Москва
 
+7 (499) 550-50-61
0Корзина

MG12150S-BN2MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ

Написать отзыв
MG12150S-BN2MM
25 41288 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
3+
5+
Цена
22 912.88 ₽
20 184.66 ₽
Доступность: Предзаказ
+ −

Минимальное количество для товара "MG12150S-BN2MM, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Отложить Сравнить
Артикул производителя
MG12150S-BN2MM IXYS
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Конструкция диода
транзистор/транзистор
Корпус
Y4-M5
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Обозначение производителя
MG12150S-BN2MM
Обратное напряжение макс.
1,2кВ
Производитель
IXYS
Технология
Field Stop, Trench
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
150А
Ток коллектора в импульсе
300А
Топология
полумост IGBT
Электрический монтаж
винтами, коннекторы FASTON

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены