Москва
 +7(499)550-50-61

Товары из категории памяти dram - микросхемы - страница 33

Категории
Полупроводники
Микросхемы
Памяти - микросхемы
Памяти DRAM - микросхемы
Памяти EEPROM - микросхемы
Памяти FRAM - микросхемы
Памяти остальн. - микросхемы
Памяти FLASH - микросхемы
Памяти SRAM - микросхемы
Фильтры товаров
Тип микросхемы
Память
Рабочее напряжение
Структура памяти
Тактовая частота
Время доступа
Корпус
Вид памяти
Монтаж
Рабочая температура
Производитель
Сортировать по:
Новинки ниже
AS4C128M16D2A-25BIN, IC: память DRAM; 2ГбDRAM; 128Мx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84
0.0
AS4C128M16D2A-25BI
Вид памятиDDR2, SDRAM Вид упаковкилоток Виды интерфейсапараллельный Время доступа12,5нс Код производителяAS4C128M16D2A-25BIN
3 116.09 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AS4C128M16D2A-25BIN, IC: память DRAM; 2ГбDRAM; 128Мx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84" 1.

AS4C128M16D3LB-12BI, IC: память DRAM; 2ГбDRAM; 128Мx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; лоток
0.0
AS4C128M16D3LB12BI
Вид памятиDDR3, SDRAM Вид упаковкилоток Виды интерфейсапараллельный Время доступа13,75нс Код производителяAS4C128M16D3LB-12BI
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AS4C128M16D3LB-12BI, IC: память DRAM; 2ГбDRAM; 128Мx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; лоток" 1.

AS4C128M8D1-6TIN, IC: память DRAM; 1024МбDRAM; 128Мx8бит; 2,3÷2,7В; 166МГц; 700пс
0.0
AS4C128M8D1-6TIN
Вид памятиDDR1, SDRAM Виды интерфейсапараллельный Время доступа0,7нс Код производителяAS4C128M8D1-6TIN КорпусTSOP66 II
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AS4C128M8D1-6TIN, IC: память DRAM; 1024МбDRAM; 128Мx8бит; 2,3÷2,7В; 166МГц; 700пс" 1.

AS4C128M8D1-6TINTR, IC: память DRAM; 1ГбDRAM; 128Мx8бит; 2,5В; 166МГц; TSOP66 II
0.0
AS4C128M8D1-6TINTR
Вид памятиDDR1, SDRAM Вид упаковкибобина Код производителяAS4C128M8D1-6TINTR КорпусTSOP66 II МонтажSMD
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AS4C128M8D1-6TINTR, IC: память DRAM; 1ГбDRAM; 128Мx8бит; 2,5В; 166МГц; TSOP66 II" 1.

AS4C128M8D2A-25BCN, IC: память DRAM; 1024МбDRAM; 128Мx8бит; 1,7÷1,9В; 400МГц; 400пс
0.0
AS4C128M8D2A-25BCN
Вид памятиDDR2, SDRAM Виды интерфейсапараллельный Время доступа0,4нс Код производителяAS4C128M8D2A-25BCN КорпусFBGA60
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AS4C128M8D2A-25BCN, IC: память DRAM; 1024МбDRAM; 128Мx8бит; 1,7÷1,9В; 400МГц; 400пс" 1.

AS4C128M8D2A-25BIN, IC: память DRAM; 1024МбDRAM; 128Мx8бит; 1,7÷1,9В; 400МГц; 400пс
0.0
AS4C128M8D2A-25BIN
Вид памятиDDR2, SDRAM Виды интерфейсапараллельный Время доступа0,4нс Код производителяAS4C128M8D2A-25BIN КорпусFBGA60
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AS4C128M8D2A-25BIN, IC: память DRAM; 1024МбDRAM; 128Мx8бит; 1,7÷1,9В; 400МГц; 400пс" 1.

AS4C128M8D3B-12BAN, IC: память DRAM; 1ГбDRAM; 128Мx8бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78
0.0
AS4C128M8D3B-12BAN
Вид памятиDDR3, SDRAM Вид упаковкилоток Время доступа13,75нс Код производителяAS4C128M8D3B-12BAN КорпусFBGA78
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AS4C128M8D3B-12BAN, IC: память DRAM; 1ГбDRAM; 128Мx8бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78" 1.

AS4C128M8D3B-12BCN, IC: память DRAM; 1ГбDRAM; 128Мx8бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78
0.0
AS4C128M8D3B-12BCN
Вид памятиDDR3, SDRAM Вид упаковкилоток Виды интерфейсапараллельный Время доступа13,75нс Код производителяAS4C128M8D3B-12BCN
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AS4C128M8D3B-12BCN, IC: память DRAM; 1ГбDRAM; 128Мx8бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78" 1.

