Москва
 +7(499)550-50-61

Товары из категории модули и транзисторы igbt - страница 4

Категории
Полупроводники
Модули и транзисторы IGBT
Модули IGBT
Транзисторы IGBT
Obsolete
Динисторы
Диоды
Комплекты пусковые
Микросхемы
Мосты выпрямительные
Оснащение для полупроводников
Программаторы и стирающие устройства
Симисторы
+3Еще
Фильтры товаров
Тип транзистора
Напряжение коллектор-эмиттер
Топология
Ток коллектора
Рассеиваемая мощность
Напряжение затвор - эмиттер
Корпус
Тип модуля
Монтаж
Ток коллектора в импульсе
Производитель
Сортировать по:
Новинки ниже
5SNA 1200G330100, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход,общий эмиттер
0.0
5SNA1200G330100
Код производителя5SNA 1200G330100 Конструкция диодаобщий вход, общий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
516 699.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "5SNA 1200G330100, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход,общий эмиттер" 1.

5SNA 1200G450300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход,общий эмиттер
0.0
5SNA1200G450300
Код производителя5SNA 1200G450300 Конструкция диодаобщий вход, общий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
476 628.52 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "5SNA 1200G450300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход,общий эмиттер" 1.

5SNA 1200G450350, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход,общий эмиттер
0.0
5SNA1200G450350
Код производителя5SNA 1200G450350 Конструкция диодаобщий вход, общий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
506 153.40 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "5SNA 1200G450350, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход,общий эмиттер" 1.

5SNA 1300K450300, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 4,5кВ; Ic: 1,3кА; SPT+
0.0
5SNA1300K450300
Код производителя5SNA 1300K450300 Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSTAKPAK Напряжение затвор - эмиттер±20В Обратное напряжение макс.4,5кВ
1 318 108.62 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "5SNA 1300K450300, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 4,5кВ; Ic: 1,3кА; SPT+" 1.

5SNA 1500K452300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 4,52кВ; Ic: 1,5кА
0.0
5SNA1500K452300
Код производителя5SNA 1500K452300 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSTAKPAK Напряжение затвор - эмиттер±20В Обратное напряжение макс.4,52кВ
968 018.24 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "5SNA 1500K452300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 4,52кВ; Ic: 1,5кА" 1.

5SNA 1600N170100, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход,общий эмиттер
0.0
5SNA1600N170100
Код производителя5SNA 1600N170100 Конструкция диодаобщий вход, общий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
276 275.29 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "5SNA 1600N170100, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход,общий эмиттер" 1.

5SNA 1600N170300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход,общий эмиттер
0.0
5SNA1600N170300
Код производителя5SNA 1600N170300 Конструкция диодаобщий вход, общий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
263 622.72 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "5SNA 1600N170300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход,общий эмиттер" 1.

5SNA 1800E330400, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход,общий эмиттер
0.0
5SNA1800E330400
Код производителя5SNA 1800E330400 Конструкция диодаобщий вход, общий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
514 588.72 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "5SNA 1800E330400, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход,общий эмиттер" 1.

5SNA 2000K450300, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 4,5кВ; Ic: 2кА; STAKPAK
0.0
5SNA2000K450300
Код производителя5SNA 2000K450300 Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSTAKPAK Напряжение затвор - эмиттер±20В Обратное напряжение макс.4,5кВ
1 902 291.87 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "5SNA 2000K450300, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 4,5кВ; Ic: 2кА; STAKPAK" 1.

5SNA 2000K451300, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 4,5кВ; Ic: 2кА; STAKPAK
0.0
5SNA2000K451300
Код производителя5SNA 2000K451300 Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSTAKPAK Напряжение затвор - эмиттер±20В Обратное напряжение макс.4,5кВ
1 687 177.45 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "5SNA 2000K451300, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 4,5кВ; Ic: 2кА; STAKPAK" 1.

