Производитель
0.0
SKM450GB12T4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM450GB12T4 22892096
72 650 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM450GB12T4 22892096, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM450GB12T4D1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM450GB12T4D1 22892097
75 594 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM450GB12T4D1 22892097, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM450GM12E4D1
Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM450GM12E4D1 22892140
75 594 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM450GM12E4D1 22892140, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2" 1.

0.0
SKM50GAL12T4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM50GAL12T4 22892290
11 545 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM50GAL12T4 22892290, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 50А" 1.

0.0
SKM50GB12T4
ВерсияD61 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
11 733 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM50GB12T422892000, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM50GB12V
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM50GB12V 22892003
14 374 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM50GB12V 22892003, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM50GD125D
ВерсияD67 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
64 207 
Доступность: 12 шт.
+

Минимальное количество для товара "SKM50GD125D 21918010, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 50А" 1.

0.0
SKM600GA125D
ВерсияD59 Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSEMITRANS4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
79 718 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM600GA125D 21915560, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 400А; D59" 1.

0.0
SKM600GA126D
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSEMITRANS4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM600GA126D 21915720
65 973 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM600GA126D 21915720, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 400А; винтами" 1.

0.0
SKM600GA12E4
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSEMITRANS4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM600GA12E4 22892114
56 745 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM600GA12E4 22892114, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 600А; винтами" 1.

0.0
SKM600GA12T4
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSEMITRANS4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM600GA12T4 22892110
56 942 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM600GA12T4 22892110, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 600А; винтами" 1.

0.0
SKM600GA12V
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSEMITRANS4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM600GA12V 22892113
64 402 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM600GA12V 22892113, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 600А; винтами" 1.

0.0
SKM600GA176D
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSEMITRANS4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM600GA176D 22890432
66 759 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM600GA176D 22890432, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 400А; винтами" 1.

0.0
SKM600GA17E4
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSEMITRANS4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM600GA17E4 22895080
52 818 
Доступность: 2 шт.
+

Минимальное количество для товара "SKM600GA17E4 22895080, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 775А; винтами" 1.

0.0
SKM600GAL126D
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM600GAL126D 21916010
73 827 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM600GAL126D 21916010, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM600GAL12T4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM600GAL12T4 22892280
61 065 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM600GAL12T4 22892280, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM600GAR12T4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM600GAR12T4 22892428
61 065 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM600GAR12T4 22892428, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 600А" 1.

0.0
SKM600GB07E3
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM600GB07E3 22895570
74 024 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM600GB07E3 22895570, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 1.

0.0
SKM600GB126D
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM600GB126D 22890638
96 997 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM600GB126D 22890638, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM600GB12E4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM600GB12E4 22892092
89 143 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM600GB12E4 22892092, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM600GB12T4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM600GB12T4 22892098
90 910 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM600GB12T4 22892098, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM600GM12E4
Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM600GM12E4 22892094
90 713 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM600GM12E4 22892094, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2" 1.

0.0
SKM75GAL063D
ВерсияD61 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
7 854 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM75GAL063D, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 600В; Ic: 75А" 1.

0.0
SKM75GB12F4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM75GB12F4 22896010
15 846 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM75GB12F4 22896010, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (18)