Товары из категории транзисторы igbt , стр.41

Производитель
Вид упаковкитуба Время включения39нс Время выключения238нс Заряд затвора13,3нC КорпусTO252
691.13 
Доступность: 306 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXYY8N90C3, Транзистор: IGBT; GenX3™; 900В; 8А; 125Вт; TO252" 1.

ВерсияESD Вид упаковкибобина, лента КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор - эмиттер±15В
230.12 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGB15N41ATI, Транзистор: IGBT; 410В; 15А; 107Вт; D2PAK; ESD" 1.

ВерсияESD Вид упаковкибобина, лента КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер440В
204.89 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGB8202ARI, Транзистор: IGBT; 440В; 20А; D2PAK; Характеристики: logic level" 1.

ВерсияESD Вид упаковкибобина, лента КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер390В
242.35 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGB8206ARI, Транзистор: IGBT; 390В; 20А; D2PAK; Характеристики: logic level" 1.

ВерсияESD Вид упаковкибобина, лента КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер390В
242.35 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGB8206ATI, Транзистор: IGBT; 390В; 20А; D2PAK; Характеристики: logic level" 1.

ВерсияESD Вид упаковкибобина, лента КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор - эмиттер±15В
242.35 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGB8207ATH, Транзистор: IGBT; 365В; 20А; 165Вт; D2PAK; ESD" 1.

ВерсияESD Вид упаковкибобина, лента КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор - эмиттер±15В
242.35 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGB8207TH, Транзистор: IGBT; 365В; 20А; 165Вт; D2PAK; системы зажигания; ESD" 1.

ВерсияESD Вид упаковкибобина, лента КорпусDPAK МонтажSMD Напряжение затвор - эмиттер±15В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGD15N41ATI, Транзистор: IGBT; 410В; 15А; 107Вт; DPAK; ESD" 1.

ВерсияESD Вид упаковкибобина, лента КорпусDPAK МонтажSMD Напряжение затвор - эмиттер±18В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGD18N40ATH, Транзистор: IGBT; 400В; 18А; 115Вт; DPAK; ESD" 1.

ВерсияESD Вид упаковкибобина, лента КорпусDPAK МонтажSMD Напряжение затвор - эмиттер±18В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGD18N45TH, Транзистор: IGBT; 450В; 18А; 115Вт; DPAK; системы зажигания; ESD" 1.

ВерсияESD Вид упаковкибобина, лента КорпусDPAK МонтажSMD Напряжение затвор - эмиттер±15В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGD8201ATI, Транзистор: IGBT; 400В; 20А; 125Вт; DPAK; системы зажигания; ESD" 1.

ВерсияESD Вид упаковкибобина, лента КорпусDPAK МонтажSMD Напряжение затвор - эмиттер±15В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGD8201TH, Транзистор: IGBT; 400В; 20А; 125Вт; DPAK; системы зажигания; ESD" 1.

ВерсияESD Вид упаковкибобина, лента КорпусDPAK МонтажSMD Напряжение затвор - эмиттер±15В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGD8205ATI, Транзистор: IGBT; 350В; 20А; 125Вт; DPAK; ESD" 1.

ВерсияESD Вид упаковкибобина, лента КорпусDPAK МонтажSMD Напряжение затвор - эмиттер±15В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGD8209TI, Транзистор: IGBT; 410В; 12А; 94Вт; DPAK; системы зажигания; ESD" 1.

ВерсияESD Вид упаковкибобина, лента КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер390В
242.35 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGS8206AUI, Транзистор: IGBT; 390В; 20А; D2PAK; Характеристики: logic level" 1.

Вид упаковкитуба Время включения105нс Время выключения1365нс Заряд затвора420нC КорпусSMPD
14 000.76 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMIX1G120N120A3V1, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,2кВ; 105А; 400Вт; SMPD" 1.

Вид упаковкитуба Время включения107нс Время выключения595нс Заряд затвора585нC КорпусSMPD
11 291.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMIX1G320N60B3, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 600В; 180А; 1кВт; SMPD" 1.

Вид упаковкитуба Время включения92с Время выключения350нс Заряд затвора143нC КорпусSMPD
5 415.90 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMIX1X100N60B3H1, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 600В; 68А; 400Вт; SMPD" 1.

Вид упаковкитуба Время включения140нс Время выключения395нс Заряд затвора315нC КорпусSMPD
8 503.82 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMIX1X200N60B3, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 600В; 120А; 625Вт; SMPD" 1.

Вид упаковкитуба Время включения140нс Время выключения395нс Заряд затвора315нC КорпусSMPD
9 418.96 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMIX1X200N60B3H1, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 600В; 72А; 520Вт; SMPD" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) — это силовые полупроводниковые ключи, сочетающие преимущества MOSFET (высокое входное сопротивление, простота управления) и биполярного транзистора (низкое падение напряжения в открытом состоянии).

Идеальны для управления высокими токами и напряжениями в составе инверторов, частотных преобразователей, источников бесперебойного питания, сварочных аппаратов и систем рекуперации.

В каталоге 7-el.ru — IGBT-транзисторы от проверенных производителей: KEFA, Infineon, Mitsubishi Electric, Fuji Electric, STMicroelectronics, Rexant. Гарантия качества, полная документация и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж