Товары из категории модули igbt, стр.52

Производитель

Модули IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) — это высокомощные полупроводниковые сборки, сочетающие IGBT-транзисторы и обратные диоды** в одном корпусе. Предназначены для эффективного управления высоким напряжением и током в системах преобразования энергии: частотных преобразователях, источниках бесперебойного питания, сварочных аппаратах, инверторах и электроприводах.

Обеспечивают высокую эффективность, быстрое переключение и низкие потери мощности.

В каталоге 7-el.ru — модули IGBT от проверенных производителей: KEFA, Infineon, Mitsubishi Electric, Fuji Electric, Semikron, ABB, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
SKM400GB126D
ВерсияD56 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
62 167.59 
Доступность: 15 шт.
+

Минимальное количество для товара "SKM400GB126D22890635, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM400GB12E4
ВерсияD56 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
53 573.12 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM400GB12E4 22892087, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM400GB12F4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM400GB12F4 22896080
65 641.11 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM400GB12F4 22896080, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM400GB12T4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM400GB12T4 22892080
62 167.59 
Доступность: 12 шт.
+

Минимальное количество для товара "SKM400GB12T4 22892080, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM400GB12V
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM400GB12V 22892083
61 253.75 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM400GB12V 22892083, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM400GB176D
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM400GB176D 22890710
80 086.96 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM400GB176D 22890710, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

0.0
SKM400GB176DL3
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS9 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM400GB176DL3 21920000
173 337.55 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM400GB176DL3 21920000, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

0.0
SKM400GB17E4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM400GB17E4 22895010
78 075.89 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM400GB17E4 22895010, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

0.0
SKM400GM12T4
Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM400GM12T4 22892490
61 618.97 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM400GM12T4 22892490, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2" 1.

0.0
SKM400GM17E4
Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM400GM17E4 22895160
78 257.71 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM400GM17E4 22895160, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2" 1.

0.0
SKM450GB12E4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM450GB12E4 22892090
67 470.36 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM450GB12E4 22892090, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM450GB12E4D1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM450GB12E4D1 22892091
70 395.26 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM450GB12E4D1 22892091, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM450GB12T4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM450GB12T4 22892096
67 653.75 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM450GB12T4 22892096, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM450GB12T4D1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM450GB12T4D1 22892097
70 395.26 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM450GB12T4D1 22892097, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM450GM12E4D1
Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM450GM12E4D1 22892140
70 395.26 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM450GM12E4D1 22892140, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2" 1.

0.0
SKM50GAL12T4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM50GAL12T4 22892290
10 750.99 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM50GAL12T4 22892290, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 50А" 1.

0.0
SKM50GB12T4
ВерсияD61 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
10 926.48 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM50GB12T422892000, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM50GB12V
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM50GB12V 22892003
13 384.98 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM50GB12V 22892003, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM50GD125D
ВерсияD67 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
59 791.30 
Доступность: 7 шт.
+

Минимальное количество для товара "SKM50GD125D 21918010, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 50А" 1.

0.0
SKM600GA125D
ВерсияD59 Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSEMITRANS4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
74 235.57 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM600GA125D 21915560, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 400А; D59" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (18)
Хиты продаж