Товары из категории модули igbt - страница 37

Производитель
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусV1-A-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIXA60HU1200VA
6 392.97 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA60HU1200VA, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,buck chopper; 290Вт" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIXA60W1200TED
19 576.45 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA60W1200TED, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 60А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIXA60WB1200TEH
19 265.29 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA60WB1200TEH, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 60А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIXA60WH1200TEH
29 274.46 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA60WH1200TEH, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 60А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIXA61H1200ED
18 819.57 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA61H1200ED, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост; Urmax: 1,2кВ; Ic: 60А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Обозначение производителяMIXA61WB1200TEH Обратное напряжение макс.1,2кВ
27 879.97 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA61WB1200TEH, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; XPT™" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусV1-A-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIXA80R1200VA
5 656.73 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA80R1200VA, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 84А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Обозначение производителяMIXA80W1200PTEH Обратное напряжение макс.1,2кВ
34 451.83 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA80W1200PTEH, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 84А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIXA80W1200TED
22 503.06 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA80W1200TED, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 84А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIXA80W1200TEH
26 287.46 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA80W1200TEH, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 84А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIXA80WB1200TEH
27 429.66 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA80WB1200TEH, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 84А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIXA81H1200EH
25 291.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA81H1200EH, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост; Urmax: 1,2кВ; Ic: 84А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIXA81WB1200TEH
31 863.15 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXA81WB1200TEH, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 84А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Обозначение производителяMIXG120W1200PTEH Обратное напряжение макс.1,2кВ
41 621.56 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXG120W1200PTEH, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 140А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Обозначение производителяMIXG120W1200TEH Обратное напряжение макс.1,2кВ
41 621.56 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXG120W1200TEH, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 140А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Обозначение производителяMIXG180W1200PTEH Обратное напряжение макс.1,2кВ
52 374.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXG180W1200PTEH, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 195А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Обозначение производителяMIXG180W1200TEH Обратное напряжение макс.1,2кВ
52 374.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXG180W1200TEH, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 195А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack PFP Механический монтажвинтами Обозначение производителяMIXG240RF1200PTED Обратное напряжение макс.1,2кВ
15 055.05 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXG240RF1200PTED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; X2PT" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Обозначение производителяMIXG240W1200PTEH Обратное напряжение макс.1,2кВ
61 535.93 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXG240W1200PTEH, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 233А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Обозначение производителяMIXG240W1200PZTEH Обратное напряжение макс.1,2кВ
65 717.13 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MIXG240W1200PZTEH, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; токовый шунт; Urmax: 1,2кВ" 1.

Показать еще 20 товаров

Модули IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) — это высокомощные полупроводниковые сборки, сочетающие IGBT-транзисторы и обратные диоды** в одном корпусе. Предназначены для эффективного управления высоким напряжением и током в системах преобразования энергии: частотных преобразователях, источниках бесперебойного питания, сварочных аппаратах, инверторах и электроприводах.

Обеспечивают высокую эффективность, быстрое переключение и низкие потери мощности.

В каталоге 7-el.ru — модули IGBT от проверенных производителей: KEFA, Infineon, Mitsubishi Electric, Fuji Electric, Semikron, ABB, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж