Транзисторы и модули IGBT

Производитель

IGBT-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) и IGBT-модули — это силовые полупроводниковые приборы, сочетающие в себе преимущества MOSFET (управление напряжением на затворе) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Они предназначены для эффективного управления высокими токами и напряжениями в высокомощных электронных системах.

IGBT отличаются высокой эффективностью, скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Модули часто оснащаются изолированной металлической подложкой для эффективного теплоотвода и монтажа на радиатор.

Мы предлагаем качественные IGBT-транзисторы и модули от ведущих производителей (Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji) с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте мощность и надёжность — выбирайте профессиональные IGBT-решения на 7-el.ru!

0.0
FB30R06W1E3
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусAG-EASY1B-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFB30R06W1E3BOMA1
5 560 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FB30R06W1E3BOMA1, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 1-фазный диодный мост; Urmax: 600В" 1.

0.0
FD1000R33HE3KBPSA1
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусAG-IHVB190 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFD1000R33HE3KBPSA1
503 402 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FD1000R33HE3KBPSA1, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck-boost chopper; Urmax: 3,3кВ" 1.

0.0
FD300R06KE3
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусAG-62MM-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFD300R06KE3HOSA1
18 297 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FD300R06KE3HOSA1, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 600В; Ic: 300А" 1.

0.0
FD300R12KE3
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусAG-62MM-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFD300R12KE3HOSA1
33 302 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FD300R12KE3HOSA1, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
FF100R12RT4HOSA1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-34MM Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFF100R12RT4HOSA1
14 584 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FF100R12RT4HOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 3.

0.0
FF200R12KE3
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-62MM-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFF200R12KE3HOSA1
39 691 
Доступность: 9 шт.
+

Минимальное количество для товара "FF200R12KE3HOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
FF200R12KE4P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-62MM-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFF200R12KE4PHOSA1
24 589 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FF200R12KE4PHOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
FF200R12KT3E
Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусAG-62MM-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFF200R12KT3EHOSA1
25 170 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FF200R12KT3EHOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2" 1.

0.0
FF200R12KT4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-62MM-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFF200R12KT4HOSA1
14 949 
Доступность: 7 шт.
+

Минимальное количество для товара "FF200R12KT4HOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
FF200R17KE4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-62MM-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFF200R17KE4HOSA1
33 302 
Доступность: 1 шт.
+

Минимальное количество для товара "FF200R17KE4HOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

0.0
FF300R12KE3
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-62MM-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFF300R12KE3
29 430 
Доступность: 8 шт.
+

Минимальное количество для товара "FF300R12KE3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
FF300R12KS4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-62MM-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFF300R12KS4
42 402 
Доступность: 5 шт.
+

Минимальное количество для товара "FF300R12KS4, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
FF300R12KT3E
Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусAG-62MM-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFF300R12KT3EHOSA1
41 046 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FF300R12KT3EHOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2" 1.

0.0
FF300R12KT4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-62MM-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFF300R12KT4HOSA1
21 221 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FF300R12KT4HOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
FF300R17ME4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-ECONOD-3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFF300R17ME4BOSA1
33 922 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FF300R17ME4BOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

0.0
FF450R06ME3
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-ECONOD-3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFF450R06ME3
46 856 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FF450R06ME3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

0.0
FF450R12KE4HOSA1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-62MM Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFF450R12KE4HOSA1
45 384 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FF450R12KE4HOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
FF450R12KT4HOSA1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-62MM Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFF450R12KT4HOSA1
33 767 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FF450R12KT4HOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
FF450R33T3E3B5BPSA
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-XHP100-6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFF450R33T3E3B5BPSA1
427 891 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FF450R33T3E3B5BPSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 3,3кВ" 1.

0.0
FF500R17KE4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-62MM-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFF500R17KE4BOSA1
47 397 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FF500R17KE4BOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (31)