0115T2A0-06, Module: gate driver board; IGBT half-bridge; SCALE™-2; 600V" 1.

0.0
2SP0115T2A0-12
Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток8...15А Класс напряжения1,2кВ Обозначение производителя2SP0115T2A0-12 ПроизводительPOWER INTEGRATIONS
18 964.43 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "2SP0115T2A0-12, Module: gate driver board; IGBT half-bridge; SCALE™-2; 1.2kV" 1.

0.0
2SP0115T2A0-17
Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток8...15А Класс напряжения1,7кВ Обозначение производителя2SP0115T2A0-17 ПроизводительPOWER INTEGRATIONS
18 964.43 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "2SP0115T2A0-17, Module: gate driver board; IGBT half-bridge; SCALE™-2; 1.7kV" 1.

0.0
2SP0115T2B0-06
Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток8...15А Класс напряжения600В Обозначение производителя2SP0115T2B0-06 ПроизводительPOWER INTEGRATIONS
26 240.32 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "2SP0115T2B0-06, Module: gate driver board; IGBT half-bridge; SCALE™-2; 600V" 1.

0.0
2SP0115T2B0-12
Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток8...15А Класс напряжения1,2кВ Обозначение производителя2SP0115T2B0-12 ПроизводительPOWER INTEGRATIONS
20 991.30 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "2SP0115T2B0-12, Module: gate driver board; IGBT half-bridge; SCALE™-2; 1.2kV" 1.

0.0
2SP0115T2B0-17
Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток8...15А Класс напряжения1,7кВ Обозначение производителя2SP0115T2B0-17 ПроизводительPOWER INTEGRATIONS
20 991.30 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "2SP0115T2B0-17, Module: gate driver board; IGBT half-bridge; SCALE™-2; 1.7kV" 1.

0.0
2SP0115T2C0-12
Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток8...15А Класс напряжения1,2кВ Обозначение производителя2SP0115T2C0-12 ПроизводительPOWER INTEGRATIONS
20 991.30 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "2SP0115T2C0-12, Module: gate driver board; IGBT half-bridge; SCALE™-2; 1.2kV" 1.

0.0
2SP0115T2C0-17
Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток8...15А Класс напряжения1,7кВ Обозначение производителя2SP0115T2C0-17 ПроизводительPOWER INTEGRATIONS
20 701.98 
Доступность: 12 шт.
+

Минимальное количество для товара "2SP0115T2C0-17, Module: gate driver board; IGBT half-bridge; SCALE™-2; 1.7kV" 1.

0.0
2SP0320T2A0-12
Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток20А Класс напряжения1,2кВ Монтажвинтами Обозначение производителя2SP0320T2A0-12
38 509.09 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "2SP0320T2A0-12, Module: gate driver board; IGBT half-bridge; screw; SCALE™-2" 1.

0.0
2SP0320T2A0-17
Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток20А Класс напряжения1,7кВ Монтажвинтами Обозначение производителя2SP0320T2A0-17
38 509.09 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "2SP0320T2A0-17, Module: gate driver board; IGBT half-bridge; screw; SCALE™-2" 1.

0.0
2SP0320T2C0-12
Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток20А Класс напряжения1,2кВ Монтажвинтами Обозначение производителя2SP0320T2C0-12
38 509.09 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "2SP0320T2C0-12, Module: gate driver board; IGBT half-bridge; screw; SCALE™-2" 1.

0.0
2SP0320T2C0-17
Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток20А Класс напряжения1,7кВ Монтажвинтами Обозначение производителя2SP0320T2C0-17
38 509.09 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "2SP0320T2C0-17, Module: gate driver board; IGBT half-bridge; screw; SCALE™-2" 1.

0.0
2SP0320V2A0-12
Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток20А Класс напряжения1,2кВ Монтажвинтами Обозначение производителя2SP0320V2A0-12
50 670.36 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "2SP0320V2A0-12, Module: gate driver board; IGBT half-bridge; screw; SCALE™-2" 1.

0.0
2SP0320V2A0-17
Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток20А Класс напряжения1,7кВ Монтажвинтами Обозначение производителя2SP0320V2A0-17
50 670.36 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "2SP0320V2A0-17, Module: gate driver board; IGBT half-bridge; screw; SCALE™-2" 1.

0.0
5SJA2000L520301
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSTAKPAK Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SJA 2000L520301 Обратное напряжение макс.5,2кВ
1 330 088.54 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "5SJA 2000L520301, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 5,2кВ; Ic: 2кА; STAKPAK" 1.

0.0
5SJA3000L520300
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSTAKPAK Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SJA 3000L520300 Обратное напряжение макс.5,2кВ
1 936 319.37 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "5SJA 3000L520300, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 5,2кВ; Ic: 3кА; STAKPAK" 1.

0.0
5SMA3000L450300
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSTAKPAK Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SMA 3000L450300 Обратное напряжение макс.4,5кВ
1 159 982.61 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "5SMA 3000L450300, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 4,5кВ; Ic: 3кА; STAKPAK" 1.

0.0
5SNA0400J650100
Конструкция диодаобщий вход, общий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNA 0400J650100
340 213.44 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "5SNA 0400J650100, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход,общий эмиттер" 1.

0.0
5SNA0500J650300
Конструкция диодаобщий вход, общий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNA 0500J650300
367 358.10 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "5SNA 0500J650300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход,общий эмиттер" 1.

0.0
5SNA0600G650100
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNA 0600G650100
465 078.26 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "5SNA 0600G650100, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 600А" 1.

0.0
5SNA0650J450300
Конструкция диодаобщий вход, общий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNA 0650J450300
309 449.80 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "5SNA 0650J450300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход,общий эмиттер" 1.

0.0
5SNA0800J450300
Конструкция диодаобщий вход, общий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNA 0800J450300
332 973.91 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "5SNA 0800J450300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход,общий эмиттер" 1.

0.0
5SNA0800N330100
Конструкция диодаобщий вход, общий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNA 0800N330100
278 684.58 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "5SNA 0800N330100, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход,общий эмиттер" 1.

0.0
5SNA1000G650300
Конструкция диодаобщий вход, общий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNA 1000G650300
580 896.44 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "5SNA 1000G650300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход,общий эмиттер" 1.

0.0
5SNA1000N330300
Конструкция диодаобщий вход, общий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNA 1000N330300
280 494.86 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "5SNA 1000N330300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход,общий эмиттер" 1.

0.0
5SNA1200E330100
Конструкция диодаобщий вход, общий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNA 1200E330100
340 213.44 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "5SNA 1200E330100, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход,общий эмиттер" 1.

0.0
5SNA1200G330100
Конструкция диодаобщий вход, общий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNA 1200G330100
443 362.85 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "5SNA 1200G330100, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход,общий эмиттер" 1.

0.0
5SNA1200G450300
Конструкция диодаобщий вход, общий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNA 1200G450300
408 980.24 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "5SNA 1200G450300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход,общий эмиттер" 1.

0.0
5SNA1200G450350
Конструкция диодаобщий вход, общий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNA 1200G450350
434 314.62 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "5SNA 1200G450350, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход,общий эмиттер" 1.

0.0
5SNA1300K450300
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSTAKPAK Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNA 1300K450300 Обратное напряжение макс.4,5кВ
1 131 027.67 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "5SNA 1300K450300, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 4,5кВ; Ic: 1,3кА; SPT+" 1.

0.0
5SNA1500K452300
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSTAKPAK Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNA 1500K452300 Обратное напряжение макс.4,52кВ
830 626.09 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "5SNA 1500K452300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 4,52кВ; Ic: 1,5кА" 1.

0.0
5SNA1600N170100
Конструкция диодаобщий вход, общий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNA 1600N170100
237 064.03 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "5SNA 1600N170100, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход,общий эмиттер" 1.

0.0
5SNA1600N170300
Конструкция диодаобщий вход, общий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNA 1600N170300
226 205.53 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "5SNA 1600N170300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход,общий эмиттер" 1.

0.0
5SNA1800E330400
Конструкция диодаобщий вход, общий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNA 1800E330400
441 552.57 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "5SNA 1800E330400, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход,общий эмиттер" 1.

0.0
5SNA2000K450300
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSTAKPAK Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNA 2000K450300 Обратное напряжение макс.4,5кВ
1 632 298.81 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "5SNA 2000K450300, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 4,5кВ; Ic: 2кА; STAKPAK" 1.

0.0
5SNA2000K451300
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSTAKPAK Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNA 2000K451300 Обратное напряжение макс.4,5кВ
1 447 715.42 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "5SNA 2000K451300, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 4,5кВ; Ic: 2кА; STAKPAK" 1.

0.0
5SNA2000K452300
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSTAKPAK Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNA 2000K452300 Обратное напряжение макс.4,5кВ
1 042 355.73 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "5SNA 2000K452300, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 4,5кВ; Ic: 2кА; STAKPAK" 1.

0.0
5SNA2400E170305
Конструкция диодаобщий вход, общий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNA 2400E170305
284 113.83 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "5SNA 2400E170305, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход,общий эмиттер" 1.