5SNA 2000K452300, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 4,5кВ; Ic: 2кА; STAKPAK
0.0
5SNA2000K452300
Код производителя5SNA 2000K452300 Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSTAKPAK Напряжение затвор - эмиттер±20В Обратное напряжение макс.4,5кВ
1 214 768.66 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "5SNA 2000K452300, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 4,5кВ; Ic: 2кА; STAKPAK" 1.

5SNA 2400E170305, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход,общий эмиттер
0.0
5SNA2400E170305
Код производителя5SNA 2400E170305 Конструкция диодаобщий вход, общий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
331 109.45 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "5SNA 2400E170305, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход,общий эмиттер" 1.

5SNA 2400N170300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход,общий эмиттер
0.0
5SNA2400N170300
Код производителя5SNA 2400N170300 Конструкция диодаобщий вход, общий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
324 781.09 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "5SNA 2400N170300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход,общий эмиттер" 1.

5SNA 3000K452300, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 4,5кВ; Ic: 3кА; STAKPAK
0.0
5SNA3000K452300
Код производителя5SNA 3000K452300 Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSTAKPAK Напряжение затвор - эмиттер±20В Обратное напряжение макс.4,5кВ
1 849 568.82 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "5SNA 3000K452300, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 4,5кВ; Ic: 3кА; STAKPAK" 1.

5SNA 3600E170300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход,общий эмиттер
0.0
5SNA3600E170300
Код производителя5SNA 3600E170300 Конструкция диодаобщий вход, общий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
459 756.22 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "5SNA 3600E170300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход,общий эмиттер" 1.

5SND 0500N330300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; IGBT x2; Urmax: 3,3кВ; HIPAK
0.0
5SND0500N330300
Код производителя5SND 0500N330300 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
333 218.08 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "5SND 0500N330300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; IGBT x2; Urmax: 3,3кВ; HIPAK" 1.

5SND 0800M170100, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; IGBT x2; Urmax: 1,7кВ; HIPAK
0.0
5SND0800M170100
Код производителя5SND 0800M170100 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
288 929.52 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "5SND 0800M170100, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; IGBT x2; Urmax: 1,7кВ; HIPAK" 1.

5SNE 0800E330100, Модуль: IGBT; диод/транзистор,общий вход,общий эмиттер; Ic: 800А
0.0
5SNE0800E330100
Код производителя5SNE 0800E330100 Конструкция диодадиод/транзистор, общий вход, общий эмиттер КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
392 269.49 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "5SNE 0800E330100, Модуль: IGBT; диод/транзистор,общий вход,общий эмиттер; Ic: 800А" 1.

5SNE 0800G450300, Модуль: IGBT; диод/транзистор,общий вход,общий эмиттер; Ic: 800А
0.0
5SNE0800G450300
Код производителя5SNE 0800G450300 Конструкция диодадиод/транзистор, общий вход, общий эмиттер КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
468 191.54 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "5SNE 0800G450300, Модуль: IGBT; диод/транзистор,общий вход,общий эмиттер; Ic: 800А" 1.

5SNE 0800M170100, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,buck chopper; HIPAK
0.0
5SNE0800M170100
Код производителя5SNE 0800M170100 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
274 166.67 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "5SNE 0800M170100, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,buck chopper; HIPAK" 1.

Показать еще 20 товаров

IGBT-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) и IGBT-модули — это силовые полупроводниковые приборы, сочетающие в себе преимущества MOSFET (управление напряжением на затворе) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Они предназначены для эффективного управления высокими токами и напряжениями в высокомощных электронных системах.

IGBT отличаются высокой эффективностью, скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Модули часто оснащаются изолированной металлической подложкой для эффективного теплоотвода и монтажа на радиатор.

Мы предлагаем качественные IGBT-транзисторы и модули от ведущих производителей (Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji) с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте мощность и надёжность — выбирайте профессиональные IGBT-решения на 7-el.ru!

Хиты продаж