Товары из категории полупроводники - страница 2346

Фильтры товаров
Производитель
Код производителя5SNG 0150Q170300 Конструкция диодатранзистор/транзистор Корпус62PAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
23 101.67 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "5SNG 0150Q170300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

Код производителя5SNG 0200Q170300 Конструкция диодатранзистор/транзистор Корпус62PAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
22 467.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "5SNG 0200Q170300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

Код производителя5SNG 0250P330305 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
203 474.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "5SNG 0250P330305, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 3,3кВ" 1.

Код производителя5SNG 0300Q170300 Конструкция диодатранзистор/транзистор Корпус62PAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
41 754.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "5SNG 0300Q170300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

Код производителя5SNG 0450X330300 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусLINPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
207 500.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "5SNG 0450X330300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 3,3кВ" 1.

Код производителя5SNG 1000X170300 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусLINPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
161 507.50 
Доступность: 9 шт.
 

Минимальное количество для товара "5SNG 1000X170300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

Класс напряжения1,2кВ Код производителя62CA1 Применениеfor medium and high power application ПроизводительMICROCHIP TECHNOLOGY Сопутствующие товарыASBK-014
20 760.83 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "62CA1, Module: gate driver adapter; 1.2kV; AgileSwitch®" 1.

Класс напряжения1,2кВ Код производителя62CA2 Применениеfor medium and high power application ПроизводительMICROCHIP TECHNOLOGY Сопутствующие товарыASBK-014
20 560.83 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "62CA2, Module: gate driver adapter; 1.2kV; AgileSwitch®" 1.

Класс напряжения1,7кВ Код производителя62CA4 Применениеfor medium and high power application ПроизводительMICROCHIP TECHNOLOGY Сопутствующие товарыASBK-014
20 560.83 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "62CA4, Module: gate driver adapter; 1.7kV; AgileSwitch®" 1.

Вид выходадрайвер SiC MOSFET Выходной ток20А Класс напряжения1,2кВ Код производителя62EM1-00001 МонтажPCB
55 887.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "62EM1-00001, Module: gate driver board; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge" 1.

Код производителяA1C15S12M3 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусACEPACK™1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
9 654.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "A1C15S12M3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 15А" 1.

Код производителяA1P35S12M3 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусACEPACK™1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
9 399.17 
Доступность: 12 шт.
 

Минимальное количество для товара "A1P35S12M3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 35А" 1.

Код производителяA1P50S65M2 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусACEPACK™1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
9 124.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "A1P50S65M2, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 50А" 1.

Код производителяA2C50S65M2 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусACEPACK™2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
14 140.83 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "A2C50S65M2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 50А" 1.

Код производителяA2P75S12M3 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусACEPACK™2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
16 668.33 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "A2P75S12M3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 75А" 1.

Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора76нC Код производителяAFGB40T65SQDN КорпусD2PAK МонтажSMD
571.67 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AFGB40T65SQDN, Транзистор: IGBT; 650В; 40А; 119Вт; D2PAK; автомобильная отрасль" 800.

Вид упаковкитуба Время включения30нс Время выключения178нс Заряд затвора95нC Код производителяAIGW40N65F5XKSA1
788.33 
Доступность: 166 шт.
 

Минимальное количество для товара "AIGW40N65F5XKSA1, Транзистор: IGBT; 650В; 46А; 125Вт; TO247-3; F5" 1.

Вид упаковкитуба Время включения31нс Время выключения160нс Заряд затвора92нC Код производителяAIGW40N65H5XKSA1
1 085.00 
Доступность: 151 шт.
 

Минимальное количество для товара "AIGW40N65H5XKSA1, Транзистор: IGBT; 650В; 46А; 125Вт; TO247-3; H5" 1.

Вид упаковкитуба Время включения33нс Время выключения162нс Заряд затвора108нC Код производителяAIGW50N65F5XKSA1
1 074.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AIGW50N65F5XKSA1, Транзистор: IGBT; 650В; 53,5А; 136Вт; TO247-3; F5" 1.

Вид упаковкитуба Время включения33нс Время выключения184нс Заряд затвора116нC Код производителяAIGW50N65H5XKSA1
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AIGW50N65H5XKSA1, Транзистор: IGBT; 650В; 53,5А; 136Вт; TO247-3; H5" 1.

Показать еще 20 товаров

Полупроводники – широкий ассортимент компонентов для ваших проектов!

В нашем каталоге представлены полупроводниковые компоненты: диоды, транзисторы, тиристоры, оптоэлектроника и многое другое. Мы предлагаем продукцию от ведущих производителей с гарантией качества. Выгодные цены, быстрая доставка и профессиональная поддержка. Выбирайте полупроводники у нас – надежность и качество в каждом элементе!

Хиты продаж