Москва
 +7(499)550-50-61

Товары из категории полупроводники - страница 1994

Категории
Полупроводники
Модули и транзисторы IGBT
Obsolete
Динисторы
Диоды
Комплекты пусковые
Микросхемы
Мосты выпрямительные
Оснащение для полупроводников
Программаторы и стирающие устройства
Симисторы
+3Еще
Oптоэлектроника
Автоматика
Автомобильная аудиосистема
Вентиляторы, сис. охлаждения и нагрева
Источники звука
Источники света
Источники энергии
Компьютерные аксессуары
Корпуса
Механические элементы
Неклассифицированные
Оборудование мастерских
Пассивные элементы
Переключатели и индикаторы
Пневматика и гидравлика
Предохранители и защитные устройства
Провода и кабели
Разъeмы
Реле и контакторы
Робототехника и макетирование
Системы Embedded и IoT
Трансформаторы и сердечники
Без категории
Кабельные наконечники
Фильтры товаров
Производитель
Сортировать по:
Новинки ниже
QS6K1FRATR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 1А; Idm: 4А; 1,25Вт; TSMT6
0.0
QS6K1FRATR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,7нC Код производителяQS6K1FRATR КорпусTSMT6
97.02 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QS6K1FRATR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 1А; Idm: 4А; 1,25Вт; TSMT6" 1.

QS6K1TR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 1А; Idm: 4А; 1,25Вт; TSMT6
0.0
QS6K1TR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,7нC Код производителяQS6K1TR
187.23 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QS6K1TR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 1А; Idm: 4А; 1,25Вт; TSMT6" 1.

QS6K21FRATR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 45В; 1А; Idm: 2А; 1,25Вт; TSMT6
0.0
QS6K21FRATR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,5нC Код производителяQS6K21FRATR
188.94 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QS6K21FRATR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 45В; 1А; Idm: 2А; 1,25Вт; TSMT6" 1.

QS6K21TR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 45В; 1А; Idm: 2А; 1,25Вт; TSMT6
0.0
QS6K21TR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,5нC Код производителяQS6K21TR
176.17 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QS6K21TR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 45В; 1А; Idm: 2А; 1,25Вт; TSMT6" 1.

QS6M4TR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-20В; 1,5/-1,5А; Idm: 6А; TSMT6
0.0
QS6M4TR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,6/3нC Код производителяQS6M4TR КорпусTSMT6
129.36 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QS6M4TR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-20В; 1,5/-1,5А; Idm: 6А; TSMT6" 1.

QS6U22TR, Транзистор: P-MOSFET + Schottky; полевой; -20В; -1,5А; Idm: -6А
0.0
QS6U22TR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3нC Код производителяQS6U22TR КорпусTSMT6
95.32 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QS6U22TR, Транзистор: P-MOSFET + Schottky; полевой; -20В; -1,5А; Idm: -6А" 1.

QS6U24TR, Транзистор: P-MOSFET + Schottky; полевой; -30В; -1А; Idm: -2А
0.0
QS6U24TR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,7нC Код производителяQS6U24TR КорпусTSMT6
112.34 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QS6U24TR, Транзистор: P-MOSFET + Schottky; полевой; -30В; -1А; Idm: -2А" 1.

QS8J13TR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -12В; -5,5А; Idm: -18А; 1,5Вт
0.0
QS8J13TR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора60нC Код производителяQS8J13TR
249.36 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QS8J13TR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -12В; -5,5А; Idm: -18А; 1,5Вт" 1.

QS8J2TR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -12В; -4А; Idm: -12А; 1,5Вт; TSMT8
0.0
QS8J2TR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC Код производителяQS8J2TR
262.98 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QS8J2TR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -12В; -4А; Idm: -12А; 1,5Вт; TSMT8" 1.

QS8J4TR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -4А; Idm: -16А; 1,5Вт; TSMT8
0.0
QS8J4TR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,4нC Код производителяQS8J4TR
290.21 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QS8J4TR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -4А; Idm: -16А; 1,5Вт; TSMT8" 1.

QS8J5TR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -5А; Idm: -20А; 1,5Вт; TSMT8
0.0
QS8J5TR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC Код производителяQS8J5TR
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QS8J5TR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -5А; Idm: -20А; 1,5Вт; TSMT8" 1.

QS8K11TCR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 3,5А; Idm: 12А; 1,5Вт; TSMT8
0.0
QS8K11TCR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,3нC Код производителяQS8K11TCR
200.85 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QS8K11TCR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 3,5А; Idm: 12А; 1,5Вт; TSMT8" 1.

QS8K13TCR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 6А; Idm: 18А; 1,5Вт; TSMD8
0.0
QS8K13TCR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,5нC Код производителяQS8K13TCR
336.17 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QS8K13TCR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 6А; Idm: 18А; 1,5Вт; TSMD8" 1.

QS8M31TR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 60/-60В; 3/-2А; Idm: 4÷6А; 1,5Вт
0.0
QS8M31TR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4/7,2нC Код производителяQS8M31TR КорпусTSMD8
194.89 ₽
Доступность: 970 шт.
 

Минимальное количество для товара "QS8M31TR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 60/-60В; 3/-2А; Idm: 4÷6А; 1,5Вт" 1.

QS8M51FRATR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 100/-100В; 2/-1,5А; Idm: 6А; 1,5Вт
0.0
QS8M51FRATR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,7/17нC Код производителяQS8M51FRATR КорпусTSMD8
155.74 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QS8M51FRATR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 100/-100В; 2/-1,5А; Idm: 6А; 1,5Вт" 1.

QS8M51TR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 100/-100В; 2/-1,5А; Idm: 6А; 1,5Вт
0.0
QS8M51TR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,7/17нC Код производителяQS8M51TR КорпусTSMD8
352.34 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QS8M51TR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 100/-100В; 2/-1,5А; Idm: 6А; 1,5Вт" 1.

R6002END3TL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 1,7А; Idm: 4А; 26Вт; TO252
0.0
R6002END3TL1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,5нC Код производителяR6002END3TL1 КорпусTO252
234.04 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "R6002END3TL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 1,7А; Idm: 4А; 26Вт; TO252" 1.

R6003KND3TL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 3А; Idm: 9А; 44Вт; TO252
0.0
R6003KND3TL1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC Код производителяR6003KND3TL1 КорпусTO252
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "R6003KND3TL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 3А; Idm: 9А; 44Вт; TO252" 1.

R6004END3TL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4А; Idm: 8А; 59Вт; TO252
0.0
R6004END3TL1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC Код производителяR6004END3TL1 КорпусTO252
278.30 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "R6004END3TL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4А; Idm: 8А; 59Вт; TO252" 1.

R6004JND3TL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4А; Idm: 12А; 60Вт; TO252
0.0
R6004JND3TL1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10,5нC Код производителяR6004JND3TL1 КорпусTO252
109.79 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "R6004JND3TL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4А; Idm: 12А; 60Вт; TO252" 2500.

Показать еще 20 товаров

Полупроводники – широкий ассортимент компонентов для ваших проектов!

В нашем каталоге представлены полупроводниковые компоненты: диоды, транзисторы, тиристоры, оптоэлектроника и многое другое. Мы предлагаем продукцию от ведущих производителей с гарантией качества. Выгодные цены, быстрая доставка и профессиональная поддержка. Выбирайте полупроводники у нас – надежность и качество в каждом элементе!

Хиты продаж