Москва
 +7(993)080-09-37

Товары из категории памяти dram - микросхемы - страница 44

Производитель
Сортировать по:
Новинки ниже
AS4C8M16D1-5BINTR, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 8Mx16бит; 2,5В; 200МГц; FBGA60; бобина
0.0
AS4C8M16D1-5BINTR
Вид памятиDDR1, SDRAM Вид упаковкибобина КорпусFBGA60 МонтажSMD Обозначение производителяAS4C8M16D1-5BINTR
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AS4C8M16D1-5BINTR, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 8Mx16бит; 2,5В; 200МГц; FBGA60; бобина" 1.

AS4C8M16D1A-5TCN, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 8Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II
0.0
AS4C8M16D1A-5TCN
Вид памятиDDR1, SDRAM Вид упаковкилоток Виды интерфейсапараллельный КорпусTSOP66 II МонтажSMD
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AS4C8M16D1A-5TCN, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 8Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II" 1.

AS4C8M16D1A-5TCNTR, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 8Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II
0.0
AS4C8M16D1A-5TCNTR
Вид памятиDDR1, SDRAM Вид упаковкибобина КорпусTSOP66 II МонтажSMD Обозначение производителяAS4C8M16D1A-5TCNTR
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AS4C8M16D1A-5TCNTR, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 8Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II" 1.

AS4C8M16D1A-5TIN, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 8Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II
0.0
AS4C8M16D1A-5TIN
Вид памятиDDR1, SDRAM Вид упаковкилоток Виды интерфейсапараллельный КорпусTSOP66 II МонтажSMD
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AS4C8M16D1A-5TIN, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 8Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II" 1.

AS4C8M16D1A-5TINTR, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 8Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II
0.0
AS4C8M16D1A-5TINTR
Вид памятиDDR1, SDRAM Вид упаковкибобина КорпусTSOP66 II МонтажSMD Обозначение производителяAS4C8M16D1A-5TINTR
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AS4C8M16D1A-5TINTR, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 8Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II" 1.

AS4C8M16MSA-6BIN, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 8Mx16бит; 1,7В; 166МГц; 6нс; FBGA54
0.0
AS4C8M16MSA-6BIN
Вид памятиDDR1, SDRAM Вид упаковкилоток Виды интерфейсапараллельный Время доступа6нс КорпусFBGA54
1 178.90 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AS4C8M16MSA-6BIN, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 8Mx16бит; 1,7В; 166МГц; 6нс; FBGA54" 1.

AS4C8M16MSA-6BINTR, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 8Mx16бит; 1,7В; 166МГц; 6нс; FBGA54
0.0
AS4C8M16MSA-6BINTR
Вид памятиDDR1, SDRAM Вид упаковкибобина Виды интерфейсапараллельный Время доступа6нс КорпусFBGA54
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AS4C8M16MSA-6BINTR, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 8Mx16бит; 1,7В; 166МГц; 6нс; FBGA54" 1.

AS4C8M16SA-6BAN, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; FBGA54
0.0
AS4C8M16SA-6BAN
Вид памятиSDRAM Вид упаковкилоток Время доступа5,4нс КорпусFBGA54 МонтажSMD
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AS4C8M16SA-6BAN, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; FBGA54" 1.

AS4C8M16SA-6BANTR, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; FBGA54
0.0
AS4C8M16SA-6BANTR
Вид памятиSDRAM Вид упаковкибобина Время доступа5,4нс КорпусFBGA54 МонтажSMD
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AS4C8M16SA-6BANTR, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; FBGA54" 1.

AS4C8M16SA-6BIN, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; FBGA54
0.0
AS4C8M16SA-6BIN
Вид памятиSDRAM Вид упаковкилоток Время доступа5,4нс КорпусFBGA54 МонтажSMD
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AS4C8M16SA-6BIN, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; FBGA54" 1.

AS4C8M16SA-6BINTR, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; FBGA54
0.0
AS4C8M16SA-6BINTR
Вид памятиSDRAM Вид упаковкибобина Время доступа5,4нс КорпусFBGA54 МонтажSMD
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AS4C8M16SA-6BINTR, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; FBGA54" 1.

AS4C8M16SA-6TAN, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
0.0
AS4C8M16SA-6TAN
Вид памятиSDRAM Вид упаковкилоток Время доступа5,4нс КорпусTSOP54 II МонтажSMD
849.39 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AS4C8M16SA-6TAN, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток" 1.

AS4C8M16SA-6TANTR, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; бобина
0.0
AS4C8M16SA-6TANTR
Вид памятиSDRAM Вид упаковкибобина Время доступа5,4нс КорпусTSOP54 II МонтажSMD
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AS4C8M16SA-6TANTR, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; бобина" 1.

AS4C8M16SA-6TCN, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C
0.0
AS4C8M16SA-6TCN
Вид памятиSDRAM Вид упаковкилоток Виды интерфейсапараллельный Время доступа5,4нс КорпусTSOP54 II
507.65 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AS4C8M16SA-6TCN, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C" 1.

AS4C8M16SA-6TCNTR, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C
0.0
AS4C8M16SA-6TCNTR
Вид памятиSDRAM Вид упаковкибобина Виды интерфейсапараллельный Время доступа5,4нс КорпусTSOP54 II
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AS4C8M16SA-6TCNTR, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C" 1.

AS4C8M16SA-6TIN, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
0.0
AS4C8M16SA-6TIN
Вид памятиSDRAM Вид упаковкилоток Виды интерфейсапараллельный Время доступа5,4нс КорпусTSOP54 II
625.38 ₽
Доступность: 349 шт.
 

Минимальное количество для товара "AS4C8M16SA-6TIN, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток" 1.

AS4C8M16SA-6TINTR, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; бобина
0.0
AS4C8M16SA-6TINTR
Вид памятиSDRAM Вид упаковкибобина Виды интерфейсапараллельный Время доступа5,4нс КорпусTSOP54 II
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AS4C8M16SA-6TINTR, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; бобина" 1.

AS4C8M16SA-7BCN, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; FBGA54
0.0
AS4C8M16SA-7BCN
Вид памятиSDRAM Вид упаковкилоток Время доступа5,4нс КорпусFBGA54 МонтажSMD
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AS4C8M16SA-7BCN, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; FBGA54" 1.

AS4C8M16SA-7BCNTR, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; FBGA54
0.0
AS4C8M16SA-7BCNTR
Вид памятиSDRAM Вид упаковкибобина Время доступа5,4нс КорпусFBGA54 МонтажSMD
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AS4C8M16SA-7BCNTR, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; FBGA54" 1.

AS4C8M16SA-7TCN, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
0.0
AS4C8M16SA-7TCN
Вид памятиSDRAM Вид упаковкилоток Виды интерфейсапараллельный Время доступа5,4нс КорпусTSOP54 II
583.33 ₽
Доступность: 428 шт.
 

Минимальное количество для товара "AS4C8M16SA-7TCN, IC: память DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C" 1.

Показать еще 20 товаров
Категории
Полупроводники
Микросхемы
Памяти - микросхемы
Памяти DRAM - микросхемы
Памяти EEPROM - микросхемы
Памяти FRAM - микросхемы
Памяти остальн. - микросхемы
Памяти FLASH - микросхемы
Памяти SRAM - микросхемы
Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж