Москва
 
+7 (499) 550-50-61
0Корзина

Транзисторы многоканальные - 983

Сортировать по:
От А до Я
Показать:
24
NDC7001C, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 60/-60В
0.0
NDC7001C
Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,5/2,2нC КорпусSuperSOT-6
12852 ₽
Доступность: 1210 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "NDC7001C, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 60/-60В" 1.

NDC7002N, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 0,51А; 0,96Вт; SuperSOT-6
0.0
NDC7002N
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1нC КорпусSuperSOT-6 МонтажSMD
9243 ₽
Доступность: 325 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "NDC7002N, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 0,51А; 0,96Вт; SuperSOT-6" 1.

NDC7003P, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -60В; -0,34А; 0,96Вт; SuperSOT-6
0.0
NDC7003P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,2нC КорпусSuperSOT-6 МонтажSMD
8803 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "NDC7003P, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -60В; -0,34А; 0,96Вт; SuperSOT-6" 1.

NDS9945, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 3,5А; 2Вт; SO8
0.0
NDS9945
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусSO8 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "NDS9945, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 3,5А; 2Вт; SO8" 1.

NDS9948, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -60В; -2А; 2Вт; SO8
0.0
NDS9948
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC КорпусSO8 МонтажSMD
14349 ₽
Доступность: 1912 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "NDS9948, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -60В; -2А; 2Вт; SO8" 1.

NDS9952A, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 30/-30В
0.0
NDS9952A
Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента КорпусSO8 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "NDS9952A, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 30/-30В" 1.

NTGD1100LT1G, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 8В; 2,4А; Idm: 10А; 430мВт; TSOP6
0.0
NTGD1100LT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTSOP6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
15757 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "NTGD1100LT1G, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 8В; 2,4А; Idm: 10А; 430мВт; TSOP6" 1.

NTGD3148NT1G, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 2,2А; 0,9Вт; TSOP6
0.0
NTGD3148NT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTSOP6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
8979 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "NTGD3148NT1G, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 2,2А; 0,9Вт; TSOP6" 1.

NTGD4167CT1G, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 30/-30В
0.0
NTGD4167CT1G
Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента КорпусTSOP6 МонтажSMD
8451 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "NTGD4167CT1G, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 30/-30В" 1.

NTHC5513T1G, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-20В
0.0
NTHC5513T1G
Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3нC КорпусChipFET
25528 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "NTHC5513T1G, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-20В" 1.

NTHD3100CT1G, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-20В
0.0
NTHD3100CT1G
Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,4нC КорпусChipFET
20775 ₽
Доступность: 1625 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "NTHD3100CT1G, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-20В" 1.

NTHD3102CT1G, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-20В
0.0
NTHD3102CT1G
Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,8/6,6нC КорпусChipFET
18926 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "NTHD3102CT1G, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-20В" 1.

NTHD4502NT1G, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 2,2/2,9А; Idm: 16÷12,6А
0.0
NTHD4502NT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,8/6,6нC КорпусChipFET МонтажSMD
21479 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "NTHD4502NT1G, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 2,2/2,9А; Idm: 16÷12,6А" 1.

NTHD4508NT1G, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 2,2А; Idm: 12А; 590мВт
0.0
NTHD4508NT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,6нC КорпусChipFET МонтажSMD
16461 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "NTHD4508NT1G, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 2,2А; Idm: 12А; 590мВт" 1.

NTJD4001NT1G, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 0,18А; 0,272Вт
0.0
NTJD4001NT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC70-6, SC88, SOT363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
6074 ₽
Доступность: 2039 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "NTJD4001NT1G, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 0,18А; 0,272Вт" 1.

NTJD4105CT1G, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-8В
0.0
NTJD4105CT1G
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3/4нC
4313 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "NTJD4105CT1G, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-8В" 1.

NTJD4105CT2G, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-8В
0.0
NTJD4105CT2G
Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента КорпусSC70-6, SC88, SOT363 МонтажSMD
7130 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "NTJD4105CT2G, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-8В" 1.

NTJD4401NT1G, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 0,46А; 0,27Вт; ESD
0.0
NTJD4401NT1G
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,3нC КорпусSC70-6, SC88, SOT363
7482 ₽
Доступность: 1790 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "NTJD4401NT1G, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 0,46А; 0,27Вт; ESD" 1.

NTJD5121NT1G, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,295А; 0,25Вт; ESD
0.0
NTJD5121NT1G
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,9нC КорпусSC70-6, SC88, SOT363
5810 ₽
Доступность: 1635 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "NTJD5121NT1G, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,295А; 0,25Вт; ESD" 1.

NTLJD3119CTBG, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-20В
0.0
NTLJD3119CTBG
Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента КорпусWDFN6 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "NTLJD3119CTBG, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-20В" 1.

NTLUD4C26NTAG, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 5,3А; 1,7Вт; uDFN6
0.0
NTLUD4C26NTAG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусuDFN6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "NTLUD4C26NTAG, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 5,3А; 1,7Вт; uDFN6" 1.

NTUD3169CZT5G, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-20В
0.0
NTUD3169CZT5G
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT963
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "NTUD3169CZT5G, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-20В" 1.

NTUD3170NZT5G, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 0,16А; 0,125Вт; SOT963; ESD
0.0
NTUD3170NZT5G
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT963 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "NTUD3170NZT5G, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 0,16А; 0,125Вт; SOT963; ESD" 1.

NTZD3152PT1G, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -0,43А; 0,25Вт; SOT563
0.0
NTZD3152PT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,7нC КорпусSOT563 МонтажSMD
6250 ₽
Доступность: 1840 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "NTZD3152PT1G, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -0,43А; 0,25Вт; SOT563" 1.

Показать еще 24 товара
Категории