Товары из категории модули и транзисторы igbt - страница 18

Производитель
Вид упаковкитуба Время включения105нс Время выключения336нс Заряд затвора312нC КорпусT-Max
2 960.67 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT95GR65B2, Транзистор: IGBT; NPT; 650В; 100А; 892Вт; T-Max" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGL60DDA120T3G
19 600.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGL60DDA120T3G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper x2,термистор NTC" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGLQ100A120TG
24 710.27 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGLQ100A120TG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGLQ100DA120T1G
17 931.78 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGLQ100DA120T1G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор NTC; SP1" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP3F Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGLQ75H120T3G
25 144.46 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGLQ75H120T3G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост,термистор NTC; SP3F" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT100A120T3AG
24 614.77 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT100A120T3AG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; IGBT x2,термистор NTC; SP3" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT100A120TG
25 787.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT100A120TG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусSP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT100DU120TG
25 723.92 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT100DU120TG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2; SP4" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT100SK170TG
23 774.48 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT100SK170TG, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper,термистор NTC; SP4" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT100TL60T3G
26 597.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT100TL60T3G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 600В; Ic: 100А; SP3" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT150A120TG
43 034.51 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT150A120TG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT150DH60TG
24 329.05 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT150DH60TG, Модуль: IGBT; диод/транзистор; асимметричный мост,термистор NTC" 1.

Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусSP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT200DU60TG
23 906.90 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT200DU60TG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2; SP4" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT20H60T1G
12 188.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT20H60T1G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост,термистор NTC; SP1" 1.

Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусSP6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT225DU170G
79 086.68 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT225DU170G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2; SP6" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP6C Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT300SK170G
52 086.68 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT300SK170G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,7кВ; Ic: 300А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT50A170TG
23 781.70 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT50A170TG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT600A60G
77 155.70 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGT600A60G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP3F Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGTQ100H65T3G
24 292.13 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGTQ100H65T3G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост,термистор NTC; SP3F" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP3F Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGTQ200A65T3G
24 292.13 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTGTQ200A65T3G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 1.

Показать еще 20 товаров

IGBT-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) и IGBT-модули — это силовые полупроводниковые приборы, сочетающие в себе преимущества MOSFET (управление напряжением на затворе) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Они предназначены для эффективного управления высокими токами и напряжениями в высокомощных электронных системах.

IGBT отличаются высокой эффективностью, скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Модули часто оснащаются изолированной металлической подложкой для эффективного теплоотвода и монтажа на радиатор.

Мы предлагаем качественные IGBT-транзисторы и модули от ведущих производителей (Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji) с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте мощность и надёжность — выбирайте профессиональные IGBT-решения на 7-el.ru!

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж