Москва
 +7(499)550-50-61

Товары из категории полупроводники - страница 2180

Категории
Полупроводники
Модули и транзисторы IGBT
Obsolete
Динисторы
Диоды
Комплекты пусковые
Микросхемы
Мосты выпрямительные
Оснащение для полупроводников
Программаторы и стирающие устройства
Симисторы
+3Еще
Oптоэлектроника
Автоматика
Автомобильная аудиосистема
Вентиляторы, сис. охлаждения и нагрева
Источники звука
Источники света
Источники энергии
Компьютерные аксессуары
Корпуса
Механические элементы
Неклассифицированные
Оборудование мастерских
Пассивные элементы
Переключатели и индикаторы
Пневматика и гидравлика
Предохранители и защитные устройства
Провода и кабели
Разъeмы
Реле и контакторы
Робототехника и макетирование
Системы Embedded и IoT
Трансформаторы и сердечники
Без категории
Кабельные наконечники
Фильтры товаров
Производитель
Сортировать по:
Новинки ниже
US6K2TR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 1,4А; Idm: 5,6А; 1Вт; TUMT6
0.0
US6K2TR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,4нC Код производителяUS6K2TR
165.11 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "US6K2TR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 1,4А; Idm: 5,6А; 1Вт; TUMT6" 1.

US6K4TR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 1,5А; Idm: 3А; 1Вт; TUMT6; ESD
0.0
US6K4TR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,8нC Код производителяUS6K4TR
174.47 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "US6K4TR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 1,5А; Idm: 3А; 1Вт; TUMT6; ESD" 1.

US6M11TR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-12В; 1,5/-1,3А; Idm: 5,2÷6А
0.0
US6M11TR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,8/2,4нC Код производителяUS6M11TR КорпусTUMT6
149.79 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "US6M11TR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-12В; 1,5/-1,3А; Idm: 5,2÷6А" 1.

US6M1TR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-20В; 1,4/-1А; Idm: 4÷5,6А; 1Вт
0.0
US6M1TR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,4/2,1нC Код производителяUS6M1TR КорпусTUMT6
180.43 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "US6M1TR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-20В; 1,4/-1А; Idm: 4÷5,6А; 1Вт" 1.

US6M2TR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-20В; 1,5/-1А; Idm: 4÷6А; 1Вт
0.0
US6M2TR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,6/2,1нC Код производителяUS6M2TR КорпусTUMT6
148.09 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "US6M2TR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-20В; 1,5/-1А; Idm: 4÷6А; 1Вт" 1.

UT6JA2TCR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -4А; Idm: -12А; 2Вт
0.0
UT6JA2TCR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,7нC Код производителяUT6JA2TCR КорпусDFN2020D-8
143.83 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "UT6JA2TCR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -4А; Idm: -12А; 2Вт" 1.

UT6JA3TCR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -5А; Idm: -12А; 2Вт
0.0
UT6JA3TCR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,5нC Код производителяUT6JA3TCR КорпусDFN2020D-8
201.70 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "UT6JA3TCR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -5А; Idm: -12А; 2Вт" 1.

UT6K30TCR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 3А; Idm: 12А; 2Вт; DFN2020D-8
0.0
UT6K30TCR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,1нC Код производителяUT6K30TCR КорпусDFN2020D-8
288.51 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "UT6K30TCR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 3А; Idm: 12А; 2Вт; DFN2020D-8" 1.

UT6K3TCR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 5,5А; Idm: 12А; 2Вт; DFN2020D-8
0.0
UT6K3TCR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4нC Код производителяUT6K3TCR КорпусDFN2020D-8
151.49 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "UT6K3TCR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 5,5А; Idm: 12А; 2Вт; DFN2020D-8" 1.

UT6MA2TCR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 4/-4А; Idm: 12А; 2Вт
0.0
UT6MA2TCR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,3/6,7нC Код производителяUT6MA2TCR КорпусDFN2020D-8
106.38 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "UT6MA2TCR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 4/-4А; Idm: 12А; 2Вт" 1.