0.0
5SNA2400N170300
Конструкция диодаобщий вход, общий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNA 2400N170300
278 684.58 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "5SNA 2400N170300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход,общий эмиттер" 1.

0.0
5SNA3000K452300
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSTAKPAK Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNA 3000K452300 Обратное напряжение макс.4,5кВ
1 587 057.71 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "5SNA 3000K452300, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 4,5кВ; Ic: 3кА; STAKPAK" 1.

0.0
5SNA3600E170300
Конструкция диодаобщий вход, общий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNA 3600E170300
394 502.77 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "5SNA 3600E170300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход,общий эмиттер" 1.

0.0
5SND0500N330300
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SND 0500N330300
285 924.11 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "5SND 0500N330300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; IGBT x2; Urmax: 3,3кВ; HIPAK" 1.

0.0
5SND0800M170100
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SND 0800M170100
247 920.95 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "5SND 0800M170100, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; IGBT x2; Urmax: 1,7кВ; HIPAK" 1.

0.0
5SNE0800E330100
Конструкция диодадиод/транзистор, общий вход, общий эмиттер КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNE 0800E330100
336 594.47 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "5SNE 0800E330100, Модуль: IGBT; диод/транзистор,общий вход,общий эмиттер; Ic: 800А" 1.

0.0
5SNE0800G450300
Конструкция диодадиод/транзистор, общий вход, общий эмиттер КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNE 0800G450300
401 740.71 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "5SNE 0800G450300, Модуль: IGBT; диод/транзистор,общий вход,общий эмиттер; Ic: 800А" 1.

0.0
5SNE0800M170100
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNE 0800M170100
235 253.75 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "5SNE 0800M170100, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,buck chopper; HIPAK" 1.

0.0
5SNE1000E330300
Конструкция диодадиод/транзистор, общий вход, общий эмиттер КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNE 1000E330300
336 594.47 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "5SNE 1000E330300, Модуль: IGBT; диод/транзистор,общий вход,общий эмиттер; Ic: 1кА" 1.

0.0
5SNE1600E170300
Конструкция диодадиод/транзистор, общий вход, общий эмиттер КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNE 1600E170300
284 113.83 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "5SNE 1600E170300, Модуль: IGBT; диод/транзистор,общий вход,общий эмиттер; HIPAK" 1.

0.0
5SNE2400E170300
Конструкция диодадиод/транзистор, общий вход, общий эмиттер КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNE 2400E170300
318 498.02 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "5SNE 2400E170300, Модуль: IGBT; диод/транзистор,общий вход,общий эмиттер; HIPAK" 1.

0.0
5SNG0150P450300
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNG 0150P450300
180 964.43 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "5SNG 0150P450300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 4,5кВ" 1.

0.0
5SNG0150Q170300
Конструкция диодатранзистор/транзистор Корпус62PAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNG 0150Q170300
19 724.90 
Доступность: 8 шт.
+

Минимальное количество для товара "5SNG 0150Q170300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

0.0
5SNG0200Q170300
Конструкция диодатранзистор/транзистор Корпус62PAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNG 0200Q170300
19 182.61 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "5SNG 0200Q170300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

0.0
5SNG0250P330305
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNG 0250P330305
173 726.48 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "5SNG 0250P330305, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 3,3кВ" 1.

0.0
5SNG0300Q170300
Конструкция диодатранзистор/транзистор Корпус62PAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNG 0300Q170300
35 650.59 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "5SNG 0300Q170300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

0.0
5SNG0450X330300
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусLINPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNG 0450X330300
177 163.64 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "5SNG 0450X330300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 3,3кВ" 1.

0.0
5SNG1000X170300
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусLINPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNG 1000X170300
150 562.85 
Доступность: 9 шт.
+

Минимальное количество для товара "5SNG 1000X170300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

0.0
62CA1
Класс напряжения1,2кВ Обозначение производителя62CA1 Применениеfor medium and high power application ПроизводительMICROCHIP TECHNOLOGY Сопутствующие товарыASBK-014
17 903.56 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "62CA1, Module: gate driver adapter; 1.2kV; AgileSwitch®" 1.

0.0
62CA2
Класс напряжения1,2кВ Обозначение производителя62CA2 Применениеfor medium and high power application ПроизводительMICROCHIP TECHNOLOGY Сопутствующие товарыASBK-014
17 731.23 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "62CA2, Module: gate driver adapter; 1.2kV; AgileSwitch®" 1.

0.0
62CA4
Класс напряжения1,7кВ Обозначение производителя62CA4 Применениеfor medium and high power application ПроизводительMICROCHIP TECHNOLOGY Сопутствующие товарыASBK-014
17 731.23 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "62CA4, Module: gate driver adapter; 1.7kV; AgileSwitch®" 1.

0.0
62EM1-00001
Вид выходадрайвер SiC MOSFET Выходной ток20А Класс напряжения1,2кВ МонтажPCB Обозначение производителя62EM1-00001
48 196.05 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "62EM1-00001, Module: gate driver board; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge" 1.

0.0
A1C15S12M3
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусACEPACK™1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяA1C15S12M3
7 968.38 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "A1C15S12M3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 15А" 1.

0.0
A1P35S12M3
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусACEPACK™1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяA1P35S12M3
10 033.20 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "A1P35S12M3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 35А" 1.

0.0
A1P50S65M2
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусACEPACK™1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяA1P50S65M2
7 791.30 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "A1P50S65M2, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 50А" 1.

0.0
A2C50S65M2
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусACEPACK™2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяA2C50S65M2
15 092.49 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "A2C50S65M2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 50А" 1.

0.0
A2P75S12M3
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусACEPACK™2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяA2P75S12M3
16 793.68 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "A2P75S12M3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 75А" 1.

0.0
APT100GLQ65JU2
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPT100GLQ65JU2
6 627.67 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APT100GLQ65JU2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 100А" 1.

0.0
APT100GLQ65JU3
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPT100GLQ65JU3
4 426.88 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APT100GLQ65JU3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 650В; Ic: 100А" 1.

0.0
APT100GN120J
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
8 577.08 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APT100GN120J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 70А; SOT227B" 1.

0.0
APT100GN120JDQ4
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
12 713.04 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APT100GN120JDQ4, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 70А; SOT227B" 1.

0.0
APT100GT120JR
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
11 803.95 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APT100GT120JR, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 67А; SOT227B" 1.

0.0
APT100GT120JRDQ4
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
14 128.06 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APT100GT120JRDQ4, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 67А; SOT227B" 1.

0.0
APT100GT120JU2
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPT100GT120JU2
8 994.47 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APT100GT120JU2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
APT100GT120JU3
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPT100GT120JU3
8 994.47 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APT100GT120JU3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 100А" 1.

0.0
APT150GN120J
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
7 509.88 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APT150GN120J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 99А; SOT227B" 1.

0.0
APT150GN120JDQ4
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
15 571.54 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APT150GN120JDQ4, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 99А; SOT227B" 1.

0.0
APT150GN60J
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
7 411.86 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APT150GN60J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 123А; SOT227B" 1.

0.0
APT150GN60JDQ4
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
8 935.97 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APT150GN60JDQ4, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 123А; SOT227B" 1.

0.0
APT150GT120JR
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
14 469.57 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APT150GT120JR, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 90А; SOT227B" 1.

0.0
APT200GN60J
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
8 499.60 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APT200GN60J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 158А; SOT227B" 1.

0.0
APT200GN60JDQ4
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
10 871.15 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APT200GN60JDQ4, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 158А; SOT227B" 1.

0.0
APT200GT60JR
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
10 735.18 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APT200GT60JR, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 100А; SOT227B" 1.

0.0
APT25GLQ120JCU2
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPT25GLQ120JCU2
8 619.76 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APT25GLQ120JCU2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 25А" 1.

0.0
APT35GP120J
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
6 924.90 
Доступность: 1 шт.
+

Минимальное количество для товара "APT35GP120J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 29А; SOT227B" 1.

0.0
APT35GP120JDQ2
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
9 924.11 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APT35GP120JDQ2, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 26А; SOT227B" 1.

0.0
APT35GT120JU2
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPT35GT120JU2
5 743.87 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APT35GT120JU2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 55А" 1.

0.0
APT35GT120JU3
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPT35GT120JU3
5 743.87 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APT35GT120JU3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 35А" 1.

0.0
APT40GF120JRD
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
9 705.93 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APT40GF120JRD, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 42А; SOT227B" 1.

0.0
APT40GF120JRDQ2
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
9 410.28 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APT40GF120JRDQ2, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 42А; SOT227B" 1.

0.0
APT40GL120JU2
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPT40GL120JU2
5 685.38 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APT40GL120JU2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 40А" 1.

0.0
APT40GL120JU3
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPT40GL120JU3
5 685.38 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APT40GL120JU3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 40А" 1.

0.0
APT40GLQ120JCU2
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPT40GLQ120JCU2
9 253.75 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APT40GLQ120JCU2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 40А" 1.

0.0
APT40GP60J
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
6 877.47 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APT40GP60J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 40А; SOT227B" 1.

0.0
APT40GP60JDQ2
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
9 120.95 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APT40GP60JDQ2, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 40А; SOT227B" 1.

0.0
APT40GP90J
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
9 015.02 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APT40GP90J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 900В; Ic: 32А; SOT227B" 1.

0.0
APT40GP90JDQ2
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
10 466.40 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APT40GP90JDQ2, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 900В; Ic: 27А; SOT227B" 1.

0.0
APT45GP120J
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
9 184.19 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APT45GP120J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 34А; SOT227B" 1.

0.0
APT45GP120JDQ2
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
6 820.55 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APT45GP120JDQ2, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 34А; SOT227B" 1.

0.0
APT46GA90JD40
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
7 046.64 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APT46GA90JD40, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 900В; Ic: 46А; SOT227B" 1.

0.0
APT47GA60JD40
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
7 301.19 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APT47GA60JD40, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 47А; SOT227B" 1.

0.0
APT50GF120JRD
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
11 160.47 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APT50GF120JRD, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 64А; SOT227B" 1.

0.0
APT50GF120JRDQ3
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
19 778.66 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APT50GF120JRDQ3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 64А; SOT227B" 1.

0.0
APT50GLQ65JU2
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPT50GLQ65JU2
5 435.57 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APT50GLQ65JU2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 50А" 1.

0.0
APT50GP60J
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
7 345.45 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APT50GP60J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 46А; SOT227B" 1.

0.0
APT50GP60JDQ2
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
7 411.86 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APT50GP60JDQ2, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 46А; SOT227B" 1.

0.0
APT50GR120JD30
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
8 271.94 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APT50GR120JD30, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 50А; SOT227B" 1.

0.0
APT50GT120JU2
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPT50GT120JU2
6 202.37 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APT50GT120JU2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 50А" 1.

0.0
APT50GT120JU3
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPT50GT120JU3
6 202.37 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APT50GT120JU3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 50А" 1.

0.0
APT60GA60JD60
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
7 464.03 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APT60GA60JD60, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 60А; SOT227B" 1.

0.0
APT60GF120JRD
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
17 062.45 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APT60GF120JRD, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 79А; SOT227B" 1.

0.0
APT60GF120JRDQ3
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
25 830.83 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APT60GF120JRDQ3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 79А; SOT227B" 1.

0.0
APT65GP60J
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
8 245.06 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APT65GP60J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 60А; SOT227B" 1.

0.0
APT65GP60JDQ2
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
8 646.64 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APT65GP60JDQ2, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 60А; SOT227B" 1.

0.0
APT70GR120J
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
6 823.72 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APT70GR120J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 70А; SOT227B" 1.

0.0
APT70GR120JD60
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
8 782.61 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APT70GR120JD60, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 70А; SOT227B" 1.

0.0
APT75GN120JDQ3
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
10 664.03 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APT75GN120JDQ3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 57А; SOT227B" 1.

0.0
APT75GP120J
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
10 023.72 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APT75GP120J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 57А; SOT227B" 1.

0.0
APT75GP120JDQ3
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
9 770.75 
Доступность: 5 шт.
+

Минимальное количество для товара "APT75GP120JDQ3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 57А; SOT227B" 1.

0.0
APT75GT120JRDQ3
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
10 654.55 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APT75GT120JRDQ3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 57А; SOT227B" 1.

0.0
APT75GT120JU2
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPT75GT120JU2
7 291.70 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APT75GT120JU2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 75А" 1.

0.0
APT75GT120JU3
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPT75GT120JU3
7 051.38 
Доступность: 10 шт.
+

Минимальное количество для товара "APT75GT120JU3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 75А" 1.

0.0
APT80GP60J
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
9 462.45 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APT80GP60J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 68А; SOT227B" 1.

0.0
APT80GP60JDQ3
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
9 452.96 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APT80GP60JDQ3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 68А; SOT227B" 1.

0.0
APT85GR120J
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
8 015.81 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APT85GR120J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 85А; SOT227B" 1.

0.0
APT85GR120JD60
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
9 280.63 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APT85GR120JD60, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 85А; SOT227B" 1.

0.0
APTGL60DDA120T3G
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGL60DDA120T3G
17 550.99 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APTGL60DDA120T3G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper x2,термистор NTC" 1.

0.0
APTGLQ100A120TG
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGLQ100A120TG
22 126.48 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APTGLQ100A120TG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
APTGLQ100DA120T1G
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGLQ100DA120T1G
16 056.92 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APTGLQ100DA120T1G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор NTC; SP1" 1.

Показать еще 160 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (18)
Хиты продаж