Москва
 
+7 (499) 550-50-61
0Корзина

MG12100S-BN2MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ

Написать отзыв
MG12100S-BN2MM
20 12121 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
3+
5+
Цена
18 100.38 ₽
15 996.21 ₽
Доступность: Предзаказ
+ −

Минимальное количество для товара "MG12100S-BN2MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Отложить Сравнить
Артикул производителя
MG12100S-BN2MM IXYS
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Конструкция диода
транзистор/транзистор
Корпус
package S
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Обозначение производителя
MG12100S-BN2MM
Обратное напряжение макс.
1,2кВ
Производитель
IXYS
Технология
Field Stop, Trench
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
100А
Ток коллектора в импульсе
200А
Топология
полумост IGBT
Электрический монтаж
винтами, коннекторы FASTON

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены