Москва
 +7(993)080-09-37

Товары из категории памяти dram - микросхемы - страница 34

Производитель
Сортировать по:
Новинки ниже
AS4C16M16MSA-6BINTR, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 1,7В; 166МГц; 5,5нс; FBGA54
0.0
AS4C16M16MSA-6BINT
Вид памятиDDR1, SDRAM Вид упаковкибобина Виды интерфейсапараллельный Время доступа5,5нс КорпусFBGA54
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AS4C16M16MSA-6BINTR, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 1,7В; 166МГц; 5,5нс; FBGA54" 1.

AS4C16M16SA-6BAN, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; FBGA54
0.0
AS4C16M16SA-6BAN
Вид памятиSDRAM Вид упаковкилоток Время доступа5,4нс КорпусFBGA54 МонтажSMD
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AS4C16M16SA-6BAN, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; FBGA54" 1.

AS4C16M16SA-6BANTR, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; FBGA54
0.0
AS4C16M16SA-6BANTR
Вид памятиSDRAM Вид упаковкибобина Время доступа5,4нс КорпусFBGA54 МонтажSMD
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AS4C16M16SA-6BANTR, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; FBGA54" 1.

AS4C16M16SA-6BIN, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3÷3,6В; 166МГц; 6нс
0.0
AS4C16M16SA-6BIN
Вид памятиSDRAM Виды интерфейсапараллельный Время доступа6нс КорпусTFBGA54 МонтажSMD
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AS4C16M16SA-6BIN, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3÷3,6В; 166МГц; 6нс" 1.

AS4C16M16SA-6BINTR, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; FBGA54
0.0
AS4C16M16SA-6BINTR
Вид памятиSDRAM Вид упаковкибобина Время доступа5,4нс КорпусFBGA54 МонтажSMD
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AS4C16M16SA-6BINTR, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; FBGA54" 1.

AS4C16M16SA-6TAN, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
0.0
AS4C16M16SA-6TAN
Вид памятиSDRAM Вид упаковкилоток Время доступа5,4нс КорпусTSOP54 II МонтажSMD
1 121.56 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AS4C16M16SA-6TAN, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток" 1.

AS4C16M16SA-6TANTR, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; бобина
0.0
AS4C16M16SA-6TANTR
Вид памятиSDRAM Вид упаковкибобина Время доступа5,4нс КорпусTSOP54 II МонтажSMD
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AS4C16M16SA-6TANTR, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; бобина" 1.

AS4C16M16SA-6TCN, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C
0.0
AS4C16M16SA-6TCN
Вид памятиSDRAM Вид упаковкилоток Виды интерфейсапараллельный Время доступа5,4нс КорпусTSOP54 II
535.17 ₽
Доступность: 26 шт.
 

Минимальное количество для товара "AS4C16M16SA-6TCN, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C" 1.

AS4C16M16SA-6TCNTR, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C
0.0
AS4C16M16SA-6TCNTR
Вид памятиSDRAM Вид упаковкибобина Виды интерфейсапараллельный Время доступа5,4нс КорпусTSOP54 II
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AS4C16M16SA-6TCNTR, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C" 1.

AS4C16M16SA-6TIN, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
0.0
AS4C16M16SA-6TIN
Вид памятиSDRAM Вид упаковкилоток Виды интерфейсапараллельный Время доступа5,4нс КорпусTSOP54 II
763.76 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AS4C16M16SA-6TIN, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток" 1.

AS4C16M16SA-7BCN, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3÷3,6В; 143МГц; 6нс; 0÷70°C
0.0
AS4C16M16SA-7BCN
Вид памятиSDRAM Виды интерфейсапараллельный Время доступа6нс КорпусTFBGA55 МонтажSMD
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AS4C16M16SA-7BCN, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3÷3,6В; 143МГц; 6нс; 0÷70°C" 1.

AS4C16M16SA-7BCNTR, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; FBGA54
0.0
AS4C16M16SA-7BCNTR
Вид памятиSDRAM Вид упаковкибобина Время доступа5,4нс КорпусFBGA54 МонтажSMD
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AS4C16M16SA-7BCNTR, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; FBGA54" 1.

AS4C16M16SA-7TCN, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
0.0
AS4C16M16SA-7TCN
Вид памятиSDRAM Вид упаковкилоток Виды интерфейсапараллельный Время доступа5,4нс КорпусTSOP54 II
698.01 ₽
Доступность: 288 шт.
 

Минимальное количество для товара "AS4C16M16SA-7TCN, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C" 1.

AS4C16M16SA-7TCNTR, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
0.0
AS4C16M16SA-7TCNTR
Вид памятиSDRAM Вид упаковкибобина Виды интерфейсапараллельный Время доступа5,4нс Количество в комплекте/упаковке1000шт.
610.86 ₽
Доступность: 1510 шт.
 

Минимальное количество для товара "AS4C16M16SA-7TCNTR, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C" 1.

AS4C16M16SB-6TIN, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; -40÷85°C
0.0
AS4C16M16SB-6TIN
Вид памятиSDRAM Вид упаковкилоток Время доступа5нс КорпусTSOP54 II МонтажSMD
664.37 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AS4C16M16SB-6TIN, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; -40÷85°C" 1.

AS4C16M16SB-6TINTR, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; -40÷85°C
0.0
AS4C16M16SB-6TINTR
Вид памятиSDRAM Вид упаковкибобина Время доступа5нс КорпусTSOP54 II МонтажSMD
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AS4C16M16SB-6TINTR, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; -40÷85°C" 1.

AS4C16M16SB-7TCN, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
0.0
AS4C16M16SB-7TCN
Вид памятиSDRAM Вид упаковкилоток Время доступа5,4нс КорпусTSOP54 II МонтажSMD
741.59 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AS4C16M16SB-7TCN, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C" 1.

AS4C16M16SB-7TCNTR, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
0.0
AS4C16M16SB-7TCNTR
Вид памятиSDRAM Вид упаковкибобина Время доступа5,4нс КорпусTSOP54 II МонтажSMD
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AS4C16M16SB-7TCNTR, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C" 1.

AS4C16M32MD1-5BCN, IC: память DRAM; 512МбDRAM; 16Mx32бит; 1,7÷1,95В; 200МГц; 6,5нс
0.0
AS4C16M32MD1-5BCN
Вид памятиSDRAM Виды интерфейсапараллельный Время доступа6,5нс КорпусFBGA90 МонтажSMD
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AS4C16M32MD1-5BCN, IC: память DRAM; 512МбDRAM; 16Mx32бит; 1,7÷1,95В; 200МГц; 6,5нс" 1.

AS4C16M32MD1-5BIN, IC: память DRAM; 512МбDRAM; 16Mx32бит; 1,8В; 200МГц; 15нс; FBGA90
0.0
AS4C16M32MD1-5BIN
Вид памятиSDRAM Вид упаковкилоток Время доступа15нс КорпусFBGA90 МонтажSMD
1 226.30 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AS4C16M32MD1-5BIN, IC: память DRAM; 512МбDRAM; 16Mx32бит; 1,8В; 200МГц; 15нс; FBGA90" 1.

Показать еще 20 товаров
Категории
Полупроводники
Микросхемы
Памяти - микросхемы
Памяти DRAM - микросхемы
Памяти EEPROM - микросхемы
Памяти FRAM - микросхемы
Памяти остальн. - микросхемы
Памяти FLASH - микросхемы
Памяти SRAM - микросхемы
Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж