Товары из категории модули igbt - страница 54

Производитель
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM450GB12T4 22892096
70 597.90 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM450GB12T4 22892096, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM450GB12T4D1 22892097
73 459.86 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM450GB12T4D1 22892097, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM450GM12E4D1 22892140
73 459.86 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM450GM12E4D1 22892140, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM50GAL12T4 22892290
11 219.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM50GAL12T4 22892290, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 50А" 1.

ВерсияD61 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
11 402.85 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM50GB12T422892000, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM50GB12V 22892003
13 967.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM50GB12V 22892003, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

ВерсияD67 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
64 272.32 
Доступность: 8 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKM50GD125D 21918010, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 50А" 1.

ВерсияD59 Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSEMITRANS4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
77 467.37 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM600GA125D 21915560, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 400А; D59" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSEMITRANS4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM600GA126D 21915720
64 110.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM600GA126D 21915720, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 400А; винтами" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSEMITRANS4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM600GA12E4 22892114
55 141.79 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM600GA12E4 22892114, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 600А; винтами" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSEMITRANS4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM600GA12T4 22892110
55 333.08 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM600GA12T4 22892110, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 600А; винтами" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSEMITRANS4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM600GA12V 22892113
62 583.65 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM600GA12V 22892113, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 600А; винтами" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSEMITRANS4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM600GA176D 22890432
64 872.47 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM600GA176D 22890432, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 400А; винтами" 1.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSEMITRANS4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM600GA17E4 22895080
51 326.33 
Доступность: 5 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKM600GA17E4 22895080, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 775А; винтами" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM600GAL126D 21916010
71 741.94 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM600GAL126D 21916010, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM600GAL12T4 22892280
59 340.59 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM600GAL12T4 22892280, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM600GAR12T4 22892428
59 340.59 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM600GAR12T4 22892428, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 600А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM600GB07E3 22895570
71 933.23 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM600GB07E3 22895570, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM600GB126D 22890638
94 256.56 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM600GB126D 22890638, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM600GB12E4 22892092
86 624.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM600GB12E4 22892092, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Показать еще 20 товаров

Модули IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) — это высокомощные полупроводниковые сборки, сочетающие IGBT-транзисторы и обратные диоды** в одном корпусе. Предназначены для эффективного управления высоким напряжением и током в системах преобразования энергии: частотных преобразователях, источниках бесперебойного питания, сварочных аппаратах, инверторах и электроприводах.

Обеспечивают высокую эффективность, быстрое переключение и низкие потери мощности.

В каталоге 7-el.ru — модули IGBT от проверенных производителей: KEFA, Infineon, Mitsubishi Electric, Fuji Electric, Semikron, ABB, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж