Товары из категории модули и транзисторы igbt - страница 3

Фильтры товаров
Тип транзистора
Напряжение коллектор-эмиттер
Топология
Ток коллектора
Рассеиваемая мощность
Напряжение затвор - эмиттер
Корпус
Тип модуля
Монтаж
Ток коллектора в импульсе
Производитель
Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток8...15А Класс напряжения1,2кВ Код производителя2SP0115T2C0-12 ПроизводительPOWER INTEGRATIONS
23 198.18 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "2SP0115T2C0-12, Module: gate driver board; IGBT half-bridge; SCALE™-2; 1.2kV" 1.

Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток8...15А Класс напряжения1,7кВ Код производителя2SP0115T2C0-17 ПроизводительPOWER INTEGRATIONS
17 019.90 
Доступность: 12 шт.
 

Минимальное количество для товара "2SP0115T2C0-17, Module: gate driver board; IGBT half-bridge; SCALE™-2; 1.7kV" 1.

Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток20А Класс напряжения1,2кВ Код производителя2SP0320T2A0-12 Монтажвинтами
44 878.94 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "2SP0320T2A0-12, Module: gate driver board; IGBT half-bridge; screw; SCALE™-2" 1.

Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток20А Класс напряжения1,7кВ Код производителя2SP0320T2A0-17 Монтажвинтами
44 878.94 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "2SP0320T2A0-17, Module: gate driver board; IGBT half-bridge; screw; SCALE™-2" 1.

Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток20А Класс напряжения1,2кВ Код производителя2SP0320T2C0-12 Монтажвинтами
44 878.94 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "2SP0320T2C0-12, Module: gate driver board; IGBT half-bridge; screw; SCALE™-2" 1.

Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток20А Класс напряжения1,7кВ Код производителя2SP0320T2C0-17 Монтажвинтами
42 812.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "2SP0320T2C0-17, Module: gate driver board; IGBT half-bridge; screw; SCALE™-2" 1.

Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток20А Класс напряжения1,2кВ Код производителя2SP0320V2A0-12 Монтажвинтами
59 051.41 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "2SP0320V2A0-12, Module: gate driver board; IGBT half-bridge; screw; SCALE™-2" 1.

Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток20А Класс напряжения1,7кВ Код производителя2SP0320V2A0-17 Монтажвинтами
59 051.41 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "2SP0320V2A0-17, Module: gate driver board; IGBT half-bridge; screw; SCALE™-2" 1.

Код производителя5SJA 2000L520301 Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSTAKPAK Напряжение затвор - эмиттер±20В Обратное напряжение макс.5,2кВ
1 550 095.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "5SJA 2000L520301, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 5,2кВ; Ic: 2кА; STAKPAK" 1.

Код производителя5SJA 3000L520300 Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSTAKPAK Напряжение затвор - эмиттер±20В Обратное напряжение макс.5,2кВ
2 256 599.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "5SJA 3000L520300, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 5,2кВ; Ic: 3кА; STAKPAK" 1.

Код производителя5SMA 3000L450300 Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSTAKPAK Напряжение затвор - эмиттер±20В Обратное напряжение макс.4,5кВ
1 351 850.75 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "5SMA 3000L450300, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 4,5кВ; Ic: 3кА; STAKPAK" 1.

Код производителя5SNA 0400J650100 Конструкция диодаобщий вход, общий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
396 486.73 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "5SNA 0400J650100, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход,общий эмиттер" 1.

Код производителя5SNA 0500J650300 Конструкция диодаобщий вход, общий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
428 121.06 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "5SNA 0500J650300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход,общий эмиттер" 1.

Код производителя5SNA 0600G650100 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
542 006.63 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "5SNA 0600G650100, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 600А" 1.

Код производителя5SNA 0650J450300 Конструкция диодаобщий вход, общий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
360 634.33 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "5SNA 0650J450300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход,общий эмиттер" 1.

Код производителя5SNA 0800J450300 Конструкция диодаобщий вход, общий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
388 049.75 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "5SNA 0800J450300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход,общий эмиттер" 1.

Код производителя5SNA 0800N330100 Конструкция диодаобщий вход, общий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
324 781.09 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "5SNA 0800N330100, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход,общий эмиттер" 1.

Код производителя5SNA 1000G650300 Конструкция диодаобщий вход, общий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
676 980.10 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "5SNA 1000G650300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход,общий эмиттер" 1.

Код производителя5SNA 1000N330300 Конструкция диодаобщий вход, общий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
312 128.52 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "5SNA 1000N330300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход,общий эмиттер" 1.

Код производителя5SNA 1200E330100 Конструкция диодаобщий вход, общий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
396 486.73 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "5SNA 1200E330100, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход,общий эмиттер" 1.

Показать еще 20 товаров

IGBT-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) и IGBT-модули — это силовые полупроводниковые приборы, сочетающие в себе преимущества MOSFET (управление напряжением на затворе) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Они предназначены для эффективного управления высокими токами и напряжениями в высокомощных электронных системах.

IGBT отличаются высокой эффективностью, скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Модули часто оснащаются изолированной металлической подложкой для эффективного теплоотвода и монтажа на радиатор.

Мы предлагаем качественные IGBT-транзисторы и модули от ведущих производителей (Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji) с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте мощность и надёжность — выбирайте профессиональные IGBT-решения на 7-el.ru!

Хиты продаж