Товары из категории полупроводники - страница 2081

Фильтры товаров
Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора71нC Код производителяSIJ482DP-T1-GE3 МонтажSMD
240.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJ482DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 60А; Idm: 100А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора31нC Код производителяSIJ494DP-T1-GE3 МонтажSMD
213.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJ494DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 36,8А; Idm: 100А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,1мкC Код производителяSIJA52ADP-T1-GE3 МонтажSMD
140.43 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJA52ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 131А; Idm: 200А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора150нC Код производителяSIJA52DP-T1-GE3 МонтажSMD
204.26 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJA52DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 60А; Idm: 150А; 48Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора104нC Код производителяSIJA54DP-T1-GE3 МонтажSMD
157.45 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJA54DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 60А; Idm: 150А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора61нC Код производителяSIJA58ADP-T1-GE3 МонтажSMD
99.57 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJA58ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 109А; Idm: 150А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора75нC Код производителяSIJA58DP-T1-GE3 МонтажSMD
193.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJA58DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 109А; Idm: 150А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC Код производителяSIJA72ADP-T1-GE3 МонтажSMD
108.09 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJA72ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 96А; Idm: 150А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора160нC Код производителяSIJH112E-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 8x8L
593.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJH112E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 225А; Idm: 300А" 2000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора128нC Код производителяSIJH5100E-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 8x8L
789.79 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJH5100E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 277А; Idm: 500А" 2000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора155нC Код производителяSIJH5800E-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 8x8L
914.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJH5800E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 302А; Idm: 500А" 2000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора212нC Код производителяSIJH600E-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 8x8L
923.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJH600E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 373А; Idm: 500А" 2000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,21мкC Код производителяSIJH800E-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 8x8L
628.94 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJH800E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 299А; Idm: 350А" 2000.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC Код производителяSIL2301-TP
80.00 
Доступность: 4 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIL2301-TP, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -2,3А; Idm: -10А; 1,25Вт" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11/12нC Код производителяSIL2308-TP
67.23 
Доступность: 85 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIL2308-TP, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 5/-4А; 1Вт; SOT23-6; ESD" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора70нC Код производителяSIR104ADP-T1-RE3 КорпусPowerPAK® SO8
258.72 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR104ADP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 81А; Idm: 200А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора84нC Код производителяSIR104DP-T1-RE3 КорпусPowerPAK® SO8
312.34 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR104DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 79А; Idm: 200А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора110нC Код производителяSIR104LDP-T1-RE3 КорпусPowerPAK® SO8
196.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR104LDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 81А; Idm: 200А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора52нC Код производителяSIR106ADP-T1-RE3 КорпусPowerPAK® SO8
196.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR106ADP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 65,8А; Idm: 150А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора64нC Код производителяSIR106DP-T1-RE3 КорпусPowerPAK® SO8
226.38 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR106DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 65,8А; Idm: 150А" 3000.

Показать еще 20 товаров

Полупроводники – широкий ассортимент компонентов для ваших проектов!

В нашем каталоге представлены полупроводниковые компоненты: диоды, транзисторы, тиристоры, оптоэлектроника и многое другое. Мы предлагаем продукцию от ведущих производителей с гарантией качества. Выгодные цены, быстрая доставка и профессиональная поддержка. Выбирайте полупроводники у нас – надежность и качество в каждом элементе!

Хиты продаж