Товары из категории модули igbt, стр.33

Производитель

Модули IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) — это высокомощные полупроводниковые сборки, сочетающие IGBT-транзисторы и обратные диоды** в одном корпусе. Предназначены для эффективного управления высоким напряжением и током в системах преобразования энергии: частотных преобразователях, источниках бесперебойного питания, сварочных аппаратах, инверторах и электроприводах.

Обеспечивают высокую эффективность, быстрое переключение и низкие потери мощности.

В каталоге 7-el.ru — модули IGBT от проверенных производителей: KEFA, Infineon, Mitsubishi Electric, Fuji Electric, Semikron, ABB, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
SEMIX453GB07E3P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB07E3P 27895704
113 984.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX453GB07E3P 27895704, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX453GB12E4I33P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB12E4I33P 27897020
128 603.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX453GB12E4I33P 27897020, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; токовый шунт,полумост IGBT" 1.

0.0
SEMIX453GB12E4IP
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB12E4IP 27897004
124 161.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX453GB12E4IP 27897004, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; токовый шунт,полумост IGBT" 1.

0.0
SEMIX453GB12E4P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB12E4P 27895004
120 276.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX453GB12E4P 27895004, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX453GB12E4S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB12E4S 27890140
118 425.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX453GB12E4S 27890140, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX453GB12M7P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB12M7P 27895104
116 945.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX453GB12M7P 27895104, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX453GB12VS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB12VS 27890141
137 299.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX453GB12VS 27890141, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX453GB17E4DP
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB17E4DP 27895414
150 252.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX453GB17E4DP 27895414, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX453GB17E4I50P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB17E4I50P 27897030
156 729.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX453GB17E4I50P 27897030, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; токовый шунт,полумост IGBT" 1.

0.0
SEMIX453GB17E4IP
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB17E4IP 27897404
149 697.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX453GB17E4IP 27897404, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; токовый шунт,полумост IGBT" 1.

0.0
SEMIX453GB17E4P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB17E4P 27895404
145 627.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX453GB17E4P 27895404, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX453GB17E4S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB17E4S 27892130
149 883.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX453GB17E4S 27892130, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX453GD12E4C
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®33c Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GD12E4C 27890212
333 072.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX453GD12E4C 27890212, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 450А" 1.

0.0
SEMIX453GD176HDC
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®33c Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GD176HDC 27890435
395 985.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX453GD176HDC 27890435, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 300А" 1.

0.0
SEMIX453GD17E4C
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®33c Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GD17E4C 27892073
427 443.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX453GD17E4C 27892073, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 450А" 1.

0.0
SEMIX453GM12E4P
Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GM12E4P 27895064
130 268.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX453GM12E4P 27895064, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2" 1.

0.0
SEMIX503GD126HDC
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®33c Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX503GD126HDC 27890740
347 875.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX503GD126HDC 27890740, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 300А" 1.

0.0
SEMIX603GAL066HDS
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GAL066HDS 27891130
79 382.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX603GAL066HDS 27891130, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 600А" 1.

0.0
SEMIX603GAL12E4P
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GAL12E4P 27895020
125 641.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX603GAL12E4P 27895020, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 600А" 1.

0.0
SEMIX603GAL17E4P
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GAL17E4P 27894420
124 531.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX603GAL17E4P 27894420, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 600А" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (18)
Хиты продаж