AS4C128M8D3B-12BIN, IC: память DRAM; 1ГбDRAM; 128Мx8бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78
0.0
AS4C128M8D3B-12BIN
Вид памятиDDR3, SDRAM Вид упаковкилоток Виды интерфейсапараллельный Время доступа13,75нс Код производителяAS4C128M8D3B-12BIN
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AS4C128M8D3B-12BIN, IC: память DRAM; 1ГбDRAM; 128Мx8бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78" 1.

AS4C128M8D3LB-12BCN, IC: память DRAM; 1ГбDRAM; 128Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78
0.0
AS4C128M8D3LB12BCN
Вид памятиDDR3, SDRAM Вид упаковкилоток Виды интерфейсапараллельный Время доступа13,75нс Код производителяAS4C128M8D3LB-12BCN
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AS4C128M8D3LB-12BCN, IC: память DRAM; 1ГбDRAM; 128Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78" 1.

AS4C16M16D1-5BCN, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 2,5В; 200МГц; 15нс; 0÷70°C
0.0
AS4C16M16D1-5BCN
Вид памятиDDR1, SDRAM Вид упаковкилоток Виды интерфейсапараллельный Время доступа15нс Код производителяAS4C16M16D1-5BCN
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AS4C16M16D1-5BCN, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 2,5В; 200МГц; 15нс; 0÷70°C" 1.

AS4C16M16D1-5BCNTR, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 2,5В; 200МГц; 15нс; 0÷70°C
0.0
AS4C16M16D1-5BCNTR
Вид памятиDDR1, SDRAM Вид упаковкибобина Время доступа15нс Код производителяAS4C16M16D1-5BCNTR МонтажSMD
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AS4C16M16D1-5BCNTR, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 2,5В; 200МГц; 15нс; 0÷70°C" 1.

AS4C16M16D1-5BIN, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 2,5В; 200МГц; 15нс; лоток
0.0
AS4C16M16D1-5BIN
Вид памятиDDR1, SDRAM Вид упаковкилоток Виды интерфейсапараллельный Время доступа15нс Код производителяAS4C16M16D1-5BIN
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AS4C16M16D1-5BIN, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 2,5В; 200МГц; 15нс; лоток" 1.

AS4C16M16D1-5BINTR, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 2,5В; 200МГц; 15нс; бобина
0.0
AS4C16M16D1-5BINTR
Вид памятиDDR1, SDRAM Вид упаковкибобина Время доступа15нс Код производителяAS4C16M16D1-5BINTR МонтажSMD
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AS4C16M16D1-5BINTR, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 2,5В; 200МГц; 15нс; бобина" 1.

AS4C16M16D1A-5TCN, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II
0.0
AS4C16M16D1A-5TCN
Вид памятиDDR1, SDRAM Вид упаковкилоток Виды интерфейсапараллельный Код производителяAS4C16M16D1A-5TCN КорпусTSOP66 II
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AS4C16M16D1A-5TCN, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II" 1.

AS4C16M16D1A-5TIN, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II
0.0
AS4C16M16D1A-5TIN
Вид памятиDDR1, SDRAM Вид упаковкилоток Виды интерфейсапараллельный Код производителяAS4C16M16D1A-5TIN КорпусTSOP66 II
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AS4C16M16D1A-5TIN, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II" 1.

AS4C16M16D2-25BCN, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; лоток
0.0
AS4C16M16D2-25BCN
Вид памятиDDR2, SDRAM Вид упаковкилоток Виды интерфейсапараллельный Время доступа12,5нс Код производителяAS4C16M16D2-25BCN
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AS4C16M16D2-25BCN, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; лоток" 1.

AS4C16M16D2-25BIN, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; лоток
0.0
AS4C16M16D2-25BIN
Вид памятиDDR2, SDRAM Вид упаковкилоток Виды интерфейсапараллельный Время доступа12,5нс Код производителяAS4C16M16D2-25BIN
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AS4C16M16D2-25BIN, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; лоток" 1.

AS4C16M16MD1-6BCN, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 1,7÷1,95В; 166МГц; 6,5нс
0.0
AS4C16M16MD1-6BCN
Вид памятиDDR1, SDRAM Виды интерфейсапараллельный Время доступа6,5нс Код производителяAS4C16M16MD1-6BCN КорпусFPBGA60
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AS4C16M16MD1-6BCN, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 1,7÷1,95В; 166МГц; 6,5нс" 1.

AS4C16M16MSA-6BIN, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 1,7В; 166МГц; 5,5нс; FBGA54
0.0
AS4C16M16MSA-6BIN
Вид памятиDDR1, SDRAM Вид упаковкилоток Виды интерфейсапараллельный Время доступа5,5нс Код производителяAS4C16M16MSA-6BIN
1 781.92 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AS4C16M16MSA-6BIN, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 1,7В; 166МГц; 5,5нс; FBGA54" 1.

Показать еще 20 товаров
Хиты продаж