Товары из категории модули igbt - страница 3

Производитель
Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток8...15А Класс напряжения1,7кВ Обозначение производителя2SP0115T2C0-17 ПроизводительPOWER INTEGRATIONS
15 444.70 
Доступность: 12 шт.
 

Минимальное количество для товара "2SP0115T2C0-17, Module: gate driver board; IGBT half-bridge; SCALE™-2; 1.7kV" 1.

Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток20А Класс напряжения1,2кВ Монтажвинтами Обозначение производителя2SP0320T2A0-12
40 725.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "2SP0320T2A0-12, Module: gate driver board; IGBT half-bridge; screw; SCALE™-2" 1.

Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток20А Класс напряжения1,7кВ Монтажвинтами Обозначение производителя2SP0320T2A0-17
40 725.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "2SP0320T2A0-17, Module: gate driver board; IGBT half-bridge; screw; SCALE™-2" 1.

Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток20А Класс напряжения1,2кВ Монтажвинтами Обозначение производителя2SP0320T2C0-12
40 725.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "2SP0320T2C0-12, Module: gate driver board; IGBT half-bridge; screw; SCALE™-2" 1.

Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток20А Класс напряжения1,7кВ Монтажвинтами Обозначение производителя2SP0320T2C0-17
38 850.26 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "2SP0320T2C0-17, Module: gate driver board; IGBT half-bridge; screw; SCALE™-2" 1.

Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток20А Класс напряжения1,2кВ Монтажвинтами Обозначение производителя2SP0320V2A0-12
53 586.16 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "2SP0320V2A0-12, Module: gate driver board; IGBT half-bridge; screw; SCALE™-2" 1.

Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток20А Класс напряжения1,7кВ Монтажвинтами Обозначение производителя2SP0320V2A0-17
53 586.16 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "2SP0320V2A0-17, Module: gate driver board; IGBT half-bridge; screw; SCALE™-2" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSTAKPAK Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SJA 2000L520301 Обратное напряжение макс.5,2кВ
1 406 632.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "5SJA 2000L520301, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 5,2кВ; Ic: 2кА; STAKPAK" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSTAKPAK Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SJA 3000L520300 Обратное напряжение макс.5,2кВ
2 047 749.44 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "5SJA 3000L520300, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 5,2кВ; Ic: 3кА; STAKPAK" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSTAKPAK Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SMA 3000L450300 Обратное напряжение макс.4,5кВ
1 226 735.89 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "5SMA 3000L450300, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 4,5кВ; Ic: 3кА; STAKPAK" 1.

Конструкция диодаобщий вход, общий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNA 0400J650100
359 791.57 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "5SNA 0400J650100, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход,общий эмиттер" 1.

Конструкция диодаобщий вход, общий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNA 0500J650300
388 498.12 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "5SNA 0500J650300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход,общий эмиттер" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNA 0600G650100
491 843.49 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "5SNA 0600G650100, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 600А" 1.

Конструкция диодаобщий вход, общий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNA 0650J450300
327 257.34 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "5SNA 0650J450300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход,общий эмиттер" 1.

Конструкция диодаобщий вход, общий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNA 0800J450300
352 135.44 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "5SNA 0800J450300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход,общий эмиттер" 1.

Конструкция диодаобщий вход, общий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNA 0800N330100
294 722.35 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "5SNA 0800N330100, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход,общий эмиттер" 1.

Конструкция диодаобщий вход, общий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNA 1000G650300
614 325.06 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "5SNA 1000G650300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход,общий эмиттер" 1.

Конструкция диодаобщий вход, общий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNA 1000N330300
283 240.78 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "5SNA 1000N330300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход,общий эмиттер" 1.

Конструкция диодаобщий вход, общий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNA 1200E330100
359 791.57 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "5SNA 1200E330100, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход,общий эмиттер" 1.

Конструкция диодаобщий вход, общий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNA 1200G330100
468 878.10 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "5SNA 1200G330100, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход,общий эмиттер" 1.

Показать еще 20 товаров

Модули IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) — это высокомощные полупроводниковые сборки, сочетающие IGBT-транзисторы и обратные диоды** в одном корпусе. Предназначены для эффективного управления высоким напряжением и током в системах преобразования энергии: частотных преобразователях, источниках бесперебойного питания, сварочных аппаратах, инверторах и электроприводах.

Обеспечивают высокую эффективность, быстрое переключение и низкие потери мощности.

В каталоге 7-el.ru — модули IGBT от проверенных производителей: KEFA, Infineon, Mitsubishi Electric, Fuji Electric, Semikron, ABB, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж