Москва
 +7(993)080-09-37

Товары из категории памяти - микросхемы - страница 121

Производитель
Сортировать по:
Новинки ниже
AS4C16M16SA-6TIN, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
0.0
AS4C16M16SA-6TIN
Вид памятиSDRAM Вид упаковкилоток Виды интерфейсапараллельный Время доступа5,4нс КорпусTSOP54 II
763.76 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AS4C16M16SA-6TIN, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток" 1.

AS4C16M16SA-7BCN, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3÷3,6В; 143МГц; 6нс; 0÷70°C
0.0
AS4C16M16SA-7BCN
Вид памятиSDRAM Виды интерфейсапараллельный Время доступа6нс КорпусTFBGA55 МонтажSMD
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AS4C16M16SA-7BCN, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3÷3,6В; 143МГц; 6нс; 0÷70°C" 1.

AS4C16M16SA-7BCNTR, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; FBGA54
0.0
AS4C16M16SA-7BCNTR
Вид памятиSDRAM Вид упаковкибобина Время доступа5,4нс КорпусFBGA54 МонтажSMD
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AS4C16M16SA-7BCNTR, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; FBGA54" 1.

AS4C16M16SA-7TCN, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
0.0
AS4C16M16SA-7TCN
Вид памятиSDRAM Вид упаковкилоток Виды интерфейсапараллельный Время доступа5,4нс КорпусTSOP54 II
698.01 ₽
Доступность: 288 шт.
 

Минимальное количество для товара "AS4C16M16SA-7TCN, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C" 1.

AS4C16M16SA-7TCNTR, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
0.0
AS4C16M16SA-7TCNTR
Вид памятиSDRAM Вид упаковкибобина Виды интерфейсапараллельный Время доступа5,4нс Количество в комплекте/упаковке1000шт.
610.86 ₽
Доступность: 1510 шт.
 

Минимальное количество для товара "AS4C16M16SA-7TCNTR, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C" 1.

AS4C16M16SB-6TIN, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; -40÷85°C
0.0
AS4C16M16SB-6TIN
Вид памятиSDRAM Вид упаковкилоток Время доступа5нс КорпусTSOP54 II МонтажSMD
664.37 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AS4C16M16SB-6TIN, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; -40÷85°C" 1.

AS4C16M16SB-6TINTR, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; -40÷85°C
0.0
AS4C16M16SB-6TINTR
Вид памятиSDRAM Вид упаковкибобина Время доступа5нс КорпусTSOP54 II МонтажSMD
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AS4C16M16SB-6TINTR, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; -40÷85°C" 1.

AS4C16M16SB-7TCN, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
0.0
AS4C16M16SB-7TCN
Вид памятиSDRAM Вид упаковкилоток Время доступа5,4нс КорпусTSOP54 II МонтажSMD
741.59 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AS4C16M16SB-7TCN, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C" 1.

AS4C16M16SB-7TCNTR, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
0.0
AS4C16M16SB-7TCNTR
Вид памятиSDRAM Вид упаковкибобина Время доступа5,4нс КорпусTSOP54 II МонтажSMD
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AS4C16M16SB-7TCNTR, IC: память DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C" 1.

AS4C16M32MD1-5BCN, IC: память DRAM; 512МбDRAM; 16Mx32бит; 1,7÷1,95В; 200МГц; 6,5нс
0.0
AS4C16M32MD1-5BCN
Вид памятиSDRAM Виды интерфейсапараллельный Время доступа6,5нс КорпусFBGA90 МонтажSMD
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AS4C16M32MD1-5BCN, IC: память DRAM; 512МбDRAM; 16Mx32бит; 1,7÷1,95В; 200МГц; 6,5нс" 1.

AS4C16M32MD1-5BIN, IC: память DRAM; 512МбDRAM; 16Mx32бит; 1,8В; 200МГц; 15нс; FBGA90
0.0
AS4C16M32MD1-5BIN
Вид памятиSDRAM Вид упаковкилоток Время доступа15нс КорпусFBGA90 МонтажSMD
1 226.30 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AS4C16M32MD1-5BIN, IC: память DRAM; 512МбDRAM; 16Mx32бит; 1,8В; 200МГц; 15нс; FBGA90" 1.

AS4C16M32MSA-6BIN, IC: память DRAM; 512МбDRAM; 16Mx32бит; 1,8В; 166МГц; 5,5нс; FBGA90
0.0
AS4C16M32MSA-6BIN
Вид памятиSDRAM Вид упаковкилоток Виды интерфейсапараллельный Время доступа5,5нс КорпусFBGA90
1 120.03 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AS4C16M32MSA-6BIN, IC: память DRAM; 512МбDRAM; 16Mx32бит; 1,8В; 166МГц; 5,5нс; FBGA90" 1.

AS4C16M32MSA-6BINTR, IC: память DRAM; 512МбDRAM; 16Mx32бит; 1,8В; 166МГц; 5,5нс; FBGA90
0.0
AS4C16M32MSA-6BINT
Вид памятиSDRAM Вид упаковкилоток Виды интерфейсапараллельный Время доступа5,5нс КорпусFBGA90
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AS4C16M32MSA-6BINTR, IC: память DRAM; 512МбDRAM; 16Mx32бит; 1,8В; 166МГц; 5,5нс; FBGA90" 1.

AS4C16M32SC-7TIN, IC: память DRAM; 512МбDRAM; 16Mx32бит; 3÷3,6В; 133МГц; 5,4нс; лоток
0.0
AS4C16M32SC-7TIN
Вид памятиSDRAM Вид упаковкилоток Виды интерфейсапараллельный Время доступа5,4нс КорпусTSOP86 II
3 436.54 ₽
Доступность: 108 шт.
 

Минимальное количество для товара "AS4C16M32SC-7TIN, IC: память DRAM; 512МбDRAM; 16Mx32бит; 3÷3,6В; 133МГц; 5,4нс; лоток" 1.

AS4C16M32SC-7TINTR, IC: память DRAM; 512МбDRAM; 16Mx32бит; 3÷3,6В; 133МГц; 5,4нс
0.0
AS4C16M32SC-7TINTR
Вид памятиSDRAM Вид упаковкибобина Виды интерфейсапараллельный Время доступа5,4нс КорпусTSOP86 II
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AS4C16M32SC-7TINTR, IC: память DRAM; 512МбDRAM; 16Mx32бит; 3÷3,6В; 133МГц; 5,4нс" 1.

AS4C1G16D4-062BCN, IC: память DRAM; 16ГбDRAM; 1Гx8бит; 1,2В; 1600МГц; 13,75нс; FBGA96
0.0
AS4C1G16D4-062BCN
Вид памятиDDR4, SDRAM Вид упаковкилоток Время доступа13,75нс КорпусFBGA96 МонтажSMD
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AS4C1G16D4-062BCN, IC: память DRAM; 16ГбDRAM; 1Гx8бит; 1,2В; 1600МГц; 13,75нс; FBGA96" 1.

AS4C1G16D4-062BCNTR, IC: память DRAM; 16ГбDRAM; 1Гx8бит; 1,2В; 1600МГц; 13,75нс; FBGA96
0.0
AS4C1G16D4062BCNTR
Вид памятиDDR4, SDRAM Вид упаковкибобина Время доступа13,75нс КорпусFBGA96 МонтажSMD
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AS4C1G16D4-062BCNTR, IC: память DRAM; 16ГбDRAM; 1Гx8бит; 1,2В; 1600МГц; 13,75нс; FBGA96" 1.

AS4C1G32MD4V-046BIN, IC: память DRAM; 32ГбDRAM; FBGA200; -40÷95°C; лоток
0.0
AS4C1G32MD4V046BIN
Вид памятиLPDDR4, SDRAM Вид упаковкилоток КорпусFBGA200 МонтажSMD Обозначение производителяAS4C1G32MD4V-046BIN
17 660.55 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AS4C1G32MD4V-046BIN, IC: память DRAM; 32ГбDRAM; FBGA200; -40÷95°C; лоток" 1.

AS4C1G8D3LA-10BCN, IC: память DRAM; 8ГбDRAM; 1Гx8бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; FBGA78
0.0
AS4C1G8D3LA-10BCN
Вид памятиDDR3, SDRAM Вид упаковкилоток Время доступа13,91нс КорпусFBGA78 МонтажSMD
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AS4C1G8D3LA-10BCN, IC: память DRAM; 8ГбDRAM; 1Гx8бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; FBGA78" 1.

AS4C1G8D3LA-10BIN, IC: память DRAM; 8ГбDRAM; 1Гx8бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; FBGA78
0.0
AS4C1G8D3LA-10BIN
Вид памятиDDR3, SDRAM Вид упаковкилоток Время доступа13,91нс КорпусFBGA78 МонтажSMD
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AS4C1G8D3LA-10BIN, IC: память DRAM; 8ГбDRAM; 1Гx8бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; FBGA78" 1.

Показать еще 20 товаров

Микросхемы памяти — это ключевые компоненты для хранения данных, программ, настроек и калибровочных параметров в электронных устройствах. Используются в промышленной автоматике, бытовой технике, системах «умный дом», ПЛИС, микроконтроллерах и устройствах на базе Arduino, Raspberry Pi и ПЛК.

В каталоге 7-el.ru — микросхемы памяти от ведущих производителей: Winbond, Microchip, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Macronix, Adesto, Samsung, Toshiba.

Гарантия качества, datasheets и быстрая доставка по всей России.

Данные остаются — выбирайте микросхемы памяти на 7-el.ru!

Категории
Полупроводники
Микросхемы
Памяти - микросхемы
Памяти DRAM - микросхемы
Памяти EEPROM - микросхемы
Памяти FRAM - микросхемы
Памяти остальн. - микросхемы
Памяти FLASH - микросхемы
Памяти SRAM - микросхемы
Аналоговые и смешанные микросхемы
Интегральные схемы - некласс.
Микроконтроллеры и микропроцессоры
Микросхемы RTV - аудио
Микросхемы другие
Микросхемы логические
Регуляторы напряжения - микросхемы
Микросхемы периферийные
Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж