Товары из категории модули igbt, стр.5

Производитель

Модули IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) — это высокомощные полупроводниковые сборки, сочетающие IGBT-транзисторы и обратные диоды** в одном корпусе. Предназначены для эффективного управления высоким напряжением и током в системах преобразования энергии: частотных преобразователях, источниках бесперебойного питания, сварочных аппаратах, инверторах и электроприводах.

Обеспечивают высокую эффективность, быстрое переключение и низкие потери мощности.

В каталоге 7-el.ru — модули IGBT от проверенных производителей: KEFA, Infineon, Mitsubishi Electric, Fuji Electric, Semikron, ABB, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
5SNE1600E170300
Конструкция диодадиод/транзистор, общий вход, общий эмиттер КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNE 1600E170300
284 113.83 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "5SNE 1600E170300, Модуль: IGBT; диод/транзистор,общий вход,общий эмиттер; HIPAK" 1.

0.0
5SNE2400E170300
Конструкция диодадиод/транзистор, общий вход, общий эмиттер КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNE 2400E170300
318 498.02 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "5SNE 2400E170300, Модуль: IGBT; диод/транзистор,общий вход,общий эмиттер; HIPAK" 1.

0.0
5SNG0150P450300
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNG 0150P450300
180 964.43 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "5SNG 0150P450300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 4,5кВ" 1.

0.0
5SNG0150Q170300
Конструкция диодатранзистор/транзистор Корпус62PAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNG 0150Q170300
19 724.90 
Доступность: 8 шт.
+

Минимальное количество для товара "5SNG 0150Q170300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

0.0
5SNG0200Q170300
Конструкция диодатранзистор/транзистор Корпус62PAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNG 0200Q170300
19 182.61 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "5SNG 0200Q170300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

0.0
5SNG0250P330305
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNG 0250P330305
173 726.48 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "5SNG 0250P330305, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 3,3кВ" 1.

0.0
5SNG0300Q170300
Конструкция диодатранзистор/транзистор Корпус62PAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNG 0300Q170300
35 650.59 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "5SNG 0300Q170300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

0.0
5SNG0450X330300
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусLINPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNG 0450X330300
177 163.64 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "5SNG 0450X330300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 3,3кВ" 1.

0.0
5SNG1000X170300
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусLINPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNG 1000X170300
150 562.85 
Доступность: 9 шт.
+

Минимальное количество для товара "5SNG 1000X170300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

0.0
62CA1
Класс напряжения1,2кВ Обозначение производителя62CA1 Применениеfor medium and high power application ПроизводительMICROCHIP TECHNOLOGY Сопутствующие товарыASBK-014
17 903.56 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "62CA1, Module: gate driver adapter; 1.2kV; AgileSwitch®" 1.

0.0
62CA2
Класс напряжения1,2кВ Обозначение производителя62CA2 Применениеfor medium and high power application ПроизводительMICROCHIP TECHNOLOGY Сопутствующие товарыASBK-014
17 731.23 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "62CA2, Module: gate driver adapter; 1.2kV; AgileSwitch®" 1.

0.0
62CA4
Класс напряжения1,7кВ Обозначение производителя62CA4 Применениеfor medium and high power application ПроизводительMICROCHIP TECHNOLOGY Сопутствующие товарыASBK-014
17 731.23 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "62CA4, Module: gate driver adapter; 1.7kV; AgileSwitch®" 1.

0.0
62EM1-00001
Вид выходадрайвер SiC MOSFET Выходной ток20А Класс напряжения1,2кВ МонтажPCB Обозначение производителя62EM1-00001
48 196.05 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "62EM1-00001, Module: gate driver board; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge" 1.

0.0
A1C15S12M3
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусACEPACK™1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяA1C15S12M3
7 968.38 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "A1C15S12M3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 15А" 1.

0.0
A1P35S12M3
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусACEPACK™1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяA1P35S12M3
10 033.20 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "A1P35S12M3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 35А" 1.

0.0
A1P50S65M2
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусACEPACK™1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяA1P50S65M2
7 791.30 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "A1P50S65M2, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 50А" 1.

0.0
A2C50S65M2
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусACEPACK™2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяA2C50S65M2
15 092.49 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "A2C50S65M2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 50А" 1.

0.0
A2P75S12M3
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусACEPACK™2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяA2P75S12M3
16 793.68 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "A2P75S12M3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 75А" 1.

0.0
APT100GLQ65JU2
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPT100GLQ65JU2
6 627.67 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APT100GLQ65JU2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 100А" 1.

0.0
APT100GLQ65JU3
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPT100GLQ65JU3
4 426.88 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APT100GLQ65JU3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 650В; Ic: 100А" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (18)
Хиты продаж