UT6MA3TCR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 5,5/-5А; Idm: 12А; 2Вт
0.0
UT6MA3TCR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4/6,5нC Код производителяUT6MA3TCR КорпусDFN2020D-8
239.15 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "UT6MA3TCR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 5,5/-5А; Idm: 12А; 2Вт" 1.

VMM300-03F, Модуль; транзистор/транзистор; 300В; 220А; Y3-DCB; Idm: 1,16кА
0.0
VMM300-03F
Код производителяVMM300-03F Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусY3-DCB Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток±20В
85 934.47 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VMM300-03F, Модуль; транзистор/транзистор; 300В; 220А; Y3-DCB; Idm: 1,16кА" 1.

VMM650-01F, Модуль; транзистор/транзистор; 100В; 500А; Y3-Li; HiPerFET™
0.0
VMM650-01F
Код производителяVMM650-01F Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусY3-Li Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток±20В
116 476.60 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VMM650-01F, Модуль; транзистор/транзистор; 100В; 500А; Y3-Li; HiPerFET™" 1.

VMO550-01F, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 590А; Y3-DCB; Idm: 2,36кА; 2мкC
0.0
VMO550-01F
Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора2мкC Код производителяVMO550-01F Конструкция диодаодиночный транзистор
104 334.47 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VMO550-01F, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 590А; Y3-DCB; Idm: 2,36кА; 2мкC" 1.

VMO60-05F, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 60А; TO240AA; Idm: 240А; 590Вт
0.0
VMO60-05F
Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора405нC Код производителяVMO60-05F Конструкция диодаодиночный транзистор
15 952.34 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VMO60-05F, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 60А; TO240AA; Idm: 240А; 590Вт" 1.

VMO650-01F, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 690А; Y3-DCB; Idm: 2,78кА
0.0
VMO650-01F
Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора2,3мкC Код производителяVMO650-01F Конструкция диодаодиночный транзистор
60 628.09 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VMO650-01F, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 690А; Y3-DCB; Idm: 2,78кА" 1.

VN0104N3-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 350мА; Idm: 2А; 1Вт; TO92
0.0
VN0104N3-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью Код производителяVN0104N3-G КорпусTO92 МонтажTHT
221.28 ₽
Доступность: 274 шт.
 

Минимальное количество для товара "VN0104N3-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 350мА; Idm: 2А; 1Вт; TO92" 1.

VN0106N3-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 350мА; Idm: 2А; 1Вт; TO92
0.0
VN0106N3-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью Код производителяVN0106N3-G КорпусTO92 МонтажTHT
149.79 ₽
Доступность: 303 шт.
 

Минимальное количество для товара "VN0106N3-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 350мА; Idm: 2А; 1Вт; TO92" 1.

VN0106N3-G-P003, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 350мА; Idm: 2А; 1Вт; TO92
0.0
VN0106N3-G-P003
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяVN0106N3-G-P003 КорпусTO92 МонтажTHT
140.43 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VN0106N3-G-P003, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 350мА; Idm: 2А; 1Вт; TO92" 1.

VN0109N3-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 90В; 2А; TO92
0.0
VN0109N3-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью Код производителяVN0109N3-G КорпусTO92 МонтажTHT
179.57 ₽
Доступность: 732 шт.
 

Минимальное количество для товара "VN0109N3-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 90В; 2А; TO92" 1.

Показать еще 20 товаров

Полупроводники – широкий ассортимент компонентов для ваших проектов!

В нашем каталоге представлены полупроводниковые компоненты: диоды, транзисторы, тиристоры, оптоэлектроника и многое другое. Мы предлагаем продукцию от ведущих производителей с гарантией качества. Выгодные цены, быстрая доставка и профессиональная поддержка. Выбирайте полупроводники у нас – надежность и качество в каждом элементе!

Хиты продаж