Полупроводниковые модули

Полупроводниковые модули – готовые решения для ваших проектов!

В нашем каталоге представлены полупроводниковые модули: силовые, управляющие, оптоэлектронные и другие. Мы предлагаем продукцию от ведущих производителей с гарантией качества. Выгодные цены, быстрая доставка и профессиональная поддержка. Выбирайте полупроводниковые модули у нас – надежность и качество в каждом элементе!

0.0
MG12100S-BN2MM
Конструкция диодатранзистор/транзистор Корпусpackage S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG12100S-BN2MM
20 12121 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MG12100S-BN2MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
MG12150S-BN2MM
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусY4-M5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG12150S-BN2MM
25 41288 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MG12150S-BN2MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
MG12150W-XN2MM
Конструкция диодатранзистор/транзистор Корпусpackage W Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG12150W-XN2MM
61 65530 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MG12150W-XN2MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 150А" 1.

0.0
MG12200D-BN2MM
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусY3-DCB Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG12200D-BN2MM
35 82765 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MG12200D-BN2MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
MG12300D-BN2MM
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусY3-DCB Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG12300D-BN2MM
55 61648 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MG12300D-BN2MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
MG15P12P2-YAN
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусP2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG15P12P2
4 71307 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MG15P12P2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 15А" 1.

0.0
MG17100S-BN4MM
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусY4-M5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG17100S-BN4MM
30 61932 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MG17100S-BN4MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

0.0
MG1750S-BN4MM
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусY4-M5 Механический монтажвинтами Обозначение производителяMG1750S-BN4MM Обратное напряжение макс.1,7кВ
20 55871 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MG1750S-BN4MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

0.0
MG1775S-BN4MM
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусY4-M5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG1775S-BN4MM
25 41288 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MG1775S-BN4MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

0.0
MG200HF12MRC2-YAN
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG200HF12MRC2
14 61648 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MG200HF12MRC2, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
MG25P12P3-YAN
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG25P12P3
6 42330 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MG25P12P3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 25А" 1.

0.0
MG35P12P3-YAN
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG35P12P3
8 15341 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MG35P12P3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 35А" 1.

0.0
MG50U12GJ-YAN
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусGJ-U Механический монтажвинтами Обозначение производителяMG50U12GJ Обратное напряжение макс.1,2кВ
5 50852 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MG50U12GJ, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 50А; GJ-U" 1.

0.0
MG50UZ12GJ-YAN
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусGJ-UZ Механический монтажвинтами Обозначение производителяMG50UZ12GJ Обратное напряжение макс.1,2кВ
5 50852 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MG50UZ12GJ, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 50А; GJ-UZ" 1.

0.0
MG75U12GJ-YAN
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусGJ-U Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMG75U12GJ
5 50852 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MG75U12GJ, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 75А; GJ-U" 1.

0.0
MG75UZ12GJ-YAN
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусGJ-UZ Механический монтажвинтами Обозначение производителяMG75UZ12GJ Обратное напряжение макс.1,2кВ
5 50852 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MG75UZ12GJ, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 75А; GJ-UZ" 1.

0.0
MHC-260-16
Импульсный ток7кА Конструкция диодадва последовательных диода Корпус52MM Механический монтажвинтами Обозначение производителяMHC-260-16
33 71970 
Доступность: 1 шт.
+

Минимальное количество для товара "MHC-260-16, Модуль: диодно-тиристорный; 1,6кВ; 260А; 52MM; Ufmax: 1,7В; винтами" 1.

0.0
MHC-300-16
Импульсный ток8кА Конструкция диодадва последовательных диода Корпус52MM Механический монтажвинтами Обозначение производителяMHC-300-16
33 71970 
Доступность: 1 шт.
+

Минимальное количество для товара "MHC-300-16, Модуль: диодно-тиристорный; 1,6кВ; 300А; 52MM; Ufmax: 1,4В; винтами" 1.

0.0
MHC-500-18
Импульсный ток17кА Конструкция диодадва последовательных диода Корпус62MM Механический монтажвинтами Обозначение производителяMHC-500-18
49 93087 
Доступность: 1 шт.
+

Минимальное количество для товара "MHC-500-18, Модуль: диодно-тиристорный; 1,8кВ; 500А; 62MM; Ufmax: 1,31В" 1.

0.0
MID100-12A3
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусY4-M5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMID100-12A3
12 99811 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MID100-12A3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 90А" 1.

0.0
MID145-12A3
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусY4-M5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMID145-12A3
14 56061 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MID145-12A3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Y4-M5" 1.

0.0
MID150-12A4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусY3-DCB Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMID150-12A4
34 57860 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MID150-12A4, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Y3-DCB" 1.

0.0
MID200-12A4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусY3-DCB Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMID200-12A4
34 57860 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MID200-12A4, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Y3-DCB" 1.

0.0
MID300-12A4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусY3-DCB Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMID300-12A4
39 78504 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MID300-12A4, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Y3-DCB" 1.

Показать еще 24 товара