Товары из категории модули и транзисторы igbt - страница 10

Производитель
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
9 578.65 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT100GN120J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 70А; SOT227B" 1.

Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
14 197.43 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT100GN120JDQ4, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 70А; SOT227B" 1.

Вид упаковкитуба Время включения96нс Время выключения435нс Заряд затвора600нC КорпусT-Max
2 452.65 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT100GN60B2G, Транзистор: IGBT; Field Stop; 600В; 135А; 625Вт; T-Max" 1.

Вид упаковкитуба Время включения96нс Время выключения435нс Заряд затвора600нC КорпусTO264
4 934.99 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT100GN60LDQ4G, Транзистор: IGBT; 600В; 135А; 625Вт; TO264" 1.

Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
13 182.18 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT100GT120JR, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 67А; SOT227B" 1.

Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
15 777.69 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT100GT120JRDQ4, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 67А; SOT227B" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPT100GT120JU2
10 044.94 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT100GT120JU2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPT100GT120JU3
10 044.94 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT100GT120JU3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 100А" 1.

Вид упаковкитуба Время включения64нс Время выключения389нс Заряд затвора294нC КорпусT-Max
3 723.92 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT102GA60B2, Транзистор: IGBT; PT; 600В; 102А; 780Вт; T-Max" 1.

Вид упаковкитуба Время включения65нс Время выключения313нс Заряд затвора294нC КорпусTO264
4 811.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT102GA60L, Транзистор: IGBT; 600В; 102А; 780Вт; TO264" 1.

Вид упаковкитуба Время включения21нс Время выключения270нс Заряд затвора55нC КорпусTO247-3
2 101.12 
Доступность: 28 шт.
 

Минимальное количество для товара "APT13GP120BDQ1G, Транзистор: IGBT; PT; 1,2кВ; 20А; 250Вт; TO247-3" 1.

Вид упаковкитуба Время включения21нс Время выключения270нс Заряд затвора55нC КорпусTO247-3
1 573.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT13GP120BG, Транзистор: IGBT; PT; 1,2кВ; 20А; 250Вт; TO247-3" 1.

Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
8 386.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT150GN120J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 99А; SOT227B" 1.

Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
17 390.05 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT150GN120JDQ4, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 99А; SOT227B" 1.

Вид упаковкитуба Время включения154нс Время выключения575нс Заряд затвора970нC КорпусT-Max
5 129.21 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT150GN60B2G, Транзистор: IGBT; Field Stop; 600В; 123А; 536Вт; T-Max" 1.

Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
8 277.69 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT150GN60J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 123А; SOT227B" 1.

Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
9 979.13 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT150GN60JDQ4, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 123А; SOT227B" 1.

Вид упаковкитуба Время включения154нс Время выключения575нс Заряд затвора970нC КорпусTO264
7 239.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT150GN60LDQ4G, Транзистор: IGBT; Field Stop; 600В; 123А; 536Вт; TO264" 1.

Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
16 158.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT150GT120JR, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 90А; SOT227B" 1.

Вид упаковкитуба Время включения19нс Время выключения355нс Заряд затвора90нC КорпусTO247-3
1 758.43 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT15GN120BDQ1G, Транзистор: IGBT; Field Stop; 1,2кВ; 22А; 195Вт; TO247-3" 1.

Показать еще 20 товаров

IGBT-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) и IGBT-модули — это силовые полупроводниковые приборы, сочетающие в себе преимущества MOSFET (управление напряжением на затворе) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Они предназначены для эффективного управления высокими токами и напряжениями в высокомощных электронных системах.

IGBT отличаются высокой эффективностью, скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Модули часто оснащаются изолированной металлической подложкой для эффективного теплоотвода и монтажа на радиатор.

Мы предлагаем качественные IGBT-транзисторы и модули от ведущих производителей (Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji) с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте мощность и надёжность — выбирайте профессиональные IGBT-решения на 7-el.ru!

